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深亚微米CMOS运算放大器的综合
被引量：
8
1
作者
易婷
洪志良
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2004年第12期1631-1639,共9页
利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能...
利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能要求 大量的实验结果表明 :文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS运算放大器。
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关键词
cmos运算放大器
模拟电路综合
直流工作点
可制造性电路设计
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职称材料
低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计
被引量：
2
2
作者
周欢欢
陈岚
+1 位作者
尹明会
吕志强
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期651-655,共5页
设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益...
设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益。输出级采用AB类结构,通过米勒补偿控制零点使系统稳定,此运放可用于低压低功耗电子设备中。整个电路用CSMC 0.5μm BCDMOS工艺参数进行设计,工作电压为2.7 V。Spectre仿真结果显示,此运放实现了直流开环增益90 dB(负载电阻R L=600Ω),相位裕度70°,增益带宽积1.4 MHz,静态电流0.18 mA。设计的运算放大器满足设计指标。
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关键词
互补金属氧化物半导体（
cmos
）
运算
放大器
AB类
低压
增益提高
恒跨导
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职称材料
高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计
3
作者
王敏聪
刘成
《现代电子技术》
北大核心
2024年第16期33-38,共6页
为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈,提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器,结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级...
为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈,提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器,结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级。设计中加入了修调电路、Clamp电路及ESD防护电路。芯片面积为2390μm×1660μm。在SMIC 0.18μm CMOS工艺下进行了前仿真、版图绘制及Calibre后仿真。前仿结果显示:当负载电容为10μF时,电路实现了126 dB的高开环增益和97°的相位裕度,同时PSRR超过131 dB,噪声为448 nV/Hz@100 Hz及1 nV/Hz@100 Hz。后仿结果与前仿结果基本一致。总体结果表明,该电路具有高增益、高电源抑制比及低噪声等特点,同时拥有很高的输出驱动能力。因此,所提出的基准电压缓冲芯片可以用于驱动如像素阵列等具有大电容负载的电路。
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关键词
基准电压缓冲芯片
cmos
电压缓冲
运算
放大器
ESD防护电路
芯片版图
高增益
高驱动能力
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职称材料
题名
深亚微米CMOS运算放大器的综合
被引量：
8
1
作者
易婷
洪志良
机构
复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室
出处
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2004年第12期1631-1639,共9页
文摘
利用一种计算电路直流工作点的技术 ,并采用基于BSIM 3v3MOS模型的MOS管评估器来提高基于公式法进行电路综合的精度 ;同时提出一种综合策略 ,使得综合后得出的运算放大器在工艺波动和工作条件 (如电源电压和温度 )变化时 ,仍能满足性能要求 大量的实验结果表明 :文中方法可以快速综合出可制造的深亚微米CMOS运算放大器。
关键词
cmos运算放大器
模拟电路综合
直流工作点
可制造性电路设计
Keywords
cmos
operational amplifier
analog circuit synthesis
operating point
manufacturable circuit design
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计
被引量：
2
2
作者
周欢欢
陈岚
尹明会
吕志强
机构
中国科学研究院微电子研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期651-655,共5页
基金
国家科技重大专项(2009ZX02303-004
2010ZX02201-002-001)
文摘
设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益。输出级采用AB类结构,通过米勒补偿控制零点使系统稳定,此运放可用于低压低功耗电子设备中。整个电路用CSMC 0.5μm BCDMOS工艺参数进行设计,工作电压为2.7 V。Spectre仿真结果显示,此运放实现了直流开环增益90 dB(负载电阻R L=600Ω),相位裕度70°,增益带宽积1.4 MHz,静态电流0.18 mA。设计的运算放大器满足设计指标。
关键词
互补金属氧化物半导体（
cmos
）
运算
放大器
AB类
低压
增益提高
恒跨导
Keywords
complementary metal-oxide-semiconductor （
cmos
） operational amplifier
class AB
low voltage
gain boost
constant transconductance
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计
3
作者
王敏聪
刘成
机构
上海大学微电子学院
出处
《现代电子技术》
北大核心
2024年第16期33-38,共6页
基金
国家重点研发计划项目(2021YFB3200600)
国家重点研发计划项目(2021YFB3200602)。
文摘
为了解决当前CMOS基准电压缓冲器在驱动大电容负载电路时所面临的可靠性问题和性能瓶颈,提出一种高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片。该芯片采用CMOS缓冲放大器,结构包括折叠式共源共栅输入级、轨至轨Class AB输出级和推挽输出缓冲级。设计中加入了修调电路、Clamp电路及ESD防护电路。芯片面积为2390μm×1660μm。在SMIC 0.18μm CMOS工艺下进行了前仿真、版图绘制及Calibre后仿真。前仿结果显示:当负载电容为10μF时,电路实现了126 dB的高开环增益和97°的相位裕度,同时PSRR超过131 dB,噪声为448 nV/Hz@100 Hz及1 nV/Hz@100 Hz。后仿结果与前仿结果基本一致。总体结果表明,该电路具有高增益、高电源抑制比及低噪声等特点,同时拥有很高的输出驱动能力。因此,所提出的基准电压缓冲芯片可以用于驱动如像素阵列等具有大电容负载的电路。
关键词
基准电压缓冲芯片
cmos
电压缓冲
运算
放大器
ESD防护电路
芯片版图
高增益
高驱动能力
Keywords
reference voltage buffer chip
cmos
voltage buffer operational amplifier
ESD protection circuit
chip layout
high gain
high driving ability
分类号
TN402-34 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722-34 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
深亚微米CMOS运算放大器的综合
易婷
洪志良
《计算机辅助设计与图形学学报》
EI
CSCD
北大核心
2004
8
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计
周欢欢
陈岚
尹明会
吕志强
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计
王敏聪
刘成
《现代电子技术》
北大核心
2024
0
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职称材料
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