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题名超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测
被引量：6
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作者
赵文彬
李蕾蕾
于宗光
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机构
西安电子科技大学微电子学院
中国电子科技集团公司第五十八研究所
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期947-950,956,共5页
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基金
江苏省高技术研究项目(No.BG2007006)
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文摘
随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展,等离子体充电对制造工艺造成的影响,尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著.本文分析了等离子体工艺损伤机理以及天线效应,设计了带有多晶、孔、金属等层次天线监测结构的电容和器件,并有不同的天线比.设计结构简单、完全工艺兼容,测试结果直观、测量灵敏度高等优点,实现了等离子体损伤芯片级工艺监控.测试分析表明,不同的膜层结构,等离子体损伤程度不同,当天线比大于103以后,充电损伤变得明显.同时测试也发现了工艺损伤较为严重的环节,为优化制造工艺,提高超薄栅氧化层抗等离子体损伤能力提供了科学的依据.
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关键词
栅氧化层
等离子体损伤
天线结构
工艺监测
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Keywords
gate oxide
plasma charging damage
antenna structure
process monitor
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名等离子体充电损伤对氧化门厚度的依赖关系
被引量：2
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作者
刘之景
刘晨
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机构
中国科学技术大学
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出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2000年第3期8-10,37,共4页
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文摘
介绍了氧化门厚度在 8～ 2 0nm范围内等离子体充电损伤随其厚度减小而变得严重。但是 ,当氧化门厚度减小到 4nm以下时 ,这种超薄氧化门比起厚一些的氧化门对充电损伤具有更好的免疫性 ,对隧道电流具有极好的承受能力。分析了上述两种氧化门厚度范围内等离子体充电损伤的不同机理。
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关键词
充电损伤
超薄氧化
等离子体加工
集成电路
ULSI
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Keywords
charging damage,ultrathin gate oxide,plasma processing
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分类号
TN470.5
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名超薄氧化门的等离子体充电损伤机理
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作者
刘之景
曹继
王克逸
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机构
天文与应用物理系
近代物理系
精密机械与精密仪器系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期63-66,共4页
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文摘
探讨了金属氧化物半导体场效应管超薄氧化门在等离子体加工中造成的充电损伤机理,应用碰撞电离模型解释了超薄氧化门对充电损伤比厚氧化门具有更强免疫力的原因。
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关键词
氧化门
等离子体
充电损伤
碰撞电离
陷阱
氧化物半导体
加工
超大规模集成电路
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Keywords
gate oxide
plasma
charging damage
impact ionization
trap
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分类号
TN470.5
[电子电信—微电子学与固体电子学]
TN304.21
[电子电信—物理电子学]
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