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CaBi2Ta2O9基压电陶瓷的A位掺杂改性研究 被引量:2
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作者 钟建强 王丹 +1 位作者 石钰琳 陈强 《压电与声光》 CAS 北大核心 2019年第4期504-508,共5页
该文采用固相反应法制备了铋层状结构Ca1-x(LiCe)x/2Bi2Ta2O9(CBT-LC100x)高居里温度(TC)压电陶瓷,研究了(Li0.5Ce0.5)2+复合离子掺杂对CaBi2Ta2O9(CBT)基陶瓷晶体结构、介电、压电等性质的影响。结果表明,在选定(Li0.5Ce0.5)2+掺杂浓... 该文采用固相反应法制备了铋层状结构Ca1-x(LiCe)x/2Bi2Ta2O9(CBT-LC100x)高居里温度(TC)压电陶瓷,研究了(Li0.5Ce0.5)2+复合离子掺杂对CaBi2Ta2O9(CBT)基陶瓷晶体结构、介电、压电等性质的影响。结果表明,在选定(Li0.5Ce0.5)2+掺杂浓度范围内,CBT-LC100x陶瓷呈正交晶体结构。随着x增加,TC趋于降低,从941℃降低至924℃。Ce离子的施主掺杂效应有利于电阻率及压电活性的提高,当x=0.06(x为摩尔分数)时,具有最优综合性能,TC约为924℃,压电常数d33约为8.1pC/N,650℃时电阻率为1.7×106Ω·cm。 展开更多
关键词 高居里温度 cabi2ta2o9(cbt) 压电陶瓷 铋层状铁电体 电学性能
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熔盐法合成SrBi_2Ta_2O_9粉体 被引量:19
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作者 宋煜昕 李承恩 晏海学 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期145-148,共4页
采用熔盐法合成了纯的 系层状结构的SrBi2Ta2O9粉体.采用XRD和SEM等手段对粉体的结构和形态进行了分析,并与固相法进行了比较,结果表明熔盐法所得粉体形状呈片状,无团聚现象.对影响粉体颗粒尺寸和形状的因素进行... 采用熔盐法合成了纯的 系层状结构的SrBi2Ta2O9粉体.采用XRD和SEM等手段对粉体的结构和形态进行了分析,并与固相法进行了比较,结果表明熔盐法所得粉体形状呈片状,无团聚现象.对影响粉体颗粒尺寸和形状的因素进行了考查,并对熔盐法合成SrBi2Ta2O9粉体的机理进行了讨论. 展开更多
关键词 熔盐法 SrBi2ta2o9 钽酸铋锶粉体 合成 压电陶瓷 结构 形态
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溶胶-凝胶法制备纳米SrBi_2Ta_2O_9的晶化过程和晶粒长大研究 被引量:2
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作者 柯华 许雪芹 +2 位作者 王文 贾德昌 周玉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期373-378,共6页
以乙二醇为溶剂,醋酸为催化剂,部分无机盐代替醇盐的溶胶-凝胶工艺制备了不 同平均晶粒尺寸的纯SrBi2Ta2O9(SBT)纳米粉末,晶相粉末晶粒大小为4-70nm.用XRD、 TG-DTA、TEM系统研究了SBT纳米相的形成过程.通过改变干凝胶的热处理温度和热... 以乙二醇为溶剂,醋酸为催化剂,部分无机盐代替醇盐的溶胶-凝胶工艺制备了不 同平均晶粒尺寸的纯SrBi2Ta2O9(SBT)纳米粉末,晶相粉末晶粒大小为4-70nm.用XRD、 TG-DTA、TEM系统研究了SBT纳米相的形成过程.通过改变干凝胶的热处理温度和热处 理时间,研究了温度与时间参数对SBT晶粒长大的影响规律.研究表明,碳的燃烧和二氧化 碳的蒸发对纳米团簇的长大具有一定的阻碍作用. SBT相的晶化行为分为金属-氧团簇向玻 璃态转变和玻璃态到晶态的转变过程,玻璃态到晶态的转变温度区间为500-550℃.两个过程 的长大激活能分别为:Eal=0.709eV,Ea2=0.093eV.温度是晶粒长大的主要因素,热处理时间 对晶粒长大影响不明显. 展开更多
关键词 SrBi2ta2o9 溶胶-凝胶 晶粒尺寸 晶粒长大
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PDF法在SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜结构分析中的应用 被引量:2
