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题名CdTe单晶的电学测试
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作者
张传平
杨柏樑
黄锡珉
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机构
中国科学院长春物理研究所
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出处
《人工晶体学报》
CSCD
1991年第3期381-381,共1页
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文摘
通过测试Al杂质在CdTe单晶中的电学行为,讨论了升华法制得的CdTe单晶的电学特性。本实验在不同的温度下,通过热扩散将Al杂质掺入到原生CdTe单晶中,并对得到的样品进行了77-300K温度范围内的霍尔测试。实验采用的是Van de Pauw法。
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关键词
霍尔测试
Al杂质
热扩散
cdte单晶
电学测试
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分类号
O782
[理学—晶体学]
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题名CdTe单晶生长动力学研究
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作者
杨柏粱
张传平
黄锡珉
于锡玲
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机构
中国科学院长春物理研究所
山东大学晶体材料研究所
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出处
《人工晶体学报》
CSCD
1991年第3期222-222,共1页
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文摘
本实验基于远场夫朗和费单缝衍射原理,采用了激光衍射计量技术,在闭管无籽晶升华法制备CdTe晶体的实验中,在晶体的实际生长条件下,实时、连续地测定了其生长速率,实验精度达10m/s。为了满足实验要求,我们设计了具有平面窗口的单晶生长安瓶和生长炉。
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关键词
生长动力学
远场夫朗和费单缝衍射
cdte单晶
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分类号
O78
[理学—晶体学]
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