CeO_2掺杂TiO_2粉体的制备及其性能研究 被引量：6

1

作者 段志刚 朱忠其 +2 位作者 纳薇 张瑾 柳清菊 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F05期94-96,共3页

采用Sol-gel法制备了CeO2不同掺杂比例的TiO2粉体,研究了掺杂比例对样品晶型、光谱吸收曲线及光催化降解亚甲基蓝的影响,结果表明:掺杂CeO2的TiO2样品对光波长的响应阈值为500nm左右;样品在普通日光灯下照射4h,对亚甲基蓝的降解率明显优... 采用Sol-gel法制备了CeO2不同掺杂比例的TiO2粉体,研究了掺杂比例对样品晶型、光谱吸收曲线及光催化降解亚甲基蓝的影响,结果表明:掺杂CeO2的TiO2样品对光波长的响应阈值为500nm左右;样品在普通日光灯下照射4h,对亚甲基蓝的降解率明显优于DegauseP25,其中CeO2掺杂比率为7%(mol)的样品降解率达到了最大。 展开更多

关键词 可见光催化 ceo2掺杂 TIO2 降解亚甲基蓝

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CeO_2掺杂BNLKT陶瓷的压电性能与微观结构 被引量：5

2

作者 廖运文 赁敦敏 +4 位作者 肖定全 魏群 庄严 朱建国 余萍 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期554-556,共3页

利用企业的电子陶瓷工艺制备了CeO2掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3无铅压电陶瓷,并研究了CeO2掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观结构的影响。X-射线衍射结果表明,掺杂的CeO2扩散进入了Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3钙钛矿结构的晶格;... 利用企业的电子陶瓷工艺制备了CeO2掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3无铅压电陶瓷,并研究了CeO2掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观结构的影响。X-射线衍射结果表明,掺杂的CeO2扩散进入了Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3钙钛矿结构的晶格;SEM观察结果表明,少量的CeO2掺杂可改进该陶瓷的微结构;介电压电性能研究结果表明,CeO2掺杂对该陶瓷体系的综合性能有较大改善,室温下该体系配方的压电常数d33可达199 pC/N,径向机电耦合系数kp达39.3%,同时降低了陶瓷的介电损耗(tanδ=2.0%),提高了其机械品质因数。 展开更多

关键词 无铅压电陶瓷 Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3 ceo2掺杂 压电常数 机电耦合系数

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CeO_2掺杂制备Ba_(0.9)Ca_(0.1)Ti_(1-x)Sn_xO_3压电陶瓷的结构及电性能（英文） 被引量：1

3

作者 尹奇异 田长安 +5 位作者 胡舒婷 王成泽 王婷婷 阳杰 吉冬冬 刘洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第22期26-29,49,共5页

采用传统的陶瓷烧结技术,通过添加0.15%(摩尔分数)CeO_2,在1 120℃烧结2h,成功制备了新型无铅压电陶瓷Ba_(0.9)Ca_(0.1)Ti_(1-x)Sn_xO_3,并且检测了陶瓷样品的微结构和电性能。XRD显示所有陶瓷样品均具有纯的钙钛矿结构,在室温下为典型... 采用传统的陶瓷烧结技术,通过添加0.15%(摩尔分数)CeO_2,在1 120℃烧结2h,成功制备了新型无铅压电陶瓷Ba_(0.9)Ca_(0.1)Ti_(1-x)Sn_xO_3,并且检测了陶瓷样品的微结构和电性能。XRD显示所有陶瓷样品均具有纯的钙钛矿结构,在室温下为典型的四方相,SEM显示适量添加锡离子可以提高陶瓷致密性。在室温下,锡离子改性的BaTiO_3基压电陶瓷在x=0.02处显示了优异的压电、介电和铁电性能(d_(33)=276pC/N,k_p=46%,ε_r=3 678,tanδ=2.4%,P_r=18.2μC/cm^2,E_C=1.12kV/mm)。这些优异的检测结果证实适当添加锡离子能改善BaTiO_3基压电陶瓷的电性能。 展开更多

关键词 无铅压电陶瓷 压电性 铁电性 介电性能 ceo2掺杂

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CeO_2掺杂钛酸铋钠钾陶瓷的制备工艺与介电性能 被引量：3

