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模拟集成电路设计课程实验项目驱动式教学改革 被引量:8
1
作者 刘海涛 唐枋 +2 位作者 林智 黄兴发 甘平 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2024年第4期117-120,共4页
基于高校模拟集成电路设计课程实验项目分散且教学目标不明确,缺乏系统性和工程应用性,提出了项目驱动式教学改革。以与企业合作的工程项目为基础设立实验项目,并分解成由易及难的多个实验题目,分阶段、分步骤完成实验内容,最终完成模... 基于高校模拟集成电路设计课程实验项目分散且教学目标不明确,缺乏系统性和工程应用性,提出了项目驱动式教学改革。以与企业合作的工程项目为基础设立实验项目,并分解成由易及难的多个实验题目,分阶段、分步骤完成实验内容,最终完成模拟集成电路设计全流程实验,以“带隙基准电压源芯片全定制设计实验”为例阐述了实施步骤。课程实验项目采用驱动式教学加深了学生对课程内容的理解,有助于培养学生扎实的工程实践能力。 展开更多
关键词 模拟集成电路 课程实验 项目驱动式 带隙基准电压源 全定制设计
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CMOS集成电路的自热效应和均匀温度分布的电热耦合模拟
2
作者 刘淼 周润德 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期26-29,共4页
集成电路实际是由相互耦合的电学子系统和热学子系统共同组成。本文基于具体的封装结构提出集成电路的热学分析模型,分析了温度对集成电路性能和功耗的影响。并且针对均匀温度分布的集成电路,采用解耦法实现了电热耦合模拟软件ETs... 集成电路实际是由相互耦合的电学子系统和热学子系统共同组成。本文基于具体的封装结构提出集成电路的热学分析模型,分析了温度对集成电路性能和功耗的影响。并且针对均匀温度分布的集成电路,采用解耦法实现了电热耦合模拟软件ETsim。 展开更多
关键词 cmos集成电路 自热效应 电热耦合模拟 温度分布
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基于CMOS准浮栅技术的超低压模拟集成电路
3
作者 朱樟明 杨银堂 任乐宁 《科学技术与工程》 2006年第2期143-146,150,共5页
基于多输入浮栅MOS晶体管的分析,系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路,并总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术,提出了0.8V两级运算放大器和1V2.4GHzGilbert混频器电路,并采用TSMC0.25μm2P5MC... 基于多输入浮栅MOS晶体管的分析,系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路,并总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术,提出了0.8V两级运算放大器和1V2.4GHzGilbert混频器电路,并采用TSMC0.25μm2P5MCMOS工艺的Bsim3V3模型完成了特性仿真,仿真结果显示了准浮栅技术用于超低电压模拟电路设计的优势。 展开更多
关键词 cmos 准浮栅 超低电压 模拟电路 运放 混频器
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致冷型红外CMOS读出集成电路的发展现状 被引量:9
4
作者 刘成康 李兵 +1 位作者 汪涛 袁祥辉 《红外技术》 CSCD 北大核心 2000年第4期39-41,46,共4页
致冷型红外读出集成电路经历了 2 0多年的发展 ,其技术已日臻完善 ,CMOS读出电路是当今读出电路的主流 ,其发展趋势是减小像元间距 ,增加焦平面阵列像元数而又不降低其光电性能。将滤波电路、A D转换等功能器件集成在同一芯片上也是读... 致冷型红外读出集成电路经历了 2 0多年的发展 ,其技术已日臻完善 ,CMOS读出电路是当今读出电路的主流 ,其发展趋势是减小像元间距 ,增加焦平面阵列像元数而又不降低其光电性能。将滤波电路、A D转换等功能器件集成在同一芯片上也是读出电路的发展方向。 展开更多
关键词 红外焦平面阵列 读出电路 cmos 集成电路
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CMOS毫米波亚毫米波集成电路研究进展 被引量:8
5
作者 洪伟 陈继新 +8 位作者 严蘋蘋 汤红军 章丽 候德彬 蒯振起 周健义 朱晓维 周后型 吴柯 《微波学报》 CSCD 北大核心 2010年第4期1-6,共6页
近年来,随着工艺的不断进步,硅基集成电路已突破了仅适用于数字电路和低频模拟电路的传统观念,迅速拓展到毫米波甚至亚毫米波频段。在未来10年内,硅基工艺将具备覆盖毫米波频段的能力,并在部分器件与系统上实现到亚毫米波频段或太赫兹... 近年来,随着工艺的不断进步,硅基集成电路已突破了仅适用于数字电路和低频模拟电路的传统观念,迅速拓展到毫米波甚至亚毫米波频段。在未来10年内,硅基工艺将具备覆盖毫米波频段的能力,并在部分器件与系统上实现到亚毫米波频段或太赫兹的跨越。我国在该领域起步稍晚,但在国家重点基础研究发展计划("973"计划)、国家高技术研究发展计划("863"计划)和自然科学基金等的支持下,已快速开展研究并取得进展。文中概要介绍了国际上在硅基毫米波亚毫米波集成电路与系统方面的研究背景和我国特别是东南大学毫米波国家重点实验室在CMOS毫米波亚毫米波集成电路方面的最新研究进展。 展开更多
关键词 cmos器件 集成电路 毫米波 亚毫米波 太赫兹
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高温CMOS集成电路闩锁效应分析 被引量:2
6
作者 柯导明 陈军宁 +4 位作者 代月花 高珊 孟坚 赵海峰 周国祥 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1894-1896,共3页
