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CdS和Bi_2Se_3量子点共敏化TiO_2光电极用于光解水制氢研究 被引量:1
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作者 王壮坤 杨志广 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期190-192,共3页
采用化学气相沉积法将CdS、Bi2Se3量子点沉积在TiO2纳米棒阵列上,组装成光电极,采用XRD对CdS/TiO2、Bi2Se3/TiO2电极进行结构测试,并用SEM、TEM对3个电极进行形貌测试。Na2S/Na2SO3溶液中,测试几个光电极的光解水制氢能力,结果表明:Bi2S... 采用化学气相沉积法将CdS、Bi2Se3量子点沉积在TiO2纳米棒阵列上,组装成光电极,采用XRD对CdS/TiO2、Bi2Se3/TiO2电极进行结构测试,并用SEM、TEM对3个电极进行形貌测试。Na2S/Na2SO3溶液中,测试几个光电极的光解水制氢能力,结果表明:Bi2Se3/CdS/TiO2电极产生的氢气量最大。进一步分析光电极的光电化学性能,得出Bi2Se3/CdS/TiO2电极的光电流是TiO2电极的20倍,是CdS/TiO2、Bi2Se3/TiO2电极的2倍,说明CdS量子点、Bi2Se3量子点共敏化TiO2电极表现出优良的制氢能力。 展开更多
关键词 TiO2纳米棒阵列 cds、bi2se3 quantum-dots共敏化 化学气相沉积法 光解水
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拓扑绝缘体Bi_2Se_3单晶体的研究进展 被引量:8
2
作者 吕莉 张敏 +2 位作者 杨立芹 羊新胜 赵勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期7-12,共6页
拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化... 拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化学掺杂方法对Bi2Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2Se3的研究发展方向。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 晶体生长 bi2se3
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Bi_2Se_3纳米片的制备及表征 被引量:1
3
作者 刘丽君 向卫东 +3 位作者 钟家松 杨昕宇 梁晓娟 刘海涛 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期524-529,共6页
以BiCl3和Se粉为铋源和硒源,Na2SO3为还原剂,在碱性条件下,采用简单的溶剂热法首次在不同溶剂中均合成了Bi2Se3纳米片。探究了不同反应时间片状纳米晶的定向生长特性。通过X射线粉末衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱仪(EDS),... 以BiCl3和Se粉为铋源和硒源,Na2SO3为还原剂,在碱性条件下,采用简单的溶剂热法首次在不同溶剂中均合成了Bi2Se3纳米片。探究了不同反应时间片状纳米晶的定向生长特性。通过X射线粉末衍射(XRD)仪,扫描电子显微镜(SEM),X射线能谱仪(EDS),透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等方法对所得产物的物相结构及形貌进行了表征。结果表明在不同溶剂中所得产物均为纯六方相Bi2Se3纳米片,产物的尺寸及形貌随溶剂变化虽有所不同,但总体为片状形貌,并阐明了片状形貌Bi2Se3的形成与其内部特殊的层状结构密切相关。 展开更多
关键词 bi2se3 纳米片 溶剂热 合成 表征
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(Bi_2Te_3)_(0.90)(Sb_2Te_3)_(0.05)(Sb_2Se_3)_(0.05)熔炼冷压烧结材料的制备及其热电性能的研究 被引量:1
4
作者 王月媛 胡建民 +2 位作者 信江波 吕强 荣剑英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期655-659,共5页
本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能... 本文采用熔炼冷压烧结法制备了n型赝三元(B i2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2Se3)0.05熔炼冷压烧结热电材料,分析了材料的微观结构并测试了材料的热电性能。研究表明:烧结有利于提高材料的热电性能;n型赝三元熔炼冷压烧结热电材料的热电性能沿垂直于冷压压力方向存在优化取向。 展开更多
关键词 (bi2Te3)0.90(Sb2Te3)0.05(Sb2se3)0.05 热电材料 冷压烧结
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少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜电子结构和光学性质理论研究
5
作者 李中军 王安健 +4 位作者 赵伟 王健越 陈实 李国祥 仇怀利 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第9期1280-1283,共4页