4

作者 马武祥 杜慧玲 郝星辰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第5期1679-1685,1692,共8页

为了进一步探索合成工艺对钛酸铋钠系无铅材料的结构及介电特性的影响,本文以甘氨酸为燃料,利用固相-燃烧法制备了Ce O2掺杂的Bi0.5Na0.5Ti O3-Bi0.5K0.5Ti O3(BNKT)陶瓷。XRD表明,在固相合成工艺中引入燃烧法制备BNKT陶瓷,比传统固相... 为了进一步探索合成工艺对钛酸铋钠系无铅材料的结构及介电特性的影响,本文以甘氨酸为燃料,利用固相-燃烧法制备了Ce O2掺杂的Bi0.5Na0.5Ti O3-Bi0.5K0.5Ti O3(BNKT)陶瓷。XRD表明,在固相合成工艺中引入燃烧法制备BNKT陶瓷,比传统固相法降低预烧温度150℃,掺杂的Ce O2扩散进入了BNKT钙钛矿的晶格,且当掺杂量为0%~0.3%时,形成纯的钙钛矿相结构;SEM表明,Ce O2掺杂使晶粒尺寸趋于平均,对晶粒生长有抑制作用;介电温谱表明,随着Ce O2掺杂量增加,介电常数εr和退极化温度Td、相转变温度Tm降低,介电反常峰逐渐弱化,且室温至300℃,介电损耗tanδ始终在0.3%以下,并从微结构缺陷空位形成机制角度,结合铁电畴壁运动状态,分析讨论了对材料介电特性的作用规律。 展开更多

关键词 BNKT ceo2掺杂 固相-燃烧法 结构 介电性能

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CeO_2掺杂TiO_2光催化剂的性能研究 被引量：6

5

作者 奚丽荷 江海军 +2 位作者 朱忠其 张瑾 柳清菊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1146-1148,共3页

采用液相合成法制备CeO2掺杂TiO2光催化粉体,利用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、FT-IR傅里叶变换红外光谱仪等对粉体的晶相组成、光谱吸收性能进行了表征,结果表明,掺杂后的TiO2经800℃热处理后仍呈锐钛矿型;CeO2/TiO2吸收光谱的... 采用液相合成法制备CeO2掺杂TiO2光催化粉体,利用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、FT-IR傅里叶变换红外光谱仪等对粉体的晶相组成、光谱吸收性能进行了表征,结果表明,掺杂后的TiO2经800℃热处理后仍呈锐钛矿型;CeO2/TiO2吸收光谱的阈值波长发生红移,但Ce掺杂浓度的增大对粉体的可见光吸收影响不大。光催化降解甲醛的结果表明,粉体在普通日光灯下对甲醛气体的降解率明显优于P25。 展开更多

关键词 光催化 TIO2 ceo2掺杂 甲醛降解

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CeO_2掺杂对CaO基吸收剂CO_2捕获性能的影响 被引量：3

6

作者 杨彬 余钟亮 +5 位作者 李春玉 周兴 郭帅 李光 赵建涛 房倚天 《燃料化学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期344-351,I0006,共9页

以P123作为软模板剂,通过均相沉淀法制备了CeO_2掺杂的CaO基吸收剂,研究了CeO_2掺杂对CO_2捕获的影响。结果表明,CeO_2掺杂可促进表面氧物种的生成,从而促进CaO与CO_2的碳酸化反应。CaO-CeO_2的相互作用一方面促进了从Ca到表面氧物种的... 以P123作为软模板剂,通过均相沉淀法制备了CeO_2掺杂的CaO基吸收剂,研究了CeO_2掺杂对CO_2捕获的影响。结果表明,CeO_2掺杂可促进表面氧物种的生成,从而促进CaO与CO_2的碳酸化反应。CaO-CeO_2的相互作用一方面促进了从Ca到表面氧物种的电子转移;另一方面,由于部分Ca离子对晶格中Ce离子的取代,晶格的电中性被打破,有利于CeO_2中晶格氧的逸出,以及氧空位和O^(2-)的生成。本实验制备的纯CaO吸收剂的碳酸化反应活化能为28.1 kJ/mol,而掺杂CeO_2后活化能显著降低,且当Ce/Ca(物质的量比)为0.25时达到最低值10.2 kJ/mol。另外,CeO_2的掺杂有利于CaO的分散,进而减缓CaO烧结。CeO_2掺杂的吸收剂在碳酸化/煅烧循环中表现出良好的CO_2捕获性能和循环稳定性。 展开更多