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作者 朱明 徐进 +1 位作者 周雨青 张玉萍 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期811-814,共4页
采用Sol Gel法及spin coating法制备出了SrBi2 Ta2 O9(SBT)铁电薄膜 .通过对“对密度分布函数”(pairdistributionfunction ,PDF)中结构因子的修正 ,利用X射线衍射的PDF数据对铁电材料SrBi2 Ta2 O9的结构尺寸进行了分析 ,得出分布几率... 采用Sol Gel法及spin coating法制备出了SrBi2 Ta2 O9(SBT)铁电薄膜 .通过对“对密度分布函数”(pairdistributionfunction ,PDF)中结构因子的修正 ,利用X射线衍射的PDF数据对铁电材料SrBi2 Ta2 O9的结构尺寸进行了分析 ,得出分布几率随陈化温度的变化呈现出不同的变化规律的结果 .将 2种陈化温度下的PDF数据和SrBi2 Ta2 O9扫描电镜的结果进行了对比分析 。 展开更多
关键词 对密度分布函数 SrBi2ta2o9 晶粒
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SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的结构与性能研究进展 被引量:1
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作者 王文 周玉 +3 位作者 叶枫 贾德昌 宋桂明 雷廷权 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期44-47,共4页
综述了 Sr Bi2 Ta2 O9的结构和性能研究进展 ,着重阐明化学组成、结晶取向、热处理条件、使用温度对 Sr Bi2 Ta2 O9铁电性能的影响。结果表明 ,以 Bi4Ti3O1 2 作为过渡层 ,采用快速热处理法 ,Sr∶Bi∶ Ta=0 .8∶ 2 .2∶ 2时 ,有助于提高... 综述了 Sr Bi2 Ta2 O9的结构和性能研究进展 ,着重阐明化学组成、结晶取向、热处理条件、使用温度对 Sr Bi2 Ta2 O9铁电性能的影响。结果表明 ,以 Bi4Ti3O1 2 作为过渡层 ,采用快速热处理法 ,Sr∶Bi∶ Ta=0 .8∶ 2 .2∶ 2时 ,有助于提高 SBT薄膜的剩余极化值 。 展开更多
关键词 SrBi2ta2o9 铁电薄膜 结构 性能 铁电材料 层状钙钛矿氧化物
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溶胶-凝胶法制备SrBi_2Ta_2O_9铁电陶瓷薄膜 被引量:1
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作者 季惠明 张颖 徐廷献 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期531-534,共4页
以可溶性无机盐为原料 ,通过溶胶 -凝胶法在 Al2 O3基片上制备了 Sr Bi2 Ta2 O9(SBT)铁电陶瓷薄膜 .实验结果表明 ,在前驱体溶胶制备中 ,络合剂的种类对溶胶的稳定性和 SBT相薄膜的形成有重要影响 .在以EDTA和乙二醇为络合剂时 ,易形成... 以可溶性无机盐为原料 ,通过溶胶 -凝胶法在 Al2 O3基片上制备了 Sr Bi2 Ta2 O9(SBT)铁电陶瓷薄膜 .实验结果表明 ,在前驱体溶胶制备中 ,络合剂的种类对溶胶的稳定性和 SBT相薄膜的形成有重要影响 .在以EDTA和乙二醇为络合剂时 ,易形成均匀稳定的溶胶和单一相的 SBT薄膜 .在薄膜制备工艺中 ,Bi2 O3的高温挥发性和薄膜的退火温度是控制制备过程的关键因素 .当 Bi过量 40 % ,且在 70 0℃的温度下退火热处理 ,可以制备出符合化学计量比、结晶性较好、具有均匀晶粒尺度的 Sr Bi2 Ta2 O9铁电陶瓷薄膜 . 展开更多
关键词 铁电陶瓷薄膜 溶胶-凝胶 SrBi2ta2o9 制备 钽酸锶铋
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CSD法制备SrBi_2Ta_2O_9粉体
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作者 王文 贾德昌 +1 位作者 周玉 叶枫 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2003年第4期386-388,共3页
