CoSy C语言编译器安全性研究

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作者 王少培 吴健 阮园 《计算机工程》 CAS CSCD 2012年第6期43-46,共4页

为验证CoSy编译器的安全性,并确定不安全因素大致出现的位置,提出一种通过控制流图的同构对比判定CoSy编译器是否安全的方法。该方法生成源程序的控制流图以及CoSy中级中间表示的控制流图后,生成由CoSy编译器产生的目标汇编码的控制流图... 为验证CoSy编译器的安全性,并确定不安全因素大致出现的位置,提出一种通过控制流图的同构对比判定CoSy编译器是否安全的方法。该方法生成源程序的控制流图以及CoSy中级中间表示的控制流图后,生成由CoSy编译器产生的目标汇编码的控制流图,根据控制流图同构算法,判断控制流图是否同构,由此确定CoSy编译器的不安全因素发生在编译器的前端还是后端。实验结果表明,该方法能有效验证编译器的安全性。 展开更多

关键词 编译器安全性 中间表示 控制流图 cosy编译器 同构图 不安全因素范围

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太白米中的甾体生物碱苷 被引量：6

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作者 周乐 董旭俊 +1 位作者 赵海双 耿会领 《西北植物学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期1158-1162,共5页

对太白米的叶、大鳞茎和小鳞茎进行了化学成分系统预试,从大鳞茎中分离得到4个甾体生物碱苷,通过对其IR、FAB MS、SIMS、1 H NMR、1 3C NMR、DEPT、HMQC、HMBC和1 H- 1 H COSY的综合解析鉴定了其中3个结构,它们分别为茄次碱- 3- O-α- ... 对太白米的叶、大鳞茎和小鳞茎进行了化学成分系统预试,从大鳞茎中分离得到4个甾体生物碱苷,通过对其IR、FAB MS、SIMS、1 H NMR、1 3C NMR、DEPT、HMQC、HMBC和1 H- 1 H COSY的综合解析鉴定了其中3个结构,它们分别为茄次碱- 3- O-α- L -吡喃鼠李糖- 1→2 -β- D-吡喃葡萄糖苷 、茄次碱- 3- O-α- L -吡喃鼠李糖- 1→2 - [β- D-吡喃葡萄糖- 1→4 ]-β- D-吡喃葡萄糖苷 和茄次碱- 3- O-α- L -吡喃鼠李糖- 1→2 - [β- D-吡喃葡萄糖- 1→3 -β- D-吡喃葡萄糖- 1→4 ]-β- D-吡喃葡萄糖苷 . 展开更多

关键词 甾体生物碱 太白米 吡喃葡萄糖苷 FABMS 鼠李糖 SIMS DEPT HMQC HMBC cosy 分系统 小鳞茎

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假地枫皮中二萜酸类化合物研究(英文) 被引量：13

3

作者 黄平 Gloria Karagianis Peter G Waterman 《天然产物研究与开发》 CAS CSCD 2005年第3期309-312,共4页

从八角属植物假地枫皮的石油醚提取物中分离出5个二萜酸类化合物,经波谱数据分析(1HNMR、13CNMR、1H1HCOSY、NOESY、HSQC和HMBC),分别鉴定为4epidehydroabieticacid(1)、4episandaracopinaricacid(2)、4epiabieticacid(3)、4epiisopimar... 从八角属植物假地枫皮的石油醚提取物中分离出5个二萜酸类化合物,经波谱数据分析(1HNMR、13CNMR、1H1HCOSY、NOESY、HSQC和HMBC),分别鉴定为4epidehydroabieticacid(1)、4episandaracopinaricacid(2)、4epiabieticacid(3)、4epiisopimaricacid(4)和8,11,13,15abietatetraen19oicacid(4)。 展开更多

