低谐波失真的CMOS正弦波振荡器设计 被引量：4

1

作者 陈思远 高明伦 +1 位作者 肖飞 何书专 《电子测量技术》 2008年第4期13-16,共4页

本文设计了一种具有低谐波失真输出的CMOS正弦波振荡器。该振荡器以RC有源微分电路作为选频回路。在实际电路设计中应计及运算放大器的频率特性,由此可得RC有源微分电路为二阶高Q电路。该电路具有良好的选频特性,大幅降低了振荡器输出... 本文设计了一种具有低谐波失真输出的CMOS正弦波振荡器。该振荡器以RC有源微分电路作为选频回路。在实际电路设计中应计及运算放大器的频率特性,由此可得RC有源微分电路为二阶高Q电路。该电路具有良好的选频特性,大幅降低了振荡器输出的谐波失真,并配合移相和可变增益电路以满足振荡器起振条件。使用本文设计的CMOS运算放大器,该振荡器可起振的带宽可达200Hz～2MHz,其谐波失真小于通带噪声。以输出正弦波频率为100kHz为例,给出了Hspice仿真结果。 展开更多

关键词 cmos正弦波振荡器 RC有源微分电路 谐波失真 运算放大器频率特性

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RFCMOS、BiCMOS的新进展(四)——振荡器、混频器与频率综合器

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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1093-1106,共14页

当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RFCMOS和RFBiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RFIC发展的主要方面,凝练了各类RFIC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多

关键词 射频(RF)cmos RF Bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成

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RF CMOS、BiCMOS的新进展(一)——低噪声放大器与接收前端

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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期757-772,共16页

当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多

关键词 射频(RF)cmos RF Bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成

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RF CMOS、BiCMOS的新进展(二)——射频-直流整流器与射频能量收集器

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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期885-892,共8页

当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多

关键词 射频(RF)cmos RF Bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成

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RF CMOS、BiCMOS的新进展(三)——功率放大器、RF信号放大器与发射机

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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期981-994,共14页

当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多

关键词 射频(RF)cmos RF Bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成

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新型 CMOS 数控振荡器 被引量：2

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作者 龙沪强 陈昌发 蔡潮盛 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期57-60,共4页

提出了一种新型ＣＭＯＳ数控振荡器的设计．该振荡器由一个结构简单的电流控制振荡器和一组可数控的电流源电路构成，电路结构简单，非常适合作为ＡＳＩＣ单元电路使用，既可单独作为数控振荡器使用，也可用作为数字锁相环中的一个部件... 提出了一种新型ＣＭＯＳ数控振荡器的设计．该振荡器由一个结构简单的电流控制振荡器和一组可数控的电流源电路构成，电路结构简单，非常适合作为ＡＳＩＣ单元电路使用，既可单独作为数控振荡器使用，也可用作为数字锁相环中的一个部件．计算机电路模拟结果表明，新型ＣＭＯＳ数控振荡器具有较高的自激振荡频率、较宽的频率变化范围及较高的频率控制精度等特性，在计算机接口电路中有着良好的应用前景． 展开更多

关键词 数控振荡器 电流控制振荡 振荡器 cmos

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一种频率线性可调的正交正弦波振荡器 被引量：2

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作者 王展飞 鲁文高 +1 位作者 李峰 李志宏 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期49-53,共5页

设计了一种用于MEMS传感器电容读出的频率可调的正弦波振荡器。振荡器采用OTA-C结构,通过调节工作于线性区的MOS管的漏源电压来改变OTA的gm,从而实现对频率的调节。振荡器可输出四路相位分别为90°,180°,270°和360°... 设计了一种用于MEMS传感器电容读出的频率可调的正弦波振荡器。振荡器采用OTA-C结构,通过调节工作于线性区的MOS管的漏源电压来改变OTA的gm,从而实现对频率的调节。振荡器可输出四路相位分别为90°,180°,270°和360°的振荡信号。芯片在0.5μm 2P3M CMOS工艺下设计并流片,测试表明在5 V电源电压下振荡频率在180 KHz^1.2 MHz之间线性可调,振荡频率对于电源电压变化的灵敏度为8.1%/V。 展开更多

关键词 OTA—C 振荡器 VCO 正弦波发生器 频率可调

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电流模式CCⅡ正弦波振荡器的实现 被引量：5

8

作者 张涛 赵述江 《武汉科技大学学报》 CAS 2000年第3期284-285,288,共3页

论述由带通滤波器产生正弦波振荡器的一般原理 ,应用此方法成功地设计了电流模式 CC 正弦波振荡器 ,并对电路进行了 Pspice仿真。

关键词 电流模式 电流传输器 振荡器 正弦波

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新型 CMOS 注入锁定振荡器电路的设计 被引量：1

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作者 龙沪强 陈昌发 蔡潮盛 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期29-33,共5页

