CdS/ZnO异质结构材料的光生电荷性质 被引量：6

1

作者 王凌凌 杨文胜 +1 位作者 王德军 谢腾峰 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期2316-2318,共3页

CdS纳米材料由于具有良好的可见光光电性质而成为太阳能利用研究中的热点[1],特别是近年来对CdS进行修饰和改性构成具有异质界面的复合材料,能够提高光生电荷的分离效率,减缓光腐蚀,

关键词 cds/zno异质结构 表面光伏相位谱 瞬态表面光伏 光生电荷转移

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掺杂和点缺陷调控MoS_(2)/ZnO异质结光解水性能的第一性原理研究

2

作者 温俊青 王嘉辉 张建民 《高等学校化学学报》 北大核心 2025年第2期143-154,共12页

采用第一性原理计算方法研究了C,Pd元素掺杂及点缺陷MoS_(2)/ZnO异质结的电子结构、光学性质及光催化性能.计算结果表明,本征MoS_(2)/ZnO异质结具有0.66 eV的直接带隙,带边位置呈现Ⅱ型能带排列.掺杂和缺陷可以有效减小MoS_(2)/ZnO异质... 采用第一性原理计算方法研究了C,Pd元素掺杂及点缺陷MoS_(2)/ZnO异质结的电子结构、光学性质及光催化性能.计算结果表明,本征MoS_(2)/ZnO异质结具有0.66 eV的直接带隙,带边位置呈现Ⅱ型能带排列.掺杂和缺陷可以有效减小MoS_(2)/ZnO异质结的带隙,Pd@Zn为磁性半导体,V_(Mo)和V_(Zn)体系具有磁性半金属特性.掺杂和缺陷使MoS_(2)/ZnO异质结禁带之中出现杂质能级,有利于电子跃迁,吸收范围扩展至红外波段,在可见光范围(500~760 nm)内的光吸收系数提高.本征、掺杂与缺陷MoS_(2)/ZnO异质结体系界面处均存在由ZnO层指向MoS_(2)层的内建电场,促使本征MoS_(2)/ZnO异质结,C@S_(2),Pd@Zn,V_(S1),V_(S2)和V_(O)体系形成直接Z型异质结,促进了光生电子-空穴对的有效分离.异质结的带边电位跨过pH=0和7时的氧化还原电位,表明这些异质结可以在强酸溶液与中性溶液条件下进行氧化还原反应,且载流子具有较强的氧化还原能力.研究结果为基于MoS_(2)/ZnO异质结的设计提供了理论参考. 展开更多

关键词 MoS_(2)/zno异质结 掺杂缺陷 电子结构 光催化性能

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Li、Au掺杂对GaN/ZnO异质结光解水制氢性能的调控

3

作者 温俊青 王若琦 张建民 《无机化学学报》 北大核心 2025年第5期923-938,共16页

以提高GaN/ZnO异质结光解水制氢性能为目标,采用第一性原理方法研究了Li和Au元素掺杂GaN/ZnO异质结的电子结构、光学性质和光催化性能。电子结构计算表明GaN/ZnO异质结为直接带隙半导体,异质结类型为Z型,带隙为1.41 eV,能有效促进载流... 以提高GaN/ZnO异质结光解水制氢性能为目标,采用第一性原理方法研究了Li和Au元素掺杂GaN/ZnO异质结的电子结构、光学性质和光催化性能。电子结构计算表明GaN/ZnO异质结为直接带隙半导体,异质结类型为Z型,带隙为1.41 eV,能有效促进载流子分离。Li、Au掺杂后的各结构中除Li替位Zn结构外,均具有磁性。光学性质分析的结果表明,掺杂Li、Au元素可以提高体系的吸收系数,其中Li替位Zn后异质结具有较大的光吸收系数,同时具有较大的功函数(7.37 eV)和界面电势差(2.55 V),表明其可见光利用率较高,界面结构稳定且具有较大的内建电场,可以更有效地促进电子与空穴的迁移从而减小电子-空穴对的结合。Bader电荷分析表明掺杂元素Li和Au均失去电子。电子从GaN层向ZnO层转移,在界面处形成了一个有效的内电场。Li替位Zn和Au同时替位近位的Ga和Zn所对应的2种结构的层与层之间转移的电子较多,说明其界面电势差较大且拥有较高的光生载流子迁移速率。光解水制氢性能分析表明,ZnO薄膜、GaN/ZnO异质结、Li替位Ga以及Li同时替位远位的Ga和Zn四种体系在pH=0时,满足光解水制氢的条件。GaN薄膜、ZnO薄膜和Li同时替位远位的Ga和Zn三种体系在pH=7时满足光解水制氢的条件。 展开更多