文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是... 文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当薄膜厚度从5QL(quintuple layer)逐步变化到1QL时,其费米能级附近的电子态仍然保持线性色散关系;特别是当薄膜厚度减小到2QL和1QL时,由于量子限域效应,体电子态和表面电子态的能隙都明显增大,导致体电子态和表面电子态发生分离,这种分离有利于制备基于1QL和2QL的Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜的自旋电子器件。光吸收系数的计算发现,厚度为5QL、4QL、3QL的薄膜在红外区有1个吸收主峰,吸收边远超出了红外区;当厚度减小到2QL和1QL时,吸收边发生明显蓝移,红外区的吸收峰蓝移且强度明显减小,这表明3QL以上的Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜更适合制备红外光探测器件。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 少层bi 2se 3薄膜 拓扑表面态 量子限域效应 光吸收谱
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掺Mn拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜的制备及其电磁特性研究 被引量:1
6
作者 杜洪洋 徐伟 +3 位作者 宋玲玲 仇怀利 李中军 黄荣俊 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第1期60-63,共4页
文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)法在蓝宝石衬底上制备拓扑绝缘体Bi_2Se_3和掺杂Mn的拓扑绝缘体Bi_2Se_3的异质结薄膜。利用反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffraction,RHEED)和X射线衍射仪(X-ra... 文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)法在蓝宝石衬底上制备拓扑绝缘体Bi_2Se_3和掺杂Mn的拓扑绝缘体Bi_2Se_3的异质结薄膜。利用反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffraction,RHEED)和X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)对不同条件制备的样品晶相进行分析,获得最优的制备参数,主要包括衬底温度为390℃、Bi和Se的流量比为1∶10以及Mn流量对应的温度为590℃;利用综合物性测量系统(physical property measurement system,PPMS)测量了样品的温度电阻、磁电阻和霍尔电阻。测量结果表明,与纯Bi_2Se_3薄膜相比,Bi_2Se_3和掺杂Mn的Bi_2Se_3构成的异质结薄膜的电阻随温度的升高表现出金属性-绝缘性的转变和更强的磁阻特性,而且由于异质层间的近邻效应导致异质薄膜表现出p型导电特性。 展开更多
关键词 分子束外延(MBE) bi 2se 3异质薄膜 霍尔电阻 磁电阻
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衬底温度对Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜生长影响的研究 被引量:1
7
作者 王军 王安健 +4 位作者 杜洪洋 徐伟 宋玲玲 仇怀利 李中军 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2017年第11期1581-1584,共4页
文章利用分子束外延方法在蓝宝石衬底上制备Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜,研究衬底温度对薄膜生长质量的影响。首先对370、380、390、400℃衬底温度下生长的Bi_2Se_3薄膜样品,利用反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffra... 文章利用分子束外延方法在蓝宝石衬底上制备Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜,研究衬底温度对薄膜生长质量的影响。首先对370、380、390、400℃衬底温度下生长的Bi_2Se_3薄膜样品,利用反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffraction,RHEED)、原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)进行表面形貌的表征;利用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)和X射线能谱仪(energy dispersive X-ray spectroscopy,EDS)对样品的晶相和化学组分进行分析筛样。结果表明,衬底温度为390℃时制备的Bi_2Se_3薄膜表面平整、成分接近理想配比、结晶质量较好。最后利用综合物性测量系统测量了最佳衬底温度制备的样品的电学性质,表明样品为n型拓扑绝缘体薄膜。 展开更多
关键词 bi2se3 拓扑绝缘体 分子束外延 X射线衍射仪(XRD) 反局域化效应
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TiO2/Bi2Se3复合材料的制备及光电化学性能 被引量:1
8
作者 王超帅 仇怀利 +3 位作者 李思寒 张栋 沈周阳 李中军 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期52-57,共6页
