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CoSi2薄膜与Si(001)界面的高分辨电子显微镜观察: 1; 作者邢辉周鸥 +1 位作者孙坚黄红伟《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第1期21-25,共5页; 利用高分辨透射电镜研究了经过550℃退火处理的共溅射CoSi2非晶结构薄膜与Si基体的界面。结果表明,550℃退火后薄膜已经发生晶化转变;同时CoSi2薄膜与Si基体发生反应扩散,在界面上生成了形状规则的CoSi2化合物,并与Si基体保持着相同的... 展开更多; 关键词界面 cosi2 高分辨电子显微术; 在线阅读下载PDF 职称材料

CoSi_2合金电子结构和光学性质的理论研究: 2; 作者张富春崔红卫 +1 位作者杨延宁张威虎《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第14期14043-14047,共5页; 采用基于密度泛函理论框架的第一性原理计算方法,利用LSDA+U方法计算了CoSi2合金材料的电子结构和光学性质。计算结果表明,CoSi2合金能带结构的导带和价带在费米能级附近存在明显的交叠,表现出半金属特性。随着U值的增加,费米能级处的... 展开更多; 关键词 cosi2合金 HubbardU 电子结构光学性质; 在线阅读下载PDF 职称材料

在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究被引量：1: 3; 作者吴正龙姚振钰 +2 位作者张建辉刘志凯秦复光《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期492-495,共4页; 利用质量分离低能离子束外延法，在Si（111）上生长出了硅化钻薄膜．表面微结构及表面组分、化学价态的分析测试表明，此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜．通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果，对... 展开更多; 关键词硅化钴薄膜 XPS RDE 外延生长硅 SEM; 在线阅读下载PDF 职称材料

CoSi_2(001)表面的第一原理计算: 4; 作者王国章《科学技术与工程》 2007年第17期4433-4434,4447,共3页; 基于广义梯度近似的从头算平面波超软赝势方法,考虑了CoSi2(001)面的Si和Co两种终止表面。结果表明表面能较低的Si终止表面比Co终止表面稳定。但是,由于差距不大,这两种终止表面可以共同存在。两种不同终止表面第1层原子与第2层原子弛... 展开更多; 关键词从头算 cosi2 表面能弛豫; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CoSi2薄膜与Si(001)界面的高分辨电子显微镜观察: 1; 作者邢辉周鸥孙坚黄红伟; 机构上海交通大学材料科学与工程学院上海宏力半导体制造有限公司; 出处《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第1期21-25,共5页; 文摘利用高分辨透射电镜研究了经过550℃退火处理的共溅射CoSi2非晶结构薄膜与Si基体的界面。结果表明,550℃退火后薄膜已经发生晶化转变;同时CoSi2薄膜与Si基体发生反应扩散,在界面上生成了形状规则的CoSi2化合物,并与Si基体保持着相同的位向关系或孪晶位向关系。结合以上电镜观察,对这些界面化合物的生长机制进行了讨论。; 关键词界面 cosi2 高分辨电子显微术; Keywords interface cosi2 high-resolution electron microscopy; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CoSi_2合金电子结构和光学性质的理论研究: 2; 作者张富春崔红卫杨延宁张威虎; 机构延安大学物理与电子信息学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第14期14043-14047,共5页; 基金陕西省自然科学基金资助项目(2014JM2-5058) 陕西省教育厅自然科学基金资助项目(2013JK0917) +2 种基金榆林市产学研资助项目(036) 延安大学科研引导资助项目(YDY2014-02); 文摘采用基于密度泛函理论框架的第一性原理计算方法,利用LSDA+U方法计算了CoSi2合金材料的电子结构和光学性质。计算结果表明,CoSi2合金能带结构的导带和价带在费米能级附近存在明显的交叠,表现出半金属特性。随着U值的增加,费米能级处的能级逐渐分裂,导带部分和价带部分分别向高能和低能方向移动,当U=8时,CoSi2合金出现自旋劈裂现象。电荷密度计算结果显示Co—Si键是一种以共价键为主且含有部分离子键成分的混合价合金材料,载流子具有明显的由Si原子向Co原子的电荷转移特性。光学吸收谱分析表明,随着U值的增大,CoSi2材料的吸收峰发生蓝移现象,吸收峰强度逐渐减弱。这些结果表明,CoSi2合金材料是一种很好的具有一定发光性能的热电材料。; 关键词 cosi2合金 HubbardU 电子结构光学性质; Keywords cosi2alloy Hubbard U electronic structure optical properties; 分类号 TB01 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究被引量：1: 3; 作者吴正龙姚振钰张建辉刘志凯秦复光; 机构北京师范大学分析测试中心中国科学院半导体研究所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期492-495,共4页; 基金 "八五"攻关计划资助!857010504; 文摘利用质量分离低能离子束外延法，在Si（111）上生长出了硅化钻薄膜．表面微结构及表面组分、化学价态的分析测试表明，此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜．通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果，对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析．; 关键词硅化钴薄膜 XPS RDE 外延生长硅 SEM; Keywords ion beam reaction deposition cosi2 film X-ray photoelectron spectroscopy; 分类号 O484.1 [理学—固体物理] TN304.205 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CoSi_2(001)表面的第一原理计算: 4; 作者王国章; 机构榆林学院物理与电气工程系; 出处《科学技术与工程》 2007年第17期4433-4434,4447,共3页; 文摘基于广义梯度近似的从头算平面波超软赝势方法,考虑了CoSi2(001)面的Si和Co两种终止表面。结果表明表面能较低的Si终止表面比Co终止表面稳定。但是,由于差距不大,这两种终止表面可以共同存在。两种不同终止表面第1层原子与第2层原子弛豫后的间距都变小,Si终止表面的表面四层间距弛豫量略大于Co终止表面。; 关键词从头算 cosi2 表面能弛豫; Keywords ab initio CoSi/ surface energy relaxation; 分类号 O562.1 [理学—原子与分子物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	CoSi2薄膜与Si(001)界面的高分辨电子显微镜观察	邢辉周鸥孙坚黄红伟	《电子显微学报》 CAS CSCD	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	CoSi_2合金电子结构和光学性质的理论研究	张富春崔红卫杨延宁张威虎	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究	吴正龙姚振钰张建辉刘志凯秦复光	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	1998	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	CoSi_2(001)表面的第一原理计算	王国章	《科学技术与工程》	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料