关键词 第一性原理方法 GaN/zno异质结 电子结构 磁特性 光解水制氢

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CdS/ZnO核壳结构纳米微粒的合成及其发射光谱研究 被引量：3

4

作者 蔡红 杜庆波 曹稳根 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期791-794,共4页

采用单分子前驱体热分解的方法合成了单分散CdS纳米晶,以CdS纳米晶作为核,在CTAB辅助下,对其表面进行修饰,荧光光谱表明CdS/ZnO核壳结构被成功合成。考查了温度对包覆的影响,结果表明,随着温度的升高晶体结晶越好,包覆越来越完全,ZnO包... 采用单分子前驱体热分解的方法合成了单分散CdS纳米晶,以CdS纳米晶作为核,在CTAB辅助下,对其表面进行修饰,荧光光谱表明CdS/ZnO核壳结构被成功合成。考查了温度对包覆的影响,结果表明,随着温度的升高晶体结晶越好,包覆越来越完全,ZnO包覆在CdS纳米晶的表面而掩盖了CdS纳米晶的缺陷,使得缺陷发光减弱而带隙发光增强。 展开更多

关键词 cds zno 核壳纳米结构 发射光谱

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SiS_(2)/ZnO范德华异质结光催化水分解第一性原理研究

5

作者 李家豪 黄欣 杨志红 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2025年第6期31-36,共6页

基于第一性原理方法,研究了SiS_(2)/ZnO范德华异质结的电子结构和光催化性质.结果表明,SiS_(2)/ZnO异质结是带隙值为1.32 eV的半导体材料,表现出交错排列的能带结构.在异质结界面处,形成了从ZnO指向SiS_(2)的内置电场,该内置电场的存在... 基于第一性原理方法,研究了SiS_(2)/ZnO范德华异质结的电子结构和光催化性质.结果表明,SiS_(2)/ZnO异质结是带隙值为1.32 eV的半导体材料,表现出交错排列的能带结构.在异质结界面处,形成了从ZnO指向SiS_(2)的内置电场,该内置电场的存在使得SiS_(2)/ZnO异质结中形成了特殊的“Z-型”载流子迁移模式,有利于电子空穴对的有效分离,同时增强了载流子的氧化还原能力.异质结构具有良好的热力学稳定性,且带边位置跨越水的氧化还原电位.与单层材料相比,SiS_(2)/ZnO异质结光吸收谱出现红移现象,表现出更宽的光吸收范围(从可见光到紫外光)及更强的光吸收强度(达到10~5 cm^(-1)量级).另外,通过施加双轴应变,可以有效调控SiS_(2)/ZnO异质结的带隙值.以上结果表明SiS_(2)/ZnO异质结有潜力成为新型光催化剂用于全解水. 展开更多

关键词 SiS_(2)/zno Z-型范德华异质结 光催化 电子结构 第一性原理

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掺In纳米ZnO、CdS薄膜结构、光学特性分析 被引量：2

6

作者 吉雅图 李健 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期191-194,共4页

采用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纳米级ZnO和CdS薄膜。研究掺In和热处理对ZnO、CdS薄膜结构、光学特性的影响。实验给出 ,适当掺杂能够明显改善纳米ZnO、CdS薄膜的物相结构 ,ZnO薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小 ,CdS薄膜晶粒... 采用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备纳米级ZnO和CdS薄膜。研究掺In和热处理对ZnO、CdS薄膜结构、光学特性的影响。实验给出 ,适当掺杂能够明显改善纳米ZnO、CdS薄膜的物相结构 ,ZnO薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小 ,CdS薄膜晶粒尺寸随掺杂含量的增加而变大 ,但薄膜的光透射性有所降低。在短波范围内 ,ZnO薄膜的光透率好于CdS薄膜 ;在 5 0 0nm～ 1 0 0 0nm范围内 ,CdS薄膜的光透率好。掺In后ZnO薄膜的光学带宽从 3 2eV减小至 2 85eV ;掺In后CdS薄膜光学带宽从 2 4 2eV减小至 2 35eV。 展开更多