关键词 CaO基吸收剂 CO2 捕获 ceo2掺杂 碳酸化

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CeO_2掺杂TiO_2基压敏陶瓷的性能研究 被引量：2

7

作者 樊少忠 钟黎声 +1 位作者 陈哲 李亚平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第2期287-290,共4页

该文在TiO2压敏陶瓷中掺杂CeO2,研究了烧结温度和CeO2掺杂量对TiO2基压敏陶瓷的电学性能的影响。结果表明,烧结温度为1 400℃、CeO2掺杂摩尔分数为1.0%时,TiO2基压敏陶瓷表现出较好的综合电学性能:压敏电压为7.7V/mm,非线性系数为3.8,... 该文在TiO2压敏陶瓷中掺杂CeO2,研究了烧结温度和CeO2掺杂量对TiO2基压敏陶瓷的电学性能的影响。结果表明,烧结温度为1 400℃、CeO2掺杂摩尔分数为1.0%时,TiO2基压敏陶瓷表现出较好的综合电学性能:压敏电压为7.7V/mm,非线性系数为3.8,漏电流为0.1A,且具有优的介电常数和介电损耗。 展开更多

关键词 压敏陶瓷 烧结温度 ceo2掺杂 压敏性能 介电性能

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掺杂CeO2对流延成型制备的氮化铝陶瓷性能的影响 被引量：2

8

作者 桂如峰 邹阳 +3 位作者 李晨辉 刘江安 贺智勇 史玉升 《化学与生物工程》 CAS 2019年第8期6-11,共6页

以氮化铝(AlN)粉末为原料,掺杂10%~15%的CeO2,采用流延成型工艺制备AlN陶瓷生坯;排胶后在氮气气氛下1775℃保温4h,采用常压烧结制备静电卡盘用AlN陶瓷(体积电阻率为10^11~10^9Ω·cm)。研究了排胶升温速率对生坯的表面形貌以及CeO2... 以氮化铝(AlN)粉末为原料,掺杂10%~15%的CeO2,采用流延成型工艺制备AlN陶瓷生坯;排胶后在氮气气氛下1775℃保温4h,采用常压烧结制备静电卡盘用AlN陶瓷(体积电阻率为10^11~10^9Ω·cm)。研究了排胶升温速率对生坯的表面形貌以及CeO2掺杂量对烧结体的电学与热学性能、微观组织和物相组成的影响。结果表明:在200~450℃之间升温速率为0.2℃·min^-1的条件下排胶后,AlN陶瓷生坯形貌完整、无裂纹和翘曲;在CeO2掺杂量为14%时,AlN陶瓷烧结体可以获得较优的综合性能,致密度96.82%,热导率99W·m^-1·K^-1,体积电阻率4.75×10^10Ω·cm。显微结构分析表明,随着CeO2掺杂量的增加,形成的铈铝酸盐晶间相逐渐由点状分布变为连续分布,有利于导电通路的形成,从而降低AlN陶瓷烧结体体积电阻率。 展开更多

关键词 氮化铝(AlN)陶瓷 ceo2掺杂 氧化铈 流延成型 体积电阻率

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Gd2O3掺杂CeO2-δ固体电解质的电化学性能研究 被引量：5

9

作者 宋希文 赵永旺 +2 位作者 彭军 赵文广 安胜利 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期988-990,995,共4页

利用交流阻抗技术(EIS)测试了Gd2O3掺杂CeO2-δ固体电解质的电导率.当测试温度低于695℃时,阻抗谱由2个变形的半圆弧组成;而高温时仅有1个变形的半圆弧.固体电解质的晶格电导率、晶界电导率和总电导率与测试温度的关系服从Arrhenius公式... 利用交流阻抗技术(EIS)测试了Gd2O3掺杂CeO2-δ固体电解质的电导率.当测试温度低于695℃时,阻抗谱由2个变形的半圆弧组成;而高温时仅有1个变形的半圆弧.固体电解质的晶格电导率、晶界电导率和总电导率与测试温度的关系服从Arrhenius公式.材料的电导率随成型压力的增大先增大,然后减小.随烧结温度的升高,材料电导率是升高的. 展开更多