以二氧化钛(TiO2)为衬底,利用分子束外延(MBE)法制备了高质量的拓扑绝缘体硒化铋(Bi2Se3)薄膜。实验中,Bi与Se的流量比控制在1∶10左右,制得的薄膜厚度约为50 nm。利用反射高能电子衍射仪,对在TiO2(001)衬底上生长的Bi2Se3薄膜样品表面... 以二氧化钛(TiO2)为衬底,利用分子束外延(MBE)法制备了高质量的拓扑绝缘体硒化铋(Bi2Se3)薄膜。实验中,Bi与Se的流量比控制在1∶10左右,制得的薄膜厚度约为50 nm。利用反射高能电子衍射仪,对在TiO2(001)衬底上生长的Bi2Se3薄膜样品表面进行原位表征,可以看到清晰明亮的衍射条纹。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计和电化学工作站等测试手段对TiO2/Bi2Se3的晶体结构、表面形貌、光学和光电化学性质进行表征。结果表明,经Bi2Se3改性后的TiO2薄膜,在可见-红外区仍有较强的吸收峰,与纯TiO2薄膜相比,大大提高了其对太阳光的吸收利用率。在Bi2Se3和TiO2上分别蒸镀铟电极和金电极,将其制成光伏型光电探测器,并测试了样品在不同波长激光下的光响应特性及高频响应速度。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 硒化铋(bi2se3) 二氧化钛(TiO2) 分子束外延(MBE) 光响应
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气相传输法制备大尺寸单晶Bi_2Se_3纳米片、纳米带
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作者 李小帅 王增梅 +5 位作者 朱鸣芳 王善朋 陶绪堂 陆骏 陈兴涛 徐佳乐 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1199-1203,共5页
低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料,在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi2Se3... 低维Bi2Se3纳米材料是最新研究发现的一种新型三维拓扑绝缘体材料,在微电子器件和传感器领域具有广阔的应用前景。本研究采用气相传输法在真空石英管中合成了大尺寸单晶Bi2Se3纳米片、纳米带。通过XRD、EDS、Raman、SEM等手段对Bi2Se3纳米片、纳米带的物相结构、组成、表面形貌等进行表征。测试结果表明:气相传输法合成的单晶Bi2Se3纳米片、纳米带相纯度高,结晶性能好,均是{001}取向;Bi2Se3纳米片水平尺寸大,约为15--180μm;Bi2Se3纳米带长度达860μm,宽度约5μm。根据不同温度下制备的Bi2Se3纳米片、纳米带SEM照片及其不同方向结合能的差异,分析了其可能的生长机制:在较高温度下沿〈001〉和〈1010〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米片;在较低温度下,沿〈1120〉方向生长速度快,生成大尺寸单晶Bi2Se3纳米带。这些研究结果完善了大尺寸Bi2Se3纳米材料的制备工艺,有望在微电子器件领域得到商业化应用。 展开更多
关键词 气相传输法 bi2se3纳米片 bi2se3纳米带
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单层Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜电子结构与光学性质的理论研究
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作者 陈实 李国祥 +2 位作者 宋玲玲 仇怀利 李中军 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第12期1647-1651,共5页
文章利用第一性原理计算研究了厚度为1QL(quintuple layer)的Bi_2Se_3单层薄膜的成键特点、电子结构和光学性质。电荷密度差分分析表明,1QL薄膜内Bi与Se原子层间除表现为强度不同的共价键成分外,还有电荷转移引起的弱的离子键成分。光... 文章利用第一性原理计算研究了厚度为1QL(quintuple layer)的Bi_2Se_3单层薄膜的成键特点、电子结构和光学性质。电荷密度差分分析表明,1QL薄膜内Bi与Se原子层间除表现为强度不同的共价键成分外,还有电荷转移引起的弱的离子键成分。光学性质计算表明,薄膜的光学性质表现出不同于体相的特征。介电函数虚部在低能区和高能区分别出现2个多峰结构,而且相对于体相,2个多峰结构分别发生明显的蓝移和红移现象。低能区的蓝移与近期的实验结果是一致的,而高能区的红移是首次预测的。结合电子结构计算,把蓝移和红移归因于表面电子态之间以及表面与体电子态之间耦合作用所致。此外,相对于体相,在介电函数实部和电子能量损失谱中也观察到峰位移动,而且反射系数的多峰结构的能量分布范围比较广,表明薄膜具有较低的光学透明度。 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 bi2se3薄膜 电子结构 光学性质 蓝移
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Te元素掺杂Bi_2Se_3拓扑绝缘体纳米线的反弱局域效应(英文)
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作者 田锋 周远明 +7 位作者 张小强 魏来明 梅菲 徐进霞 蒋妍 吴麟章 康亭亭 俞国林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期270-275,共6页