为了解决乙醇钽、醋酸锶、硝酸铋在乙二醇中的溶解问题,分别以醋酸、乙醇胺、吡啶、甘露醇作为络合剂,对比研究了4种络合剂对溶液稳定性和粉体物相的影响,利用X射线衍射、透射电镜和热重-差热仪分析了粉体的相组成、微观形态和热分解历... 为了解决乙醇钽、醋酸锶、硝酸铋在乙二醇中的溶解问题,分别以醋酸、乙醇胺、吡啶、甘露醇作为络合剂,对比研究了4种络合剂对溶液稳定性和粉体物相的影响,利用X射线衍射、透射电镜和热重-差热仪分析了粉体的相组成、微观形态和热分解历程.结果表明,以乙醇胺作为络合剂,通过化学溶液分解(CSD)法可以获得稳定的SBT溶液;稳定的SBT溶液经干燥,300℃焙烧30min和800℃煅烧1h,可获得粒径约为100nm的钙钛矿相SBT粉体. 展开更多
关键词 CSD法 SrBi2ta2o9粉体 乙醇钽 醋酸锶 硝酸铋 乙二醇 乙醇胺 铁电材料 化学溶液沉积法
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SrBi_2Ta_2O_9铁电陶瓷的制备及其Ca掺杂研究
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作者 洪序达 王歆 刘继洪 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期601-604,共4页
采用聚合物前驱体法制备了单一铋系层状钙钛矿相SrBi2Ta2O9粉体,研究了不同烧成温度对SrBi2Ta2O9陶瓷相结构和介电、铁电性能的影响。结果表明,随着烧成温度的升高,晶粒沿c轴择优取向趋势增强;不同烧成温度下陶瓷介电常数和损耗均随频... 采用聚合物前驱体法制备了单一铋系层状钙钛矿相SrBi2Ta2O9粉体,研究了不同烧成温度对SrBi2Ta2O9陶瓷相结构和介电、铁电性能的影响。结果表明,随着烧成温度的升高,晶粒沿c轴择优取向趋势增强;不同烧成温度下陶瓷介电常数和损耗均随频率升高而降低,1000℃时陶瓷有最大介电常数和较小的损耗,且陶瓷有较大的剩余极化值和较小的矫顽电场,分别为3.884μC/cm2和25.37kV/cm。不同Ca掺杂量掺杂后,SrBi2Ta2O9陶瓷的介电常数、损耗和剩余极化值均显著降低。 展开更多
关键词 SrBi2ta2o9 铋系层状钙钛矿 聚合物前驱体法 介电性能 铁电性能
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退火温度对Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)/p-Si异质结微观结构与性能的影响
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作者 任明放 王华 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期700-704,共5页
采用sol-gel工艺制备了Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)/p-Si异质结.研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响.研究表明:成膜温度较低时,SrBi_2Ta_2O_9、Bi_4Ti_3O_(12)均为多晶薄膜,但随退火温度升高,... 采用sol-gel工艺制备了Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)/p-Si异质结.研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响.研究表明:成膜温度较低时,SrBi_2Ta_2O_9、Bi_4Ti_3O_(12)均为多晶薄膜,但随退火温度升高,Bi_4Ti_3O_(12)薄膜沿c轴择优生长的趋势增强;经不同退火温度处理的Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi-4Ti_3O_(12)/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性,且回滞窗口随退火温度升高而增大,经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V;在550~700℃范围内,Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)/ p-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降,当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大,经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10_(-7)A/cm^2的最低值. 展开更多
关键词 退火温度 SrBi2ta2o9 Bi4Tiao12 异质结
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溶胶—凝胶法制备 SrBi_2Ta_2O_9(SBT)铁电薄膜的研究