关键词 掺杂ceo2-δ 电导率 固体电解质 交流阻抗谱

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Sm_2O_3掺杂CeO_2纳米晶的制备及其生长动力学 被引量：2

10

作者 赵新颖 侯书恩 +2 位作者 庞松 黄玉娟 许亮 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期203-207,共5页

本研究以Ce(NO3)3.6H2O和Sm2O3为主要原料,采用共沉淀-喷雾干燥法制备出Sm2O3掺杂CeO2(SDC)的纳米粉末。通过对制得粉体进行DSC-TG、XRD、SEM等表征,研究了SDC纳米晶在煅烧过程中的晶体生长动力学。结果表明:400℃以下,煅烧时间对SDC晶... 本研究以Ce(NO3)3.6H2O和Sm2O3为主要原料,采用共沉淀-喷雾干燥法制备出Sm2O3掺杂CeO2(SDC)的纳米粉末。通过对制得粉体进行DSC-TG、XRD、SEM等表征,研究了SDC纳米晶在煅烧过程中的晶体生长动力学。结果表明:400℃以下,煅烧时间对SDC晶粒尺寸的影响很小,随着温度的升高,其影响逐渐增大,800℃时,煅烧时间对晶粒尺寸的影响很大;但随着煅烧温度的提高,其影响又逐渐减小,在1000℃时,晶粒粒径随着煅烧时间的延长,不再发生变化。根据晶体生长动力学方程,SDC的晶体生长机制在不同温度条件下存在一定差异,在低温下(300-400℃),界面反应占主导;中温下(500℃左右),纳米效应、界面反应与扩散传质的共同作用;高温下(600-800℃),体现为扩散传质。 展开更多

关键词 纳米晶 Sm掺杂ceo2 生长动力学

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草酸共沉淀法制备Sm掺杂CeO2粉末研究 被引量：1

11

作者 孙明涛 孙俊才 +1 位作者 季世军 李嵩 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期956-959,964,共5页

采用草酸盐共沉淀法制备Sm2O3掺杂CeO2粉末(SDC),XRD分析结果表明为纯相的Sm2O3掺杂CeO2(SDC)固溶体.采用XRD、SEM、TG/DSC、激光粒度分析仪等对粉末的性质和制备工艺条件进行了研究.通过优化沉淀反应pH值,草酸溶液浓度和沉淀物的煅烧... 采用草酸盐共沉淀法制备Sm2O3掺杂CeO2粉末(SDC),XRD分析结果表明为纯相的Sm2O3掺杂CeO2(SDC)固溶体.采用XRD、SEM、TG/DSC、激光粒度分析仪等对粉末的性质和制备工艺条件进行了研究.通过优化沉淀反应pH值,草酸溶液浓度和沉淀物的煅烧温度等制备工艺条件,得到高烧结活性的SDC粉末,沉淀反应pH值为6～7,草酸浓度为0.3mol·L-1形成的草酸沉淀物在700℃煅烧的氧化物粉末,1350℃烧结可以达到95%的理论密度. 展开更多

关键词 固体电解质 掺杂ceo2 草酸共沉淀

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CeO_2掺杂BaTiO_3基X7R材料的介温特性 被引量：3

12

作者 李弢 李龙土 桂治轮 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第B05期55-56,共2页

研究了CeO2 与Nb2 O5 和Co2 O3共掺杂的BaTiO3基X7R材料的介温特性。系统在X7R温度范围内体现出高介 (>4 0 0 0 )、稳定、低损耗 (<2 % )的特点。介电温谱表明相同工艺条件下 ,CeO2 含量增加可提高室温介电常数和介温变化率 ;适... 研究了CeO2 与Nb2 O5 和Co2 O3共掺杂的BaTiO3基X7R材料的介温特性。系统在X7R温度范围内体现出高介 (>4 0 0 0 )、稳定、低损耗 (<2 % )的特点。介电温谱表明相同工艺条件下 ,CeO2 含量增加可提高室温介电常数和介温变化率 ;适当提高预烧温度有助于介温谱的平化 ,且其介温特性表现出更为明显的多峰效应。系统可在 12 2 0～ 12 4 0℃的较低温度下烧成。 展开更多