采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi_2Se_3和Bi_2(Te_xSe_(1-x))_3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi_2(Te_xSe_(1-x))3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦... 采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi_2Se_3和Bi_2(Te_xSe_(1-x))_3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi_2(Te_xSe_(1-x))3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明,Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合,得到了电子的退相干长度l_φ,l_φ从1.5 K时的389 nm减小至20 K时的39 nm,遵循l_φ∝T^(-0.96)指数变化规律.分析表明,在Te掺杂样品的输运过程中,电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用. 展开更多
关键词 拓扑绝缘体 bi2se3纳米线 反弱局域 退相干长度
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无还原剂一步湿化学反应法合成Bi_2Se_3超薄六边形纳米片
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作者 王娟 张文浩 +1 位作者 郭全胜 唐新峰 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期283-286,270,共5页
以五水合硝酸铋和合成的硒代硫酸钠为原料,乙二胺四乙酸二钠(EDTA)为络合剂,在pH=10的氨水-氯化铵缓冲溶液中,45~95℃冷凝回流反应2~8h,合成了均匀完整的单相Bi2Se3超薄纳米片,片的厚度大约为20nm,边长为200nm。系统研究了合成温度与... 以五水合硝酸铋和合成的硒代硫酸钠为原料,乙二胺四乙酸二钠(EDTA)为络合剂,在pH=10的氨水-氯化铵缓冲溶液中,45~95℃冷凝回流反应2~8h,合成了均匀完整的单相Bi2Se3超薄纳米片,片的厚度大约为20nm,边长为200nm。系统研究了合成温度与反应时间对产物相组成及其微观形貌的影响,并探讨了合成Bi2Se3的反应机制。 展开更多
关键词 bi2se3 一步湿化学法 纳米片 反应机制
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Bi2Se3/MoS2异质结的光学性质
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作者 刘燚 王龙龙 +3 位作者 胡国锋 刘雪璐 武宏利 李晓莉 《河北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第3期249-254,共6页
对单层MoS2与纳米级别厚度的Bi2Se3薄片进行组合构建超薄异质结,利用HR-Evolution显微共聚焦拉曼光谱系统,结合反射、拉曼和荧光光谱学测试技术,对Bi2Se3/MoS2异质结中的激子发光、异质结中的界间相互作用和电荷转移等行为进行了深入而... 对单层MoS2与纳米级别厚度的Bi2Se3薄片进行组合构建超薄异质结,利用HR-Evolution显微共聚焦拉曼光谱系统,结合反射、拉曼和荧光光谱学测试技术,对Bi2Se3/MoS2异质结中的激子发光、异质结中的界间相互作用和电荷转移等行为进行了深入而系统的研究.首先,利用干法转移技术将不同厚度的Bi2Se3薄片转移到CVD生长的单层MoS2上构建Bi2Se3/MoS2异质结.然后,利用反射光谱和拉曼光谱技术探测异质结的平整度和界面耦合质量,表明异质结的2种材料发生堆叠后具有良好的平整度,按照不同厚度对白光保留着良好的透光性;2种材料堆叠时没有引入附加应力,形成的异质结具有良好的界面耦合质量.最后,通过对异质结的荧光光谱研究发现下层母体材料MoS2的A、B激子峰的发光效率大大减弱,同时它们的发光波长随着上层Bi2Se3薄片的厚度增加逐渐减小,半高宽随着上层Bi2Se3薄片的厚度增加逐渐变窄,这说明电子传递到Bi2Se3/MoS2界面后发生退激发,使得MoS2的发光发生明显猝灭,而且该结果可能还包括异质结的电子能带结构变化导致电荷发生重新分布的的更深层次原因.该研究对新型光电子器件的设计和应用具有一定的意义和指导作用. 展开更多
关键词 二维材料 bi2se3 MOS2 异质结 荧光光谱
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SPS法制备Bi2Te3基热电合金的热电性能 被引量:5
14
作者 王晓琳 姜洪义 任卫 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期40-42,共3页
用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3和n型Bi2(Te0.975Se0.025)3多晶半导体合金,研究烧结工艺对其热电性能的影响。结果表明,室温下,p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3材料的热电优值Z为3.25×10-3K-1,n型Bi2(Te0.975Se0.025)3... 用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3和n型Bi2(Te0.975Se0.025)3多晶半导体合金,研究烧结工艺对其热电性能的影响。结果表明,室温下,p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3材料的热电优值Z为3.25×10-3K-1,n型Bi2(Te0.975Se0.025)3材料的热电优值Z为2.21×10-3K-1。 展开更多
关键词 bi2(Te0.975 se0.025)3 (bi0.2 Sb0.8)2Te3 SPS烧结 热电性能