关键词 薄膜太阳电池 真空气相沉积 物相结构 光学特性 纳米薄膜 zno cds 铟 掺杂

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ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列的制备及性能

7

作者 傅艳珏 王春瑞 《东华大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 2017年第2期286-292,共7页

采用连续离子层吸附法,以ZnO纳米棒阵列为模板,将窄带CdS和更窄带层状MoS_2依次包覆在ZnO纳米棒表面,得到一种ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱对产物进行了表征.结果表明... 采用连续离子层吸附法,以ZnO纳米棒阵列为模板,将窄带CdS和更窄带层状MoS_2依次包覆在ZnO纳米棒表面,得到一种ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱对产物进行了表征.结果表明,CdS鞘和MoS_2鞘依次均匀地包覆在垂直生长的ZnO纳米棒上,且结合过程中未明显影响内芯ZnO的棒状结构.在异质结结构中,ZnO/CdS界面、CdS/MoS_2界面接触良好且晶格失配率低.此外,一维ZnO纳米棒阵列的存在也抑制了MoS_2在c轴方向上的堆积,使包覆在纳米棒上的MoS_2以少层的形式存在.原位电输运特性表明,与ZnO纳米棒和ZnO/CdS异质结纳米棒相比,ZnO/CdS/MoS_2异质结纳米棒则呈现出了更优的电学特性. 展开更多

关键词 连续离子层吸附法 少层二硫化钼 zno/cds/MoS2异质结 原位电性能

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CdS/ZnO纳米复合结构制备及荧光特性研究

8

作者 黄杰 胡陈力 +3 位作者 毛建敏 沈为民 王乐 余静 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第9期2788-2791,共4页

为增强CdS纳米粒子的荧光强度,以及稳定性,研究了Cd,S不同质量比,有无稳定剂等条件下CdS纳米粒子的制备及荧光特性。在碱性条件下,利用水热法合成了CdS/ZnO的纳米复合结构,并对所有样品进行了XRD、荧光光谱和SEM表征。测试结果表明所制... 为增强CdS纳米粒子的荧光强度,以及稳定性,研究了Cd,S不同质量比,有无稳定剂等条件下CdS纳米粒子的制备及荧光特性。在碱性条件下,利用水热法合成了CdS/ZnO的纳米复合结构,并对所有样品进行了XRD、荧光光谱和SEM表征。测试结果表明所制备的CdS纳米粒子和CdS/ZnO的纳米复合结构粒子成分单一且纯净;ZnO复合在CdS表面;在紫外光(328.5nm)激发下,CdS/ZnO纳米复合结构的发射峰位于463nm处,峰形窄而对称,CdS/ZnO纳米复合结构的荧光强度比CdS纳米粒子的荧光强度有显著增强,且CdS和ZnO物质量之比为1∶1条件下,荧光强度最高,其荧光效率比单一CdS纳米粒子高出11%。通过第一性原理计算结果表明,CdS能带结构中,Cd-4d,S-3p和Cd-5s能带分别由5条、3条和1条能级构成,对比不同轨道的分态密度强度,看出CdS的导带边主要由Cd-5s轨道贡献,而价带边主要由S-3p轨道贡献,能量在-7eV附近的电子态主要由Cd-4d轨道贡献。而ZnO上价带主要由O-2p电子构成,靠近费米能级的价带区域则主要由Zn-3d电子贡献,在导带部分,主要来源于Zn-4s和O-2p电子。由于在两种材料的复合结构中Zn-3d电子的能级和S-3p电子的能级接近,存在着二型带阶结构使能带变窄,容易形成跃迁,减小电子-空穴的复合,从而促进复合结构荧光效率的提高。 展开更多

关键词 cds zno 纳米复合结构 荧光特性

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ZnO/TiO_(2)核-壳纳米结构的低温制备及其光电性能研究 被引量：2

9

作者 李丽华 王贺 +1 位作者 王航 黄金亮 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期1217-1222,共6页

