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高温闪烁晶体Ce∶LSO的生长研究被引量：9: 1; 作者崔素贤郑燕青 +2 位作者施尔畏路治平仲维卓《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期521-524,共4页; Ce∶LSO晶体具有优良的闪烁性能 ,其主要特点是光产额大、发光衰减时间快、密度大、有效原子序数大、辐射长度短、发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配 ,在γ射线探测方面有着广泛的应用。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶LSO晶体 ... 展开更多; 关键词铈晶体生长提拉法激发发射谱高温闪烁晶体 ce:lso 研究; 在线阅读下载PDF 职称材料

固相混合法制备Ce:LSO粉体的研究被引量：1: 2; 作者蒋成勇陈红兵周昌勇《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1088-1091,共4页; 采用高纯氧化镥、氧化硅及氧化铈粉体混合后分别在600℃、900℃及1200℃进行煅烧2h,当煅烧温度为1200℃时,有少量硅酸镥生成,但仍有大量氧化镥和氧化硅残留,制备出的粉体颗粒呈不规则状,带有较尖锐的棱角,而且随着反应温度的升高,有明... 展开更多; 关键词掺铈硅酸镥固相混合法粉体光潜; 在线阅读下载PDF 职称材料

Ce∶LSO多晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能被引量：5: 3; 作者沈思情许志斌 +4 位作者马清谢建军施鹰袁晖熊巍《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期880-884,共5页; 采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、真空紫外光谱(VUV)及椭偏(SE)测试对Ce∶Lu2SiO5薄膜的物相、形貌、发光性质... 展开更多; 关键词溶胶-凝胶法 ce∶lso薄膜发光真空紫外光谱光学常数; 在线阅读下载PDF 职称材料

LSO晶体及阵列加工技术研究被引量：3: 4; 作者李德辉徐扬 +4 位作者尹红蒋春健胡吉海赵晓东冯大建《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第3期408-411,共4页; 闪烁体和闪烁探测器在工业、医学及某些核物理实验、地质探矿、安全检查和材料探伤等领域应用广泛。掺铈硅酸镥(Ce∶LSO)是一种高密度、高原子序数的闪烁晶体,因其对X线具有响应时间快,发光产额高,且具有一定的能量分辨率,不易潮解,对... 展开更多; 关键词 ce lso闪烁晶体切割抛光晶体阵列加工; 在线阅读下载PDF 职称材料