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作者 王文 周玉 +1 位作者 贾德昌 叶枫 《陶瓷学报》 CAS 2001年第4期244-247,共4页
以乙醇钽、醋酸锶和硝酸氧铋为原材料,乙二醇单甲醚为溶剂,可以获得稳定的SBT溶胶和凝胶。采用Pt/Ti/SiO2/Si基片,通过溶胶—凝胶法在800℃经快速热处理制备出钙钛矿相SBT薄膜。XRD结果分析表明,薄膜的择... 以乙醇钽、醋酸锶和硝酸氧铋为原材料,乙二醇单甲醚为溶剂,可以获得稳定的SBT溶胶和凝胶。采用Pt/Ti/SiO2/Si基片,通过溶胶—凝胶法在800℃经快速热处理制备出钙钛矿相SBT薄膜。XRD结果分析表明,薄膜的择优取向为(115)和(008),其饱和极化强度和剩余极化强度分别为Ps=8.8μC/cm2,Pr=5.2μC/cm2。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 SrBi2ta2o9 铁电薄膜
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含铋层状结构陶瓷CaBi_2Nb_2O_9的A位掺杂改性研究 被引量:9
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作者 宗立超 曾江涛 +2 位作者 赵苏串 阮伟 李国荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期726-730,共5页
利用固相反应法合成了Ca1-x(KLa)x/2Bi2Nb2O9(x=0~0.20)(xKLaCBNO)铋层状陶瓷,分析不同KLa掺杂量对CaBi2Nb2O9(CBNO)基陶瓷微观结构、介电、压电及电导性能的影响.XRD分析表明KLa的引入未改变CBNO陶瓷的单相结构.SEM和介电系数温度谱... 利用固相反应法合成了Ca1-x(KLa)x/2Bi2Nb2O9(x=0~0.20)(xKLaCBNO)铋层状陶瓷,分析不同KLa掺杂量对CaBi2Nb2O9(CBNO)基陶瓷微观结构、介电、压电及电导性能的影响.XRD分析表明KLa的引入未改变CBNO陶瓷的单相结构.SEM和介电系数温度谱结果分别显示,KLa掺杂量的增加,细化尺寸趋于一致,而居里温度(Tc)从943℃降低至875℃,其峰值介电常数减小、峰值介电损耗增大.当掺杂量x=0.1时,样品的高温电阻率较纯CBNO显著升高,压电系数d33由5.2 pC/N提高到15.8 pC/N,居里温度高达870℃,说明A位(KLa)掺杂改性后的CBNO陶瓷在高温传感器等领域具有潜在的应用前景. 展开更多
关键词 压电陶瓷 掺杂 压电系数 cabi2Nb2o9
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Preparation and properties of SrBi_(2.2) Ta_2O_9 thin film
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作者 王文 贾德昌 周玉 《Journal of Central South University of Technology》 EI 2005年第4期376-379,共4页
SrBi2.2 Ta2O9(SBT) thin film with thickness of 2μm was successfully prepared by sol-gel method, using strontium acetate semihydrate [Sr(CH3COO)2·1/2H2O] and bismth subnitrate [BiO(NO3)], and tantalum ethox... SrBi2.2 Ta2O9(SBT) thin film with thickness of 2μm was successfully prepared by sol-gel method, using strontium acetate semihydrate [Sr(CH3COO)2·1/2H2O] and bismth subnitrate [BiO(NO3)], and tantalum ethoxide [Ta(OCH2CH3)5] as source materials, glacial acetic and ethylene glycol as solvents. The X-ray diffraction(XRD) and transmission electron microscope(TEM) results indicate that SBT layer-perovskite phase obtained has to be single phase, SBT thin film is formed after being annealed at 800℃ for 1min. The typical hysteresis loop of SBT thin film on Pt/Ti/SiO2/Si is obtained, and the measured polarization value of the SBT thin film is 4.2μC/cm2. 展开更多