设计了一种新型ＣＭＯＳ注入锁定振荡器电路，它是一个由差分比较器和一串反相器所构成的变型环形振荡器．该振荡器的注入锁定特性是基于差分比较器的相移作用．它不仅具有良好的小信号自适应带宽特性，而且还能实现相干相位同步，它的... 设计了一种新型ＣＭＯＳ注入锁定振荡器电路，它是一个由差分比较器和一串反相器所构成的变型环形振荡器．该振荡器的注入锁定特性是基于差分比较器的相移作用．它不仅具有良好的小信号自适应带宽特性，而且还能实现相干相位同步，它的一些基本特征类似于一阶锁相环．分析论证了它的基本原理及特性，并讨论了计算机电路模拟的结果． 展开更多

关键词 注入锁定振荡器 锁相环 振荡器 电路设计 cmos

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一种高精度的RC振荡器电路 被引量：1

10

作者 张亮 王静 冯玉明 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期71-76,共6页

为了给微处理器芯片提供高精度的内部时钟,基于110 nm CMOS工艺设计了一种高精度电阻电容(RC)振荡器电路。通过在振荡器结构中引入充放电电流粗调电路、参考电压细调电路、温度系数调节电路,实现了对振荡器电路的工艺偏差、电压敏感度... 为了给微处理器芯片提供高精度的内部时钟,基于110 nm CMOS工艺设计了一种高精度电阻电容(RC)振荡器电路。通过在振荡器结构中引入充放电电流粗调电路、参考电压细调电路、温度系数调节电路,实现了对振荡器电路的工艺偏差、电压敏感度、温度敏感度的有效补偿。细调电路提取与电压、工艺及温度都无关的比例系数作为频率调节因子;温度系数调节电路通过合理匹配使得常温下电阻不受档位变化的影响,改善温度系数的同时提高了档位调节过程中的频率稳定性。芯片实测结果显示,经过粗调、细调和温度系数调节三重校正后,振荡器典型输出频率为8 MHz,在-40~150℃的全温度范围内频率变化小于±0.5%,实现了对RC振荡器电路工艺偏差、电压敏感度、温度敏感度的补偿。 展开更多

关键词 高精度 电阻电容(RC)振荡器 电压系数修调 温度补偿 cmos工艺

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用积累型MOS变容管实现的2.4GHz0.25μm CMOS全集成压控振荡器 被引量：1

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作者 王文骐 池懿 李长生 《微波学报》 CSCD 北大核心 2005年第B04期104-106,共3页

基于TSMC0．25μmCMOS工艺，将一个普通MOS管改进为工作在积累区的MOS变容管，实现了一工作于2．4GHz的全集成压控振荡器（VCO）。测试结果表明，采用积累型MOS变容管的VCO具有较大的调谐范围。在2．5V工作电压下，控制电压从0～2．2V，... 基于TSMC0．25μmCMOS工艺，将一个普通MOS管改进为工作在积累区的MOS变容管，实现了一工作于2．4GHz的全集成压控振荡器（VCO）。测试结果表明，采用积累型MOS变容管的VCO具有较大的调谐范围。在2．5V工作电压下，控制电压从0～2．2V，VCO的频率调节范围为2．210～2．484GHz，在2．4GHz时相位噪声为-105dBc／Hz@600kHz，输出功率为-7．55dBm，电流损耗为7mA。芯片面积约为0．35mm^2。 展开更多

关键词 cmos 压控振荡器(VCO) MOS变容管

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Wien bridge电流模式正弦波振荡器的AOA实现 被引量：3

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作者 李永安 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2007年第3期161-163,共3页

以传统的Wien bridge电压模振荡器为原型,根据网络与其伴随网络传输函数相同的特点,用伴随运算放大器(AOA)和分立电阻及电容设计出Wien bridge电流模式振荡器,该电路不仅具有速度高、频率高、电压低及功耗小等电流模电路的特点,而且振... 以传统的Wien bridge电压模振荡器为原型,根据网络与其伴随网络传输函数相同的特点,用伴随运算放大器(AOA)和分立电阻及电容设计出Wien bridge电流模式振荡器,该电路不仅具有速度高、频率高、电压低及功耗小等电流模电路的特点,而且振荡频率和输出幅度可独立的调谐;振荡频率和输出幅度与负载大小无关;振荡频率受寄生电容影响小,输出频率的精确度、稳定度高,电路比较简单,既适合分立电路使用,亦适合VLSI单片集成。计算机仿真证明该设计正确. 展开更多

关键词 伴随运算放大器 伴随网络 电流模 正弦波振荡器

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带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计 被引量：6