多晶Lu_2SiO_5∶Ce发光粉体中Ce价态的XANES表征及其VUV光谱特性: 5; 作者范灵聪张瑜瑜 +3 位作者张园施鹰谢建军雷芳《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1027-1033,共7页; 采用X射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)发光粉体中Ce元素的化合价状态进行了表征,结果表明:在空气下煅烧后得到的不同Ce掺杂浓度的LSO∶Ce粉体中,Ce3+在总掺杂Ce中的含量仅为18%~39%;而经1 000℃/2 h的氢气气氛下... 展开更多; 关键词 lso∶ce 化合价 X-射线吸收近边结构 VUV光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高温闪烁晶体Ce∶LSO的生长研究被引量：9: 1; 作者崔素贤郑燕青施尔畏路治平仲维卓; 机构中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期521-524,共4页; 基金国家自然科学基金 (No .5 9832 0 80 ) 国家"86 3"计划 (2 0 0 2AA32 40 70 )资助项目; 文摘 Ce∶LSO晶体具有优良的闪烁性能 ,其主要特点是光产额大、发光衰减时间快、密度大、有效原子序数大、辐射长度短、发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配 ,在γ射线探测方面有着广泛的应用。我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶LSO晶体 ,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及籽晶熔断问题 ,并对晶体生长过程中的表面重熔、晶体着色及Ce的偏析等现象作了讨论。荧光光谱分析表明晶体最大激发波长为 35 3nm ,发射峰由 391nm和 42 5nm处两个峰组成 ,吸收谱则显示晶体在 2 0 9～ 370nm之间具有多个吸收峰。; 关键词铈晶体生长提拉法激发发射谱高温闪烁晶体 ce:lso 研究; Keywords ce∶lso scintillation crystal Czochralski method excitation emission spectra; 分类号 O782.5 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名固相混合法制备Ce:LSO粉体的研究被引量：1: 2; 作者蒋成勇陈红兵周昌勇; 机构宁波大学固体化学研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1088-1091,共4页; 基金浙江省教育厅科研项目(No.20040980)资助; 文摘采用高纯氧化镥、氧化硅及氧化铈粉体混合后分别在600℃、900℃及1200℃进行煅烧2h,当煅烧温度为1200℃时,有少量硅酸镥生成,但仍有大量氧化镥和氧化硅残留,制备出的粉体颗粒呈不规则状,带有较尖锐的棱角,而且随着反应温度的升高,有明显的团聚现象。在对1200℃煅烧粉体的光谱检测中发现了266nm吸收宽峰,位于381nm的荧光发射峰,位于298nm处的荧光激发峰,与硅酸镥单晶相比,各峰位置有所偏移。; 关键词掺铈硅酸镥固相混合法粉体光潜; Keywords ce ： lso mixing oxides solid method powders spectrum; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Ce∶LSO多晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能被引量：5: 3; 作者沈思情许志斌马清谢建军施鹰袁晖熊巍; 机构上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系中国科学院上海硅酸盐研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期880-884,共5页; 基金上海市自然科学基金(10ZR1411400) 上海科委基础研究重点项目(9JC1406500) +1 种基金上海市重点学科(S30107) 上海大学2011年度研究生创新基金(A16-0110-11-017)资助项目; 文摘采用Pechini溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5)薄膜,利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、真空紫外光谱(VUV)及椭偏(SE)测试对Ce∶Lu2SiO5薄膜的物相、形貌、发光性质和光学常数进行了表征。结果表明:薄膜样品从900℃开始晶化,1 100℃时晶化完全。薄膜表面均匀、平整、无裂纹。真空紫外激发光谱中存在较强的基质发射,发射光谱是一个350～500 nm的宽带谱,宽带中心在400 nm左右。折射率、消光系数分别为1.82～1.94和0.005～0.05,厚度与SEM测试结果相一致。; 关键词溶胶-凝胶法 ce∶lso薄膜发光真空紫外光谱光学常数; Keywords sol-gel method ce∶lso film luminescence VUV spectra optical constants; 分类号 O484.4 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LSO晶体及阵列加工技术研究被引量：3: 4; 作者李德辉徐扬尹红蒋春健胡吉海赵晓东冯大建; 机构中国电子科技集团公司第; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第3期408-411,共4页; 基金重庆市科学技术委员会基金资助项目(CSTC 2010AA4038); 文摘闪烁体和闪烁探测器在工业、医学及某些核物理实验、地质探矿、安全检查和材料探伤等领域应用广泛。掺铈硅酸镥(Ce∶LSO)是一种高密度、高原子序数的闪烁晶体,因其对X线具有响应时间快,发光产额高,且具有一定的能量分辨率,不易潮解,对中子灵敏度低等独特优点,被认为是迄今为止综合性能最好的闪烁体。随着闪光X线摄影技术的发展,对小像素大面积Ce∶LSO闪烁晶体阵列加工提出了更高要求,从而给晶体阵列像素的加工造成困难。其阵列像素表面的切割、研磨、抛光等加工质量将直接影响后续晶体阵列组装,甚至影响到探测器件的质量和使用寿命。该文结合Ce∶LSO闪烁晶体的基本性质,对晶体的切割、研磨、抛光及阵列组装技术进行大量的实验和改进,通过控制合适的工艺参数,采用特殊的加工方法成功加工出高质量的Ce∶LSO闪烁晶体阵列。; 关键词 ce lso闪烁晶体切割抛光晶体阵列加工; Keywords ce ： lso scintilla crystal cutting polishing crystal array finishing; 分类号 TN804 [电子电信—信息与通信工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多晶Lu_2SiO_5∶Ce发光粉体中Ce价态的XANES表征及其VUV光谱特性: 5; 作者范灵聪张瑜瑜张园施鹰谢建军雷芳; 机构上海大学材料科学与工程学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1027-1033,共7页; 基金国家自然科学基金(51172139)资助项目; 文摘采用X射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)发光粉体中Ce元素的化合价状态进行了表征,结果表明:在空气下煅烧后得到的不同Ce掺杂浓度的LSO∶Ce粉体中,Ce3+在总掺杂Ce中的含量仅为18%~39%;而经1 000℃/2 h的氢气气氛下退火后,LSO∶0.5%Ce粉体中Ce3+的相对含量由39%大幅提高到83%。真空紫外(VUV)激发发射光谱表明:当Ce的掺杂摩尔分数为0.25%~1%时,Ce3+的摩尔分数与LSO∶Ce粉体的发光强度具有很好的关联性。氢气退火处理可以使LSO∶Ce粉体的发光强度提高近40%。LSO∶Ce粉体在变温条件(50~250 K)下的发射强度表现出良好的稳定性,未观察到热猝灭现象发生。; 关键词 lso∶ce 化合价 X-射线吸收近边结构 VUV光谱; Keywords lso∶ ce valence state XANES VUV spectra; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	高温闪烁晶体Ce∶LSO的生长研究	崔素贤郑燕青施尔畏路治平仲维卓	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2002	9	在线阅读下载PDF 职称材料
2	固相混合法制备Ce:LSO粉体的研究	蒋成勇陈红兵周昌勇	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2005	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Ce∶LSO多晶薄膜的溶胶-凝胶法制备及其发光性能	沈思情许志斌马清谢建军施鹰袁晖熊巍	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	LSO晶体及阵列加工技术研究	李德辉徐扬尹红蒋春健胡吉海赵晓东冯大建	《压电与声光》 CSCD 北大核心	2013	3	在线阅读下载PDF 职称材料
5	多晶Lu_2SiO_5∶Ce发光粉体中Ce价态的XANES表征及其VUV光谱特性	范灵聪张瑜瑜张园施鹰谢建军雷芳	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料