关键词 X7R BATIO3 升温特性 低温烧结 ceo2掺杂 钛酸钡

全文增补中

稀土元素Gd掺杂CeO_2(111)面储释氧性能的第一性原理研究 被引量：1

13

作者 常培荣 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期492-498,共7页

本文采用第一性原理平面波超软赝势方法,研究了Gd掺杂Ce O2改性材料应用于固体氧化物电池电解质时的表面储释氧性能.对比研究了三种表面覆盖率Ce1-xGdxO2(x=0,0.10,0.15)下掺杂元素Gd对Ce O2的晶体结构、电子结构、氧缺陷形成过程以及... 本文采用第一性原理平面波超软赝势方法,研究了Gd掺杂Ce O2改性材料应用于固体氧化物电池电解质时的表面储释氧性能.对比研究了三种表面覆盖率Ce1-xGdxO2(x=0,0.10,0.15)下掺杂元素Gd对Ce O2的晶体结构、电子结构、氧缺陷形成过程以及表面积碳过程的影响.计算给出了相应掺杂比例下的氧缺陷形成能以及晶体表面吸附石墨烯的吸附能;结果表明:随着掺杂量的增大,氧缺陷形成能减小,晶体表面对石墨烯的吸附能增大;分析掺杂前后改性催化材料的电子结构的变化;说明Gd掺杂会导致Ce O2晶体表面结构畸变收缩,有效活化表面氧,同时利用化学平衡原理证明了Gd掺杂后的催化材料可以有效抑制表面碳沉积.从理论的角度解释了Gd掺杂Ce O2改性材料在固体氧化物电解质应用中的优势. 展开更多

关键词 Gd掺杂ceo2 表面储释氧能力 第一性原理

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沉积温度对Gd掺杂CeO_2电解质薄膜生长及电学特性的影响 被引量：3

14

作者 马小叶 姜雪宁 +3 位作者 孟宪芹 庞胜利 孟昕 张庆瑜 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期912-916,共5页

采用反应射频磁控溅射技术,在非晶石英衬底上不同温度下制备了纳米多晶Gd掺杂CeO_2(简称GDC)氧离子导体电解质薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜对薄膜物相、晶粒大小、生长形貌进行了表征,利用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜的电学性能.... 采用反应射频磁控溅射技术,在非晶石英衬底上不同温度下制备了纳米多晶Gd掺杂CeO_2(简称GDC)氧离子导体电解质薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜对薄膜物相、晶粒大小、生长形貌进行了表征,利用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜的电学性能.结果表明,GDC薄膜生长取向随沉积温度而变化:300～400℃时为强(111)织构生长,而500～600℃时薄膜趋于无规则生长;随着沉积温度的升高,薄膜的生长形貌由同一取向的大棱形生长岛转变为密集球形小生长岛;GDC多晶薄膜的电导活化能约为1.3eV,接近于晶界电导活化能值,说明GDC交流阻抗主要源于晶界的贡献;晶界空间电荷效应导致GDC薄膜电导率随晶粒尺寸而变化,晶粒尺寸越小,电导率越大. 展开更多

关键词 Gd掺杂ceo2电解质薄膜 反应磁控溅射 薄膜生长 电学特性

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Cu在Zr掺杂CeO_2(111)表面吸附特性的第一性原理研究 被引量：2

15

作者 殷岩 陈留定 +5 位作者 朱川川 靳义华 秦天明 张岩星 路战胜 杨宗献 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期819-823,共5页