关键词 化合物 酸类 二萜 石油醚提取物 八角属植物 NOESY 数据分析 ^13C cosy NMR 波谱

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基于错误模式和模型检验的静态代码分析方法 被引量：3

4

作者 魏雪菲 吴健 阮园 《计算机工程》 CAS CSCD 2012年第6期47-49,共3页

为提高程序编写的正确率,减少软件开发和维护开销,提出一种基于错误模式和模型检验的静态代码分析方法。该方法将C语言程序常见的错误模式以CTL公式表示,形成可扩展的CTL公式库,生成待检测程序的控制流图(CFG)后,将CFG抽象并转化为等价... 为提高程序编写的正确率,减少软件开发和维护开销,提出一种基于错误模式和模型检验的静态代码分析方法。该方法将C语言程序常见的错误模式以CTL公式表示,形成可扩展的CTL公式库,生成待检测程序的控制流图(CFG)后,将CFG抽象并转化为等价的Kripke结构,利用标号算法实现模型检验,由此验证程序的正确性。基于CoSy编译平台的实验结果表明,该方法能正确查找出程序中存在的错误模式,且具有良好的可扩展性。 展开更多

关键词 错误模式 模型检验 CTL公式 控制流图 KRIPKE结构 cosy编译器平台

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CoSi_2合金电子结构和光学性质的理论研究

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作者 张富春 崔红卫 +1 位作者 杨延宁 张威虎 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第14期14043-14047,共5页

采用基于密度泛函理论框架的第一性原理计算方法,利用LSDA+U方法计算了CoSi2合金材料的电子结构和光学性质。计算结果表明,CoSi2合金能带结构的导带和价带在费米能级附近存在明显的交叠,表现出半金属特性。随着U值的增加,费米能级处的... 采用基于密度泛函理论框架的第一性原理计算方法,利用LSDA+U方法计算了CoSi2合金材料的电子结构和光学性质。计算结果表明,CoSi2合金能带结构的导带和价带在费米能级附近存在明显的交叠,表现出半金属特性。随着U值的增加,费米能级处的能级逐渐分裂,导带部分和价带部分分别向高能和低能方向移动,当U=8时,CoSi2合金出现自旋劈裂现象。电荷密度计算结果显示Co—Si键是一种以共价键为主且含有部分离子键成分的混合价合金材料,载流子具有明显的由Si原子向Co原子的电荷转移特性。光学吸收谱分析表明,随着U值的增大,CoSi2材料的吸收峰发生蓝移现象,吸收峰强度逐渐减弱。这些结果表明,CoSi2合金材料是一种很好的具有一定发光性能的热电材料。 展开更多

关键词 CoSi2合金 HubbardU 电子结构 光学性质

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CoSi2薄膜与Si(001)界面的高分辨电子显微镜观察

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作者 邢辉 周鸥 +1 位作者 孙坚 黄红伟 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第1期21-25,共5页

利用高分辨透射电镜研究了经过550℃退火处理的共溅射CoSi2非晶结构薄膜与Si基体的界面。结果表明,550℃退火后薄膜已经发生晶化转变;同时CoSi2薄膜与Si基体发生反应扩散,在界面上生成了形状规则的CoSi2化合物,并与Si基体保持着相同的... 利用高分辨透射电镜研究了经过550℃退火处理的共溅射CoSi2非晶结构薄膜与Si基体的界面。结果表明,550℃退火后薄膜已经发生晶化转变;同时CoSi2薄膜与Si基体发生反应扩散,在界面上生成了形状规则的CoSi2化合物,并与Si基体保持着相同的位向关系或孪晶位向关系。结合以上电镜观察,对这些界面化合物的生长机制进行了讨论。 展开更多

关键词 界面 COSI2 高分辨电子显微术

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水面舰船的指挥与控制系统 被引量：1

7

作者 钱胜 《国外舰船工程》 2003年第9期23-24,共2页

关键词 水面舰船 指挥控制系统 cosyS 作战管理系统 CORBA中间件 网络通信 作战能力 传感器 雷达 舰炮

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医药其它

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《生物技术通报》 CAS CSCD 1990年第6期83-87,共5页