ZnO因其自身的高电荷复合、化学性质活泼,导致其应用受到限制,通过表面修饰进行复合可实现电子-空穴的分离并提高其化学稳定性。以二水合醋酸锌、六水合硝酸锌、六氟钛酸铵为原料,采用溶胶-凝胶、水热和液相沉积相结合的方法,在低温条... ZnO因其自身的高电荷复合、化学性质活泼,导致其应用受到限制,通过表面修饰进行复合可实现电子-空穴的分离并提高其化学稳定性。以二水合醋酸锌、六水合硝酸锌、六氟钛酸铵为原料,采用溶胶-凝胶、水热和液相沉积相结合的方法,在低温条件下制备出ZnO/TiO_(2)单异质结。采用XRD、SEM、EDS、TEM、PL等对样品进行表征并对其光电性能进行测试。结果表明,在沉积时间为20 min时,ZnO/TiO_(2)核-壳结构形貌最规整,其中ZnO直径约115 nm,TiO_(2)薄膜厚度约7.6 nm;TiO_(2)的负载,降低了电极中光生电荷的复合,提高了ZnO对光子的收集能力,光电流密度提升大约10倍,达到0.21μA/cm^(2),表现出优异的光电化学性能。 展开更多

关键词 zno/TiO_(2) 核-壳结构 异质结 光电极材料 液相沉积

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ZnS/ZnO异质结构的制备及其光催化性能 被引量：6

10

作者 崔磊 董晶 +2 位作者 杨丽娟 王帆 夏炜炜 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期580-584,共5页

以醋酸锌、硫脲为原料,采用简单的一步溶剂热法合成了花状Zn S微球,并分别在550、600和650℃下进行高温氧化处理,获得了Zn S/ZnO异质结构半导体材料。利用XRD、SEM、EDS、表面积分析仪、拉曼光谱仪和UV-Vis对材料的形貌、结构、比表面... 以醋酸锌、硫脲为原料,采用简单的一步溶剂热法合成了花状Zn S微球,并分别在550、600和650℃下进行高温氧化处理,获得了Zn S/ZnO异质结构半导体材料。利用XRD、SEM、EDS、表面积分析仪、拉曼光谱仪和UV-Vis对材料的形貌、结构、比表面积和光学性质进行了测定,并以罗丹明B（Rh B）为模型污染物考察了样品的光催化性能。结果表明：原位合成的样品为立方相Zn S微球,经过550℃高温氧化1 h后,由于O原子的进入,生成少量ZnO,经过600℃高温氧化1 h后形成了Ⅱ型异质结构Zn S/ZnO,经过650℃高温氧化1 h后,样品基本上成为ZnO。随着高温氧化温度的升高,样品的禁带宽度整体呈下降趋势。光催化结果显示：Zn S/ZnO异质结构具备较优的光催化性能,紫外光照射40 min,Rh B降解率达到98.5%。 展开更多

关键词 水热法 ZnS/zno异质结构 高温氧化 光催化性能 功能材料

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花状ZnO/ZnS异质结构的简易合成、结构表征及光催化活性(英文) 被引量：3

11

作者 李本侠 王艳芬 吴玉雷 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第2期417-424,共8页

采用简便的两步溶液相化学方法,在较低温度下(80℃),制备出了花状的ZnO/ZnS异质结构。分别利用X射线衍射、X射线光电子能谱仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、紫外-可见光谱仪等测试手段对所制备的样品进行表征,结果表明ZnO/ZnS异质... 采用简便的两步溶液相化学方法,在较低温度下(80℃),制备出了花状的ZnO/ZnS异质结构。分别利用X射线衍射、X射线光电子能谱仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、紫外-可见光谱仪等测试手段对所制备的样品进行表征,结果表明ZnO/ZnS异质结构是由花状ZnO纳米结构和ZnS纳米粒子组成。在光降解罗丹明B(RhB)的测试中,ZnO/ZnS异质结构样品体现出了比ZnO前驱物和商业P25光催化剂更高的光催化效率,这主要可归因于异质结构更有利于电子-空穴的有效分离。ZnO/ZnS光催化剂体现出良好的循环稳定性。 展开更多

关键词 zno/ZnS异质结构 化学合成 微结构 光催化

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P3HT修饰一维有序壳核式CdS/ZnO纳米棒阵列复合膜的光电化学性能 被引量：3

