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沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu_2ZnSnSe_4薄膜电池的影响
1
作者
刘晓茹
李建军
+5 位作者
刘玮
刘芳芳
敖建平
孙云
周志强
张毅
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第4期578-583,共6页
无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响。通过XRD测试可知,水浴法制备的Z...
无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响。通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态。通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%)。通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒。将Zn(O,S)薄膜应用在CZTSe电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%。
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关键词
无镉缓冲层
化学水浴法
Zn(O
S)
cztse薄膜电池
沉积时间
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职称材料
题名
沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu_2ZnSnSe_4薄膜电池的影响
1
作者
刘晓茹
李建军
刘玮
刘芳芳
敖建平
孙云
周志强
张毅
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
出处
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第4期578-583,共6页
基金
国家自然科学基金(51572132
61504067
+1 种基金
61674082)
广东省扬帆科技计划团队项目(2014YT02N037)
文摘
无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响。通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态。通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%)。通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒。将Zn(O,S)薄膜应用在CZTSe电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%。
关键词
无镉缓冲层
化学水浴法
Zn(O
S)
cztse薄膜电池
沉积时间
Keywords
Cd-free buffer layer
chemical bath depositon
Zn（O, S）
cztse
thin film solar cell
deposition time
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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出处
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1
沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu_2ZnSnSe_4薄膜电池的影响
刘晓茹
李建军
刘玮
刘芳芳
敖建平
孙云
周志强
张毅
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017
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