用PMR, COSY. CMR, IR和EI-MS光谱法分析提纯后的化合物,并测定了A和B的结构.双乙酸盐衍生物的胆甾烯酮-5-。一还原酶抑制因子活性明显降低,而双乙酸盐的降解产物不具备这一活性.(工颖)

关键词 乙酸盐 cosy 降解产物 烯酮 光谱法 还原酶 活性表达 差向异构化 抑制因子 重组体

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B掺杂CoSi的微观组织和单晶热电性能 被引量：2

9

作者 周扬 李成川 +2 位作者 任维丽 张澜庭 吴建生 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期2055-2059,共5页

研究了掺杂B后CoSi化合物的微观组织及单晶的热电性能。结果表明 :B在CoSi中的最大固溶度为0 .4 % (摩尔分数 ) ,CoSi化合物的晶格常数随着B含量的增加线性减小 ,当B含量达到其最大固溶度时晶格常数不再变化 ;电弧熔炼制备的CoSi1-xBx ... 研究了掺杂B后CoSi化合物的微观组织及单晶的热电性能。结果表明 :B在CoSi中的最大固溶度为0 .4 % (摩尔分数 ) ,CoSi化合物的晶格常数随着B含量的增加线性减小 ,当B含量达到其最大固溶度时晶格常数不再变化 ;电弧熔炼制备的CoSi1-xBx 材料具有很多空洞和裂纹 ,单晶试样大大减少了组织上的缺陷 ;掺杂B后CoSi0 .995B0 .0 0 5单晶仍为N型传导 ,Seebeck系数的绝对值增加 ,电阻率下降 ,热导率升高 ;掺杂B后热电优值(ZT) 展开更多

关键词 B 固溶 晶格常数 CoSi单晶 热电性能

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热电材料CoSi化合物的机械合金化合成 被引量：1

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作者 李成川 任维丽 +2 位作者 潘志军 张澜庭 吴建生 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期889-892,897,共5页

采用高能行星球磨的方法研究了等计量比CoSi的纯元素混合粉末的机械合金化过程.对球磨不同时间粉末的结果分析和观察表明:球磨产物为单相CoSi化合物,其晶粒尺寸随球磨的时间延长而减小,没有发生非晶化,并对此进行了热力学分析.

关键词 热电材料 CoSi 机械合金化 纳米晶 热动力学

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单侧聋使用信号对传式助听器干预效果研究 被引量：4

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作者 晏小惠 史文迪 +2 位作者 林莹 金冬冬 王永华 《中华耳科学杂志》 CSCD 北大核心 2021年第2期244-247,共4页

目的进行言语识别率测试和助听效果评估调查问卷(COSI问卷)初步评价信号对传式(contralateral routing of sound,CROS)助听器应用于单侧聋患者的助听效果。方法20例单侧聋患者进行助听后效果评估,分别进行CROS助听器干预前后安静环境下... 目的进行言语识别率测试和助听效果评估调查问卷(COSI问卷)初步评价信号对传式(contralateral routing of sound,CROS)助听器应用于单侧聋患者的助听效果。方法20例单侧聋患者进行助听后效果评估,分别进行CROS助听器干预前后安静环境下和噪声环境下言语测试、噪声下言语识别速测表(Quick SIN)以及助听6周后患者导向听觉改善分级(client oriented scale of improvement,COSI)问卷评估。结果患者安静环境、SNR=5dB、SNR=10dB时,佩戴CROS助听器言语识别率与未佩戴相比差异有统计学意义(P<0.001);信噪比为0 dB时,无显著性差异(P=0.242);20例患者中,12人有无佩戴CROS助听器的SNR Loss比较,有显著性差异(P<0.001);8人有无佩戴CROS助听器的SNR Loss比较,未见显著性差异(P=0.095)。助听6周后随访患者最终能力评分≥4分者占77%,最终能力评分与自觉改善程度基本一致,CROS助听器对大部分患者在特定情境中交流舒适度有显著改善。结论安静环境下单侧聋患者能通过使用CROS助听器显著受益;噪声环境下信噪比越高,使用CROS助听器获益越明显。 展开更多