12

作者 孙宝 郝彦忠 +4 位作者 郭奋 李英品 罗冲 裴娟 申世刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第12期2861-2866,共6页

采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列,在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜得到P3HT修饰的一维有序壳核式CdS/ZnO纳米阵列结构,并通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(T... 采用电化学方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上制备了高度有序的ZnO纳米棒阵列,在ZnO纳米棒阵列上先后电化学沉积CdS纳米晶膜及聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜得到P3HT修饰的一维有序壳核式CdS/ZnO纳米阵列结构,并通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、能量散射X射线(EDX)等表征手段证实了该结构的形成.以此纳米结构薄膜为光阳极组装新型半导体敏化太阳电池,研究了CdS纳米晶膜的厚度和P3HT薄膜的沉积对电池光伏性能的影响,初步探讨了电荷在电池结构中的传输机理,结果表明,CdS纳米晶膜和P3HT薄膜的沉积有效地拓宽了光阳极的光吸收范围,实验中电池的光电转换效率最高达到1.08%. 展开更多

关键词 zno纳米棒阵列 cds 聚3-己基噻吩 电化学沉积 壳核纳米结构 半导体敏化太阳电池

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CdTe/CdS异质结太阳电池的电特性——关于“CdTe/CdS异质结特性”一文同郭江等商榷 被引量：1

13

作者 陈庭金 马逊 +2 位作者 夏朝凤 王履芳 刘祖明 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期637-642,共6页

笔者认为郭　江等关于"CdTe/CdS异质结特性"一文,对CdTe/CdS太阳电池的CdS/CdTe异质结特性的讨论时存在理论上的错误和设计思想不妥。例如,求解CdTe/CdS异质结空间电荷区电势满足的泊松方程时,所给的边界条件有错,因而所得的... 笔者认为郭　江等关于"CdTe/CdS异质结特性"一文,对CdTe/CdS太阳电池的CdS/CdTe异质结特性的讨论时存在理论上的错误和设计思想不妥。例如,求解CdTe/CdS异质结空间电荷区电势满足的泊松方程时,所给的边界条件有错,因而所得的电势分布亦有错;关系式ΔEv=(Eg2-Eg1)-ΔEc=0有错;CdTe/CdS异质结能带结构不妥等。据此,我们针对上述CdS/CdTe异质结太阳电池存在的问题进行了理论研究和讨论,所得到的相应研究结果,与郭　江等商榷。 展开更多

关键词 cds/cdTe异质结 太阳电池 能带结构 I-V特性

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MgZnO/ZnO异质结构的发光性质研究 被引量：1

14

作者 吴春霞 吕有明 +5 位作者 李炳辉 赵东旭 刘益春 申德振 张吉英 范希武 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期550-554,共5页

本文利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上生长了Mg_(0.12)Zn_(0.88)O(100nm)/ZnO(20nm)/Mg_(0.12)Zn_(0.88)O(40nm)异质结构,测得样品的X射线衍射谱表明,在34.56°的位置出现很强的(002)方向衍射峰,其半... 本文利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上生长了Mg_(0.12)Zn_(0.88)O(100nm)/ZnO(20nm)/Mg_(0.12)Zn_(0.88)O(40nm)异质结构,测得样品的X射线衍射谱表明,在34.56°的位置出现很强的(002)方向衍射峰,其半高宽度为0.20°,比Mg_(0.12)Zn_(0.88)O合金薄膜的半高宽度0.15°明显展宽。通过光致发光谱研究了MgZnO/ZnO/MgZnO异质结构的光学性质,室温下测得在370nm(3.35eV)位置有很强的紫外发光,而在348nm(3.56eV)的位置处有一个较弱的发光,这两个峰分别被归结于来自ZnO层和MgZnO盖层的发光。室温下的吸收光谱中,在上述两个峰的位置附近分别存在很明显的吸收,指示了带边吸收来自于MgZnO和ZnO两种材料。通过变温发光谱研究了异质结构中载流子弛豫、复合的规律。随着温度增加,来自于ZnO层和MgZnO层的发光强度比增加,这归结为MgZnO/ZnO异质结构存在界面势垒所致。 展开更多

关键词 Mgzno/zno异质结构 等离子体辅助分子束外延 发光性质 光致发光谱 X射线衍射谱

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CdS/CdTe异质结复合薄膜的制备及其性能表征 被引量：1