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Bi_2Te_3基热电材料的微观结构与电学性能(英文)
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作者 王晓琳 姜洪义 任卫 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期267-270,共4页
用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了n型Bi2(Te0.975Se0.025)3和p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3多晶半导体合金,并通过XRD衍射分析和SEM观察等方法研究其在不同方向上的微观结构,测试了其热电性能。结果表明试样的电导率随烧结温度的增加而减小,试样... 用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了n型Bi2(Te0.975Se0.025)3和p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3多晶半导体合金,并通过XRD衍射分析和SEM观察等方法研究其在不同方向上的微观结构,测试了其热电性能。结果表明试样的电导率随烧结温度的增加而减小,试样内部的晶粒具有明显的取向,材料的电学性能也同样具有各向异性的性质。 展开更多
关键词 bi2(Te0.975se0.025)3 (bi0.2Sb0.8)2Te3 晶体结构
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Effect of substrate temperature and oxygen plasma treatment on the properties of magnetron-sputtered CdS for solar cell applications
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作者 Runxuan Zang Haolin Wang +9 位作者 Xiaoqi Peng Ke Li Yuehao Gu Yizhe Dong Zhihao Yan Zhiyuan Cai Huihui Gao Shuwei Sheng Rongfeng Tang Tao Chen 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期22-33,I0010,共13页
Cadmium sulfide(CdS)is an n-type semiconductor with excellent electrical conductivity that is widely used as an electron transport material(ETM)in solar cells.At present,numerous methods for preparing CdS thin films h... Cadmium sulfide(CdS)is an n-type semiconductor with excellent electrical conductivity that is widely used as an electron transport material(ETM)in solar cells.At present,numerous methods for preparing CdS thin films have emerged,among which magnetron sputtering(MS)is one of the most commonly used vacuum techniques.For this type of technique,the substrate temperature is one of the key deposition parameters that affects the interfacial properties between the target film and substrate,determining the specific growth habits of the films.Herein,the effect of substrate temperature on the microstructure and electrical properties of magnetron-sputtered CdS(MS-CdS)films was studied and applied for the first time in hydrothermally deposited antimony selenosulfide(Sb_(2)(S,Se)_(3))solar cells.Adjusting the substrate temperature not only results in the design of the flat and dense film with enhanced crystallinity but also leads to the formation of an energy level arrangement with a Sb_(2)(S,Se)_(3)layer that is more favorable for electron transfer.In addition,we developed an oxygen plasma treatment for CdS,reducing the parasitic absorption of the device and resulting in an increase in the short-circuit current density of the solar cell.This study demonstrates the feasibility of MS-CdS in the fabrication of hydrothermal Sb_(2)(S,Se)_(3)solar cells and provides interface optimization strategies to improve device performance. 展开更多