关键词 SrBi2.2 ta2o9 sol-gel technique thin film FERRoELECTRIC
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溶胶-凝胶法制备SrBi_(4-x)La_xTi_4O_(15)铁电薄膜及其性能研究 被引量:1
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作者 周卫东 孙慧 陈小兵 《电子显微学报》 CAS CSCD 2006年第B08期97-98,共2页
关键词 抗疲劳性能 铁电薄膜 溶胶-凝胶法 层状钙钛矿结构 制备 SrBi2ta2o9 剩余极化强度 BI4TI3o12
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无机盐溶液源溶胶-凝胶法制备锶铋钽铁电陶瓷薄膜过程研究 被引量:1
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作者 季惠明 古彦飞 徐廷献 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1613-1616,共4页
采用可溶性无机盐 Sr( NO3) 2 ,Bi( NO3) 3及 HTa F6 为原料 ,以柠檬酸、乙二醇及乙二胺四乙酸( EDTA)为络合剂 ,利用溶胶 -凝胶旋转涂覆工艺 ,分别在 Al2 O3和 Pt/Ti/Si O2 /Si的衬底上制备了Sr Bi2 Ta2 O9( SBT)铁电陶瓷薄膜 .采用 SE... 采用可溶性无机盐 Sr( NO3) 2 ,Bi( NO3) 3及 HTa F6 为原料 ,以柠檬酸、乙二醇及乙二胺四乙酸( EDTA)为络合剂 ,利用溶胶 -凝胶旋转涂覆工艺 ,分别在 Al2 O3和 Pt/Ti/Si O2 /Si的衬底上制备了Sr Bi2 Ta2 O9( SBT)铁电陶瓷薄膜 .采用 SEM,XRD及 FTIR等微观分析手段 ,对制备的 SBT溶胶与薄膜过程机理进行了实验研究 .结果表明 ,由无机盐溶液原料络合合成 SBT溶胶是此方法制膜的关键 ,其中络合剂的种类、用量和 p H值的控制等是重要的影响因素 .制备了相组成均一、薄膜表面致密、均匀、无开裂、晶粒尺寸为 1 5 0 nm的多晶膜 ,获得了剩余极化 ( 2 Pr)与矫顽电场强度 ( 2 Ec)分别为 9.6μC/cm2 与 76k V/cm铁电性能较好的薄膜材料 . 展开更多
关键词 SrBi2ta2o9 溶胶-凝胶 铁电 薄膜
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SBT材料微结构的TEM研究(英文)
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作者 朱信华 朱健民 +3 位作者 周舜华 李齐 刘治国 闵乃本 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期287-293,共7页
本文利用透射电子显微术 (TEM)对SrBi2 Ta2 O9(SBT)材料 (单晶、陶瓷及薄膜 )的微结构进行了研究。在 (0 0 1 )取向的SBT单晶材料及多晶陶瓷中观察到 90°铁电畴结构。在SBT晶体中观察到大量的条带状四度反相畴界结构和少量的三度... 本文利用透射电子显微术 (TEM)对SrBi2 Ta2 O9(SBT)材料 (单晶、陶瓷及薄膜 )的微结构进行了研究。在 (0 0 1 )取向的SBT单晶材料及多晶陶瓷中观察到 90°铁电畴结构。在SBT晶体中观察到大量的条带状四度反相畴界结构和少量的三度反相畴界结构 ,利用TaO6 氧八面体的扭转和四态自旋结构模型 ,对反相畴界结构的实验观测结果进行了解释。在 (0 0 1 )取向的SBT铁电薄膜中 ,观察到小角晶界 (倾角为 8 2°)的位错分解现象 ,导致不全位错和层错的出现。利用平衡状态下两个不全位错之间的排斥力等于层错的吸引力 ,估算了小角晶界处的层错能量 ,大小为 0 2 7~ 0 2 9J m2 。小角晶界位错的分解对 (0 0 1 ) 展开更多
关键词 SBT材料 SrBi2ta2o9材料 微结构 TEM 铁电薄膜 透射电子显微术 铁电畴结构 钽酸盐
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