15

作者 李忠贤 邹凯 《电子显微学报》 CAS CSCD 2014年第4期324-329,共6页

在玻璃衬底上依次采用化学水浴法(CBD)和真空蒸发工艺沉积CdS和CdTe薄膜,并在不同条件下进行热处理,制备了CdTe/CdS异质结复合薄膜。利用XRD、SEM、AFM和UV-VIS透射光谱对薄膜的结构、表面形貌、剖面及光学性能进行了研究。结果表明:以... 在玻璃衬底上依次采用化学水浴法(CBD)和真空蒸发工艺沉积CdS和CdTe薄膜,并在不同条件下进行热处理,制备了CdTe/CdS异质结复合薄膜。利用XRD、SEM、AFM和UV-VIS透射光谱对薄膜的结构、表面形貌、剖面及光学性能进行了研究。结果表明:以玻璃衬底和CdS薄膜作为衬底沉积的CdTe多晶薄膜结构相似,均具有(1l1)面择优取向;不同条件下制备的薄膜致密且粒径均匀,随着热处理温度的升高,薄膜晶粒增大明显,并出现CdS层减薄的现象,但薄膜的粗糙度也随之增大;CdCl2氛围下热处理后,薄膜粒径增大,粗糙度明显降低,其(111)晶面的择优取向进一步增强,且透过率下降,这对于提高太阳电池的光谱响应是非常有利的。 展开更多

关键词 cds/cdTe异质结 微结构 光学性能 XRD

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ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构的低温控制合成及其光电性能 被引量：3

16

作者 徐玉睿 田永涛 +5 位作者 王文闯 贺川 陈文丽 赵晓峰 王新昌 李新建 《郑州大学学报（理学版）》 CAS 北大核心 2012年第2期56-61,共6页

通过选择性腐蚀ZnO纳米棒,在p型Si衬底上低温合成了ZnO纳米管阵列,构成ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构(n-ZnONT/p-Si).ZnO纳米管阵列光致发光谱显示,在378 nm处出现了很强的紫外发射峰,而在500 nm左右有一个较宽的绿色发光峰,表明ZnO纳米... 通过选择性腐蚀ZnO纳米棒,在p型Si衬底上低温合成了ZnO纳米管阵列,构成ZnO纳米管阵列/p-Si异质结构(n-ZnONT/p-Si).ZnO纳米管阵列光致发光谱显示,在378 nm处出现了很强的紫外发射峰,而在500 nm左右有一个较宽的绿色发光峰,表明ZnO纳米管具有较好的结晶性.电流-电压曲线显示,n-ZnONT/p-Si异质结构在光暗两种条件下都表现出了较好的整流特性.在紫外光照射下,反向偏压区电流出现了较大的变化,反映出n-ZnONT/p-Si异质结构有较强的紫外光响应,有望成为潜在的紫外光探测器件. 展开更多

关键词 zno纳米管阵列 n-znoNT/p-Si异质结构 光致发光 电流-电压曲线

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两步法合成ZnO／TiO2异质结构 被引量：1

17

作者 王暖霞 孙承华 +2 位作者 胡秀杰 陈萍 周树云 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期350-352,共3页

采用电纺和水热处理两步法,通过水热后处理在电纺的TiO2纤维上生长了ZnO二级结构,制备了ZnO/TiO2异质结构的复合材料,并研究了反应时间对ZnO生长的影响。采用SEM,TEM对异质结构的微观结构进行了表征,XRD对ZnO/TiO2进行了物相分析。

关键词 zno/TiO2异质结构 电纺法 水热法

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ZnO纳米棒/CdS量子点的制备及紫外-可见探测性能研究 被引量：6

18

作者 胡轶 胡更新 +3 位作者 张洁静 桑丹丹 李易昆 高世勇 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1271-1278,共8页