关键词 单侧聋 信号对传式助听器 言语识别率 COSI量表

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应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究

12

作者 陶江 武国英 +3 位作者 张国炳 孙玉秀 王阳元 都安彦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期110-112,共3页

本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(～16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细研究了Co和Si、SiO_2之间的反应,CoSi_2薄膜的电学特性及... 本文应用炉退火和快速退火(RTA)两种方法,使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低(～16μΩ·cm)的CoSi_2薄膜。采用XRD、AES、TEM(横截面)、SEM、四探针等分析测试手段,详细研究了Co和Si、SiO_2之间的反应,CoSi_2薄膜的电学特性及CoSi_2/Si,CoSi_2,SiO_2界面形貌。结果表明,CoSi_2是除TiSi_2外另一个可用于MOS自对准技术的硅化物。 展开更多

关键词 硅化物 自对准技术 CoSi薄膜 形貌

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CoSi_2(001)表面的第一原理计算

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作者 王国章 《科学技术与工程》 2007年第17期4433-4434,4447,共3页

基于广义梯度近似的从头算平面波超软赝势方法,考虑了CoSi2(001)面的Si和Co两种终止表面。结果表明表面能较低的Si终止表面比Co终止表面稳定。但是,由于差距不大,这两种终止表面可以共同存在。两种不同终止表面第1层原子与第2层原子弛... 基于广义梯度近似的从头算平面波超软赝势方法,考虑了CoSi2(001)面的Si和Co两种终止表面。结果表明表面能较低的Si终止表面比Co终止表面稳定。但是,由于差距不大,这两种终止表面可以共同存在。两种不同终止表面第1层原子与第2层原子弛豫后的间距都变小,Si终止表面的表面四层间距弛豫量略大于Co终止表面。 展开更多

关键词 从头算 COSI2 表面能 弛豫

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CoSi(001)∥MgO(001)薄膜电子结构和铁磁性的第一性原理计算

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作者 邹江 汪鑫海 +3 位作者 王立峰 贺娟 吴波 谢泉 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期5173-5177,5192,共6页

使用了基于密度泛函理论的第一性原理的方法,计算了外延关系为CoSi(001)∥MgO(001)的薄膜生长体系的电子结构和磁矩,以及分析了其电荷密度与差分电荷密度。结果发现当CoSi晶体的晶格常数a,b设定为0.84224 nm,c=0.28135 nm时,体系的能量... 使用了基于密度泛函理论的第一性原理的方法,计算了外延关系为CoSi(001)∥MgO(001)的薄膜生长体系的电子结构和磁矩,以及分析了其电荷密度与差分电荷密度。结果发现当CoSi晶体的晶格常数a,b设定为0.84224 nm,c=0.28135 nm时,体系的能量最低,达到最稳定的平衡态。由自旋极化能带图、总电子态密度以及分态密度可知,该CoSi外延薄膜的导带底与价带顶发生明显的交叠从而表现出金属性同时在费米能级附近产生了明显的自旋裂化现象;价带顶主要是由Co的3d^(7)态电子构成,而导带底主要由Si的3p态电子构成,同时由态密度可知其产生了赝能隙现象,Co-3d态电子不仅主要贡献了态密度,也是薄膜产生磁性的主要因素。由计算结果的密里根电荷以及电荷密度可知,电子由Si转移到Co,Co作为电子受主,Co之间形成反键态,Co、Si之间形成共价键结构。经计算该外延关系下的CoSi具有铁磁性,总磁矩为0.52μB。 展开更多

关键词 CoSi薄膜 第一性原理 电子结构 电荷密度 磁性

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