13

作者 李小飞 刘宏 +2 位作者 袁圣越 汪明亮 田彤 《现代电子技术》 北大核心 2015年第18期98-101,共4页

基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~1... 基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~100oC时,振荡器输出频率漂移中心频率790 MHz±10 MHz;当振荡频率为790 MHz时,在偏离其中心频率1 MHz处,压控振荡器的相位噪声为-99 d Bc/Hz;1.2 V电源供电情况下,压控振荡器的功耗为0.96 m W;版图面积约为0.005 mm^2。 展开更多

关键词 低功耗 cmos环形压控振荡器 温度补偿 系统设计

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PLBT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器 被引量：1

14

作者 张培宁 张以谟 +4 位作者 郭维廉 郑云光 李树荣 梁惠来 张世林 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 2000年第2期252-254,共3页

首次报道了 PL BT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器的初步研究结果 ,介绍了硅光电负阻器件 (PL BT)

关键词 硅光电负阻器件 振荡器 光控正弦波振荡 PLBT

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一种频率稳定的改进型CMOS环形振荡器 被引量：1

15

作者 吕洁如 秦会斌 黄海云 《机电工程》 CAS 2011年第2期251-254,共4页

介绍了一种频率为1.2 MHz的CMOS环形振荡器的设计,工作电压范围是3 V^6 V,工作温度范围是-40℃~85℃。CMOS振荡器使用了Candence软件仿真工具设计,并采用无锡上华(CSMC)的标准0.5μm双多晶硅、三层金属CMOS工艺制作。为解决振荡频率随... 介绍了一种频率为1.2 MHz的CMOS环形振荡器的设计,工作电压范围是3 V^6 V,工作温度范围是-40℃~85℃。CMOS振荡器使用了Candence软件仿真工具设计,并采用无锡上华(CSMC)的标准0.5μm双多晶硅、三层金属CMOS工艺制作。为解决振荡频率随电压电源变化较大的问题,在分析传统的环形振荡器的基础上,提出了一种改进型的环形振荡器;然后使用Candence软件,在不同工艺角下,对电路进行仿真和分析,得到了电源电压和振荡频率的对应关系。研究结果表明,电源电压从3 V变化到6 V,振荡器输出频率最大变化范围为±5%。 展开更多

关键词 cmos集成电路 振荡器 环形振荡器

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适合宽输出范围频率综合器的CMOS压控振荡器电路

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作者 何波 沈力为 杨莲兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期48-51,共4页

设计了一种基于锁相环宽输出范围(10 ~ 160M)的频率综合器,着重介绍了其中的压控振荡器(VCO)部分,采用单端、电流控制型的环振,使之在整个输出范围内,即0 ~ 120 ℃、工艺的ss ~ ffcorner,增益(Kvco)的变化在3倍以内。无需根据输出频率... 设计了一种基于锁相环宽输出范围(10 ~ 160M)的频率综合器,着重介绍了其中的压控振荡器(VCO)部分,采用单端、电流控制型的环振,使之在整个输出范围内,即0 ~ 120 ℃、工艺的ss ~ ffcorner,增益(Kvco)的变化在3倍以内。无需根据输出频率对电荷泵的充、放电电流或环路滤波器中的电阻作不同设置,环路的衰减因子就可控制在可接受的范围内,并降低了对其它环路参数的要求。设计基于标准0.6μm N-WELL CMOS 工艺,5V供电。 展开更多

关键词 压控振荡器 电流控制型环振 cmos锁相环 频率综合器

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RC正弦波振荡器频率稳定度的分析

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作者 蒋清明 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第2期192-197,共6页

在导出 RC 正弦波振荡器的频偏公式之后,对文氏电桥振荡器和具有单 T 选频网络的正弦波振荡器的频率稳定度进行了具体而深入的分析。从而揭示了频率稳定判据 S_F 的适用范围和明确的物理概念,以及提高频率稳定度的方法。

关键词 振荡器 RC 正弦波 频率 稳定度

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IDT推出新的全硅CMOS振荡器

18

《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1235-1235,共1页

2010年11月4日，致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商IDT公司宣布，推出业界精度最高的全硅CMOS振荡器，在整个温度、电压和其他因数方面实现了行业领先的10×10^-5总频率误差。

关键词 cmos振荡器 IDT公司 全硅 数字媒体 混合信号 频率误差 供应商 半导体

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压控振幅正弦波振荡器的设计与应用

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作者 邵康 高自强 《无锡轻工大学学报（食品与生物技术）》 CSCD 1996年第2期145-148,共4页

介绍了一种振幅由直流电压控制的正弦波振荡器的设计及应用。对设计的二相正弦波振荡器、任意限幅器及压控振幅电路进行了详细的理论分析与推导，给出了压控振幅振荡器的实用电路和试验数据，并列举了该电路应用于自动调节的例子。

关键词 正弦波 振荡器 限幅电路 压控振幅 洗衣机

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具有正弦波输出的线性压控振荡器

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作者 Sana,S.K 徐罗庚 《计测》 1989年第1期50-54,共5页

关键词 振荡器 线性压控 正弦波

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