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CdTe,核-壳型CdTe/CdS及CdTe/ZnS量子点的合成及表征(英文) 被引量:5
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作者 张纪梅 许世超 +3 位作者 宋秀云 代昭 孙波 姚翠翠 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期905-910,共6页
在水相中制备了半导体CdTe纳米晶,核-壳型CdTe/CdS和CdTe/ZnS纳米晶(即量子点;QDs).利用扫描隧道显微镜(STM)和荧光光谱(FS)对合成的纳米晶量子点进行了研究,并且根据FS的数据进行了量子效率的计算.STM的结果表明合成的量子点直径约为3n... 在水相中制备了半导体CdTe纳米晶,核-壳型CdTe/CdS和CdTe/ZnS纳米晶(即量子点;QDs).利用扫描隧道显微镜(STM)和荧光光谱(FS)对合成的纳米晶量子点进行了研究,并且根据FS的数据进行了量子效率的计算.STM的结果表明合成的量子点直径约为3nm并且分布良好.为了提高量子效率,对Cd2+浓度和Cd2+∶S2-比例等反应条件进行了研究,结果表明随着回流时间的增加,核-壳型量子点CdTe/CdS的量子效率总体上呈下降趋势.CdTe/CdS在pH8.5,Cd2+∶S2-=10∶1(摩尔比)时可获得80.0%的最大量子效率.同时制备了核-壳型量子点CdTe/ZnS,其最大发射波长由551nm(CdTe)红移到635nm(CdTe/ZnS)表明量子点的尺寸在增长,但是量子效率下降到14.4%.当前研究的量子点可适用于生物标记,生物成像,以及基于共振能量转移的生物传感研究. 展开更多
关键词 光谱学 合成与表征 cdte/CdS及cdte/zns核-壳型量子点 量子效率
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新型包覆数目可控的(CdTe/ZnS)_nSiO_2微球制备及细胞成像 被引量:1
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作者 钟文英 杨硕 +3 位作者 黄斌 魏霞 吴志珊 许丹科 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2321-2328,共8页
以水相中快速合成的高质量核壳型CdTe/ZnS量子点为核,通过两步Stber法首次制备了硅壳包覆CdTe/ZnS数目可控的量子点微球(CdTe/ZnS)nSiO2,并完成氨基功能化修饰。通过紫外-可见分光光谱、红外光谱、荧光分光光谱、透射电子显微镜、粒... 以水相中快速合成的高质量核壳型CdTe/ZnS量子点为核,通过两步Stber法首次制备了硅壳包覆CdTe/ZnS数目可控的量子点微球(CdTe/ZnS)nSiO2,并完成氨基功能化修饰。通过紫外-可见分光光谱、红外光谱、荧光分光光谱、透射电子显微镜、粒度分析等相关方法对产物进行表征。结果证实:该合成方法不仅简便省时,易于放大生产,而且制备的氨基化微球具有52.1%的高荧光量子产率、稳定性强、生物相容性好。进一步将其用于标记Raw 264.7小鼠单核巨噬细胞和MCF-7人乳腺癌细胞,通过特征性膜成像表现膜电荷的分布,显示其在膜电荷对细胞行为的影响研究方面具有广阔的前景。 展开更多
关键词 (cdte/zns)nSiO2 微球 量子产率 细胞成像
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CdTe/CdS、CdTe/ZnS核壳结构半导体量子点制备及荧光特性 被引量:2
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作者 常青 孟天明 檀恒宇 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第5期64-70,共7页
核壳半导体量子点材料因其在修复单量子点表面缺陷方面的特殊性能,极大地提高了量子点的光学性能而受到人们的研究。改进了CdTe核心的制作方法,使用小型三口瓶替代传统的小烧瓶作为反应容器,制备碲氢化钠,合成了不同核心尺寸、不同壳层... 核壳半导体量子点材料因其在修复单量子点表面缺陷方面的特殊性能,极大地提高了量子点的光学性能而受到人们的研究。改进了CdTe核心的制作方法,使用小型三口瓶替代传统的小烧瓶作为反应容器,制备碲氢化钠,合成了不同核心尺寸、不同壳层厚度与不同壳层材料的10种CdTe/CdS、CdTe/ZnS核壳结构半导体量子点。对10种核壳结构半导体量子点材料进行紫外可见吸收光谱及荧光光谱测试,并分析其荧光特性。量子点在紫外可见波段的吸收光谱表明随着量子点尺寸的增大,吸收峰发生红移。通过实验结果与分析可推断出CdTe/CdS量子点荧光寿命和强度的不同是由于核心和壳层尺寸的不同量子点在I型和II型中相互转换;CdTe/ZnS的壳层厚度增加时,由于ZnS的壳层降低了核心外表的悬空键和表面缺陷态的数量,使电子空穴对复合机率加大,使得荧光峰位产生了红移。 展开更多
关键词 cdte/CdS cdte/zns 核壳量子点 荧光特性
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CdTe/ZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究 被引量:2
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作者 杨朝臣 张冰洁 +5 位作者 杜宇 张传杰 陈晓静 谭必松 周文洪 刘斌 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1118-1122,共5页
开展了Cd Te/Zn S双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究。Cd Te钝化膜经退火热处理后,可实现Cd Te/MCT界面的互扩散,并改善Cd Te钝化膜的质量。通过全湿法腐蚀方法完成了金属化开口,制备了长波碲镉汞600×18@15μm规格线列和640×... 开展了Cd Te/Zn S双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究。Cd Te钝化膜经退火热处理后,可实现Cd Te/MCT界面的互扩散,并改善Cd Te钝化膜的质量。通过全湿法腐蚀方法完成了金属化开口,制备了长波碲镉汞600×18@15μm规格线列和640×512@15μm规格面阵。线列I-V测试表明:Cd Te/Zn S双层钝化膜能有效地减少长波碲镉汞器件的表面漏电流,器件的反向结特性良好。面阵在77K测试:NETD 26.7 m K,有效像元率95.4%,并对室温目标进行了凝视成像。测试过程出现了4%左右由噪声引起的零散盲元,是由芯片面阵局部钝化失效引起的,表明钝化膜沉积工艺及芯片加工工艺尚有改进的空间。 展开更多
关键词 碲镉汞 长波红外 cdte/zns双层钝化 探测器
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碲镉汞高温中波红外探测器的制备研究 被引量:7
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作者 杨朝臣 张冰洁 +5 位作者 杜宇 陈晓静 周文洪 刘斌 黄立 张传杰 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期204-208,共5页
采用CdTe/ZnS双层钝化工艺制备了640×512@15μm碲镉汞中波探测器。研究了退火温度对CdTe/MCT界面及CdTe钝化膜质量的影响。经测试表明:本公司制备的碲镉汞HOT中波探测器可以在125 K稳定工作,但与国外的先进技术相比仍存在差距,需要... 采用CdTe/ZnS双层钝化工艺制备了640×512@15μm碲镉汞中波探测器。研究了退火温度对CdTe/MCT界面及CdTe钝化膜质量的影响。经测试表明:本公司制备的碲镉汞HOT中波探测器可以在125 K稳定工作,但与国外的先进技术相比仍存在差距,需要在MCT材料改进和器件加工工艺上继续深入研究,才能提高探测器的工作温度和稳定性。 展开更多
关键词 碲镉汞 高温中波 cdte/zns双层钝化 红外探测器
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