采用第一原理计算方法,计算并分析了Cu在Zr掺杂的CeO2(111)表面吸附的吸附能及所形成的Cu/Ce0.75Zr0.25O2(111)界面体系的吸附结构和电子结构.结果表明:1)Cu在Ce0.75Zr0.25O2(111)表面上邻近Zr原子的次层O的顶位吸附最强;2)Zr的掺杂增强... 采用第一原理计算方法,计算并分析了Cu在Zr掺杂的CeO2(111)表面吸附的吸附能及所形成的Cu/Ce0.75Zr0.25O2(111)界面体系的吸附结构和电子结构.结果表明:1)Cu在Ce0.75Zr0.25O2(111)表面上邻近Zr原子的次层O的顶位吸附最强;2)Zr的掺杂增强了Cu与CeO2衬底的作用;3)Cu的吸附在Ce0.75Zr0.25O2(111)表面的O2p-Ce4f态之间引入了新的间隙态,这些间隙态主要来自于Cu3d与衬底O2p的杂化作用,这是Cu与Ce0.75Zr0.25O2有较强作用的主要原因;4)吸附的Cu被Ce0.75Zr0.25O2氧化为Cuδ+,并伴随着表面Ce4+→Ce3+的转化,该反应可以总结为:Cu/Ce4+→Cuδ+/Ce3+. 展开更多

关键词 Zr掺杂ceo2 CU 吸附特性 密度泛函理论

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水热法制备Co掺杂CeO_2纳米晶的微观形貌及磁学性能研究

16

作者 阳生红 张曰理 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期2307-2312,共6页

以Ce(NO_3)_3·6H_2O和Co(NO_3)_3·6H_2O为原料,Na_3PO_4·12H_2O为沉淀剂,用水热法制备了不同浓度Co掺杂的CeO_2纳米晶。利用XRD、Raman、SEM、PPMS等测试手段研究纳米晶的晶体结构、微观形貌和磁学性能。XRD和Raman研究... 以Ce(NO_3)_3·6H_2O和Co(NO_3)_3·6H_2O为原料,Na_3PO_4·12H_2O为沉淀剂,用水热法制备了不同浓度Co掺杂的CeO_2纳米晶。利用XRD、Raman、SEM、PPMS等测试手段研究纳米晶的晶体结构、微观形貌和磁学性能。XRD和Raman研究结果表明,不同浓度Co掺杂的CeO_2纳米晶仍保持纯CeO_2的立方莹石结构。没有出现Co以及Co氧化物的特征峰,说明Co掺杂替换了CeO_2中的Ce晶格位。XRD的特征峰未出现明显的平移,Co掺杂导致CeO_2的晶格畸变也不明显。SEM研究发现纳米晶的形状都是棱长约为600~800 nm的八面体,Co掺杂CeO_2纳米晶的微观形貌与Co掺杂浓度存在明显关系,随着Co掺杂浓度的增加,八面体的棱从清晰变为模糊,各个面从光滑变为粗糙。PPMS测量表明所有样品都表现出室温铁磁性,随着Co掺杂浓度的增加,饱和磁化强度先增加后减小,5%Co掺杂CeO_2纳米晶具有最大的饱和磁化强度。不同Co掺杂浓度导致纳米晶的磁性有了明显的变化,可见通过改变Co掺杂浓度可以调制纳米晶的室温铁磁性能。 展开更多

关键词 CO掺杂ceo2 水热法 微观形貌 铁磁性

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CeO2基固溶体对Mg2Ni合金储氢动力学性能的影响研究 被引量：2

17

作者 张国芳 张羊换 +2 位作者 刘卓承 许剑轶 张胤 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期1241-1245,共5页

采用水热法合成纳米Ce1-x(Eu0.5La0.5)xO2及Ce1-x(Fe0.5La0.5)xO2固溶体,通过结构及光谱性能分析表征了掺杂效应。与纯CeO2相比,CeO2基固溶体的晶胞参数变大,紫外漫反射的吸收边发生移动,拉曼光谱的F2g特征振动峰向低波数方向移动。将... 采用水热法合成纳米Ce1-x(Eu0.5La0.5)xO2及Ce1-x(Fe0.5La0.5)xO2固溶体,通过结构及光谱性能分析表征了掺杂效应。与纯CeO2相比,CeO2基固溶体的晶胞参数变大,紫外漫反射的吸收边发生移动,拉曼光谱的F2g特征振动峰向低波数方向移动。将掺杂固溶体作为添加剂与Mg2Ni合金混合进行球磨处理,对得到的复合材料进行结构及储氢动力学表征。XRD结果表明,复合材料的纳米晶比例升高。储氢动力学测试结果表明,固溶体添加剂使材料表面反应的可逆程度得到优化,Mg2Ni合金体内的氢原子扩散速率及氢扩散系数也得到了提高。 展开更多

