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CdSe晶体倍频光学参数及元件加工研究 被引量:5
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作者 曾体贤 赵北君 +3 位作者 朱世富 何知宇 陈宝军 卢大洲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1068-1072,共5页
对红外非线性光学晶体CdSe的倍频光学参数及其元件加工进行了研究。根据非线性光学原理和折射率色散关系,从理论上计算出CdSe晶体的有效非线性系数和倍频元件相位匹配角与基频光波长(5.5~10.0μm)的调谐特性曲线,从实验上探索到一种通... 对红外非线性光学晶体CdSe的倍频光学参数及其元件加工进行了研究。根据非线性光学原理和折射率色散关系,从理论上计算出CdSe晶体的有效非线性系数和倍频元件相位匹配角与基频光波长(5.5~10.0μm)的调谐特性曲线,从实验上探索到一种通过解理试验和XRD定向测试,快速确定其光轴方向的晶体定向新方法。结果表明,CdSe晶体在Ⅱ类相位匹配条件下的有效非线性系数deff为d15sinθ,倍频转换效率与方位角无关;在Ⅰ类相位匹配条件下其有效非线性系数deff恒等于0,无倍频输出。根据理论计算结果,运用定向新方法,针对VUVG法生长出的外观无方向特征的CdSe晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出基频波长为9.6μm的CdSe晶体Ⅱ类相位匹配倍频元件,尺寸达9.5mm×9.5mm×18mm。 展开更多
关键词 cdse晶体 相位匹配 单晶定向 元件加工
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