关键词 magnetron sputtering cds substrate heating plasma treatment Sb_(2)(S se)_(3) thin film solar cell
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电化学原子层外延制备Bi—Se系薄膜 被引量:1
17
作者 肖承京 杨君友 +4 位作者 朱文 段兴凯 张亲亲 李凯 李良彪 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A10期4058-4060,共3页
采用电化学原子层外延(electrochemical atomic layer epitaxy,ECALE)方法尝试在Pt电极上沉积Bi2Se3纳米热电薄膜。利用循环伏安扫描研究了Bi^3+、Se^4+在Pt电极上的欠电势沉积参数,在此基础上利用自动电沉积系统交替沉积400个Bi... 采用电化学原子层外延(electrochemical atomic layer epitaxy,ECALE)方法尝试在Pt电极上沉积Bi2Se3纳米热电薄膜。利用循环伏安扫描研究了Bi^3+、Se^4+在Pt电极上的欠电势沉积参数,在此基础上利用自动电沉积系统交替沉积400个Bi、Se原子层。采用电量分析、XRD、EDX对沉积物进行表征。电量分析表明沉积物中存在硒的富余,XRD结果表明沉积物中除了Bi2Se3化合物外还有单质Se的富余。EDX分析沉积物的硒铋原子比为4:1,与XRD分析结果一致。 展开更多
关键词 电化学原子层外延 UPD bi2se3纳米薄膜
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大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能 被引量:7
18
作者 郎荣福 荣剑英 +2 位作者 赵秀平 李将录 赵洪安 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期144-147,共4页
采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为 2 7mm的大尺寸P和N型Bi2 Te3 Sb2 Te3 Sb2 Se3 赝三元取向晶锭。并测试了其温差电性质 。
关键词 大尺寸赝三元半导体致冷材料 制备 性能 垂直区熔法 bi2Te3-Sb2Te3-Sb2se3 大尺寸晶锭
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化学浴沉积法合成硒化铋纳米结构薄膜 被引量:4
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作者 孙正亮 陈立东 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期248-250,231,共4页
近年来,低维热电材料以其优越的性能而受到研究人员的关注,但合成方法多局限于成本较高的物理法。本文采用简便的化学浴沉积法成功地制备出硒化铋纳米结构薄膜。以硝酸铋、硒代硫酸钠分别作为铋源和硒源,以氨三乙酸作为配位剂,在硅片上... 近年来,低维热电材料以其优越的性能而受到研究人员的关注,但合成方法多局限于成本较高的物理法。本文采用简便的化学浴沉积法成功地制备出硒化铋纳米结构薄膜。以硝酸铋、硒代硫酸钠分别作为铋源和硒源,以氨三乙酸作为配位剂,在硅片上沉积出由【001】取向的纳米片组成的硒化铋纳米结构薄膜。薄片厚度在50~100nm。性能表征显示合成出的薄膜室温下电导和赛贝克系数分别为9.2×103Sm-1和-98μVK-1。该法具有低成本、易操作、易于大规模生长等优点,为薄膜的器件化打下基础。 展开更多
关键词 bi2se3薄膜 化学浴沉积
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三硒化二铋微/纳米晶的可控合成
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作者 叶成文 宋春燕 +2 位作者 张建军 侯娟 廖辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1614-1618,共5页
采用溶剂热法,在N,N-二甲基甲酰胺和乙二醇的混合溶剂中,无碱条件下,通过添加适量聚乙烯吡咯烷酮(PVP),成功制备出硒化铋微/纳米晶。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微术(SEM)、透射电子显微术(TEM)、选区电子衍射(SAED)、高... 采用溶剂热法,在N,N-二甲基甲酰胺和乙二醇的混合溶剂中,无碱条件下,通过添加适量聚乙烯吡咯烷酮(PVP),成功制备出硒化铋微/纳米晶。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微术(SEM)、透射电子显微术(TEM)、选区电子衍射(SAED)、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)对产物进行了表征,结果表明获得了Bi2Se3单晶纳米片结构,边长约为300~1100 nm,厚度约为200~500 nm,讨论了PVP添加量对产物形貌的影响,并研究了六方片状硒化铋产物的产生机理。 展开更多
关键词 bi2se3 微/纳米晶 溶剂热法 PVP
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