本文采用水热法在ITO衬底上制备了ZnO纳米棒阵列,然后用化学水浴沉积法在纳米棒上制备CdS量子点。分别利用SEM和XRD对样品形貌和晶体结构进行表征。结果表明,球状的CdS量子点均匀地包覆在ZnO纳米棒表面,且结晶质量较好。基于ZnO纳米棒和... 本文采用水热法在ITO衬底上制备了ZnO纳米棒阵列,然后用化学水浴沉积法在纳米棒上制备CdS量子点。分别利用SEM和XRD对样品形貌和晶体结构进行表征。结果表明,球状的CdS量子点均匀地包覆在ZnO纳米棒表面,且结晶质量较好。基于ZnO纳米棒和ZnO纳米棒/CdS量子点制备的探测器对紫外光都具有很好的响应,然而与ZnO纳米棒探测器相比,ZnO纳米棒/CdS量子点探测器在相同条件下的光电流提高了7倍,为0.52 mA。此外,ZnO纳米棒/CdS量子点探测器对绿光和蓝光也表现出了很好的响应。 展开更多

关键词 zno纳米棒 cds量子点 异质结构 紫外探测 可见光探测

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纺锤状ZnO/还原氧化石墨烯异质结构及其微波吸收性能 被引量：1

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作者 贺军哲 孙新 +2 位作者 疏金成 杨轩 曹茂盛 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期88-94,共7页

目的调节石墨烯的电磁匹配,以实现最优的微波吸收性能。方法通过改进的Hummers法制备氧化石墨烯GO,以六水合硝酸锌、双六甲撑三胺、氧化石墨烯为原料,采用水热法在140℃获得了具有异质结构的包裹r-GO的纺锤状ZnO棒(S-ZnO/r-GO)。通过X... 目的调节石墨烯的电磁匹配,以实现最优的微波吸收性能。方法通过改进的Hummers法制备氧化石墨烯GO,以六水合硝酸锌、双六甲撑三胺、氧化石墨烯为原料,采用水热法在140℃获得了具有异质结构的包裹r-GO的纺锤状ZnO棒(S-ZnO/r-GO)。通过X射线衍射分析仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)以及透射电子显微镜(TEM)测试,分别对S-ZnO/r-GO的组成成分、形貌特征以及微观结构进行了表征,同时采用同轴法,通过矢量网络分析仪测试分析了不同填充浓度下S-ZnO/r-GO复合材料在2~18 GHz范围内的电磁特性,并通过计算得到了材料的微波反射率损耗。结果尺寸均匀且相互交织的纺锤状ZnO棒被大量褶皱的还原氧化石墨烯所包覆,构建了一种相互连接的三维交织结构。纺锤状ZnO的引入以及三维结构的建立,明显改善了S-ZnO/r-GO异质结构在2~18 GHz频率范围内的电磁特性和微波响应。在厚度为2.0 mm,频率为14.8 GHz处,最大反射率损耗值达到−40 dB,有效吸收带宽几乎覆盖整个Ku波段。结论纺锤状ZnO/r-GO复合材料表现出优异的微波吸收性能和较宽的有效吸收频段,具有一定的应用前景。 展开更多

关键词 纺锤状zno棒 还原氧化石墨烯 异质结构 电磁特性 微波吸收

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ZnO/NiO异质结构纳米纤维的制备与气敏性能 被引量：5

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作者 郝婧 刘杨秀 +1 位作者 曹雪媛 潘凯 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期136-140,共5页

采用静电纺丝结合煅烧处理制备了ZnO/NiO异质结构纳米纤维,通过扫描电镜、高分辨透射电镜、红外光谱、X射线光电子能谱和X射线衍射等方法详细研究了ZnO/NiO异质结构纳米纤维的形貌、结构、化学组成和结晶性。结果表明,制备的ZnO/NiO纳... 采用静电纺丝结合煅烧处理制备了ZnO/NiO异质结构纳米纤维,通过扫描电镜、高分辨透射电镜、红外光谱、X射线光电子能谱和X射线衍射等方法详细研究了ZnO/NiO异质结构纳米纤维的形貌、结构、化学组成和结晶性。结果表明,制备的ZnO/NiO纳米纤维具有异质结构,其平均直径约为200 nm,所生成的ZnO、NiO均匀地分布在纳米纤维的两侧。并以ZnO/NiO异质结构纳米纤维为气敏传感器,研究了其对乙醇气体的气敏传感性能,气敏测试结果表明,其对浓度为103 mg/L的乙醇气体响应恢复速度快,有利于对低浓度乙醇气体的探测。 展开更多

关键词 纳米纤维 zno/NiO 异质结构 气敏传感 乙醇

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