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CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究
被引量：
1
1
作者
林占文
韩福忠
+5 位作者
李雄军
耿松
史琪
胡彦博
杨超伟
林阳
《红外技术》
CSCD
北大核心
2018年第8期733-738,共6页
采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后...
采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后,沉积速率显著增加,由3.5 nm/min增加到了9.5 nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×10^(11) cm^(—2)增大到了2.83×10^(11) cm^(—2);慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大。
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关键词
长波碲镉汞
溅射功率
cdte钝化膜
界面电学特性
I-V
C-V
在线阅读
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职称材料
题名
CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究
被引量：
1
1
作者
林占文
韩福忠
李雄军
耿松
史琪
胡彦博
杨超伟
林阳
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2018年第8期733-738,共6页
文摘
采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后,沉积速率显著增加,由3.5 nm/min增加到了9.5 nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×10^(11) cm^(—2)增大到了2.83×10^(11) cm^(—2);慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大。
关键词
长波碲镉汞
溅射功率
cdte钝化膜
界面电学特性
I-V
C-V
Keywords
long wavelength Hg
cdte
sputtering power
cdte
passivation film
I-V
C-V
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究
林占文
韩福忠
李雄军
耿松
史琪
胡彦博
杨超伟
林阳
《红外技术》
CSCD
北大核心
2018
1
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