关键词 掺杂ceo2基固溶体 MG2NI 球磨 储氢性能

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掺杂Ce基Ce_(0.8)Sm_xY_(0.2-x)O_(1.9)(0≤x≤0.2)电解质的电性能

18

作者 葛林 周明 +1 位作者 李瑞锋 郭露村 《南京工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2012年第3期14-19,共6页

采用固相反应法制备Ce0.8SmxY0.2-xO1.9Zn0.01(0≤x≤0.2)电解质试样。着重考察不同掺杂配比对材料整体导电性能的影响,另外ZnO对材料电性能的影响也进行了探讨。采用X线衍射(XRD)、Archimede排水法、热膨胀测量法和交流阻抗分析对试样... 采用固相反应法制备Ce0.8SmxY0.2-xO1.9Zn0.01(0≤x≤0.2)电解质试样。着重考察不同掺杂配比对材料整体导电性能的影响,另外ZnO对材料电性能的影响也进行了探讨。采用X线衍射(XRD)、Archimede排水法、热膨胀测量法和交流阻抗分析对试样的性能进行表征。结果表明:Sm和Y共掺杂能提高CeO2基电解质的电性能。其中1 550℃烧结的Ce0.8Sm0.18Y0.02O1.9在300～700℃具有最高的离子电导率。添加ZnO可以有效地降低烧结温度,在1 500℃所有试样均烧结致密。ZnO的加入可以提高材料的晶界电性能。 展开更多

关键词 固体氧化物燃料电池 电解质 共掺杂ceo2 ZnO 烧结性能 离子电导率

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0.5xSm_2O_3-(1-x)CeO_2的晶体结构及其晶格热膨胀行为 被引量：1

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作者 王体珏 张锦化 +3 位作者 柯昌明 吴红丹 于吉顺 王景然 《陶瓷学报》 北大核心 2017年第6期919-924,共6页

采用化学共沉淀-高温煅烧方法制备了0.5x Sm_2O_3-(1-x)Ce O_2(x=0-1.0)系列陶瓷粉体,并采用XRD方法对其进行了表征。随着x值的增大,陶瓷粉体的结构从单一的萤石结构转变为萤石结构与C-型立方结构共存,最后转变为单斜结构。具有萤石结... 采用化学共沉淀-高温煅烧方法制备了0.5x Sm_2O_3-(1-x)Ce O_2(x=0-1.0)系列陶瓷粉体,并采用XRD方法对其进行了表征。随着x值的增大,陶瓷粉体的结构从单一的萤石结构转变为萤石结构与C-型立方结构共存,最后转变为单斜结构。具有萤石结构的固溶体的晶胞参数随着掺杂量x值的增加而增大,在实验研究基础上建立了计算晶胞参数的经验公式。采用高温原位XRD技术研究了具萤石结构Sm_xCe_(1-x)O_(2-0.5x)固溶体的晶格热膨胀行为,晶胞参数随着温度的增加而近似线性的增加,室温-1200℃的平均热膨胀系数达到12.5×10^(-6) K^(-1)。 展开更多

关键词 Sm掺杂ceo2 晶体结构 晶格热膨胀中图文

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掺杂对氧化钛薄膜光学性能的影响 被引量：1

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作者 李云 王六定 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期15-17,共3页

采用电子束蒸发法制备掺杂铈的TiO2薄膜,研究掺杂铈对TiO2薄膜的折射率、透射率和禁带宽度的影响。实验发现适量掺杂CeO2会提高薄膜的折射率;并使氧化钛薄膜的禁带宽度Eg从3.27eV减小到2.51eV,从而使光本征吸收边从380nm红移到495nm,大... 采用电子束蒸发法制备掺杂铈的TiO2薄膜,研究掺杂铈对TiO2薄膜的折射率、透射率和禁带宽度的影响。实验发现适量掺杂CeO2会提高薄膜的折射率;并使氧化钛薄膜的禁带宽度Eg从3.27eV减小到2.51eV,从而使光本征吸收边从380nm红移到495nm,大大提高了对太阳光的利用能力。 展开更多

关键词 电子束蒸发 TIO2薄膜 ceo2掺杂 折射率 禁带宽度

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