本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件的尺寸和在芯片上分布情况,我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式:大尺寸MOST的寄生双极晶体管... 本文详细地分析了LDD结构高温CMOS集成电路闩锁效应.文中提出了亚微米和深亚微米CMOS集成电路闩锁效应的模型.在该模型中,针对器件的尺寸和在芯片上分布情况,我们认为CMOS IC闩锁效应的维持电流有两种模式:大尺寸MOST的寄生双极晶体管是长基区,基区输运因子起主要作用;VLSI和ULSI中MOST的寄生双极晶体管是短基区,发射效率起主要作用.但是他们的维持电流都与温度是负指数幂关系.文章给出了这两种模式下的维持电流与温度关系,公式在25℃至300℃之间能与实验结果符合. 展开更多
关键词 高温 cmos 集成电路 闩锁效应 解析表达式
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CMOS集成电路的闭锁特性和闭锁窗口分析 被引量:4
7
作者 许献国 杨怀民 胡健栋 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期674-678,共5页
由于布局结构的复杂性,CMOS集成电路可能存在多个潜在的寄生闭锁路径。各个闭锁路径因触发剂量率和闭锁维持电压、闭锁维持电流不同而相互影响,可能产生一个或多个闭锁窗口。在详细分析CMOS集成电路闭锁特性的基础上,建立了"三径&q... 由于布局结构的复杂性,CMOS集成电路可能存在多个潜在的寄生闭锁路径。各个闭锁路径因触发剂量率和闭锁维持电压、闭锁维持电流不同而相互影响,可能产生一个或多个闭锁窗口。在详细分析CMOS集成电路闭锁特性的基础上,建立了"三径"闭锁模型,对闭锁窗口现象进行了合理解释。 展开更多
关键词 cmos 集成电路 闭锁路径 闭锁窗口 寄生结构
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155 Mbit/s和622 Mbit/s速率0.6μm CMOS工艺光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片 被引量:4
8
作者 梁帮立 王志功 +2 位作者 田俊 章丽 熊明珍 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2003年第10期1-4,共4页
采用国内的CSMC HJ 0 .6 μmCMOS工艺实现了 15 5Mb/s和 6 2 2Mb/s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片。芯片测试结果表明 ,激光二极管驱动电路(LDD) ,前置放大器 (Pre Amp)和限幅放大器 (LA)集成电路达到了世界同类集成电路... 采用国内的CSMC HJ 0 .6 μmCMOS工艺实现了 15 5Mb/s和 6 2 2Mb/s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片。芯片测试结果表明 ,激光二极管驱动电路(LDD) ,前置放大器 (Pre Amp)和限幅放大器 (LA)集成电路达到了世界同类集成电路的水平。 展开更多
关键词 光纤通信 激光二极管驱动电路 前置放大器集成电路 限幅放大器集成电路 cmos工艺 芯片
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CMOS射频集成电路的现状与进展 被引量:10
9
作者 王志华 吴恩德 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期233-238,共6页
随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高 ,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能 .本文讨论了用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题 .首先介绍各种收发器的体系结构 ,对它们的优缺点进行比较 ,指... 随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高 ,用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能 .本文讨论了用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题 .首先介绍各种收发器的体系结构 ,对它们的优缺点进行比较 ,指出在设计中要考虑的一些问题 .其次讨论CMOS射频前端的重要功能单元 ,包括低噪声放大器、混频器、频率综合器和功率放大器 .对各单元模块在设计中的技术指标 ,可能采用的电路结构以及应该注意的问题进行了讨论 .此外 ,论文还讨论了射频频段电感、电容等无源器件集成的可能性以及方法 .最后对CMOS射频集成电路的发展方向提出了一些看法 . 展开更多
关键词 cmos射频集成电路 低噪声放大器 混频器 频率综合器 功率放大器 无线通信系统
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CMOS混合信号集成电路中的串扰效应 被引量:2
10
作者 董刚 杨银堂 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期34-37,共4页
论述了混合信号集成电路中的串扰效应及其对电路本身的影响,重点讨论了在重掺杂衬底中数字干扰对模拟器件的影响,并给出了数字噪声注入等效电路。同时从制造工艺和设计技术方面讨论了降低串扰效应的方法。
关键词 cmos 混合信号 集成电路 串扰效应 设计技术
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CMOS集成电路功能测试方法及实现 被引量:3
11
作者 陈琼 冯建农 《电子测量技术》 1998年第1期19-22,共4页
文中根据CMOS集成电路的特点,阐述了利用PC机进行CMOS集成电路功能测试、逻辑仿真及其系统实现方法。文中介绍的方法,可对各种通用、专用CMOS数字集成电路芯片及其应用电路,进行电路功能测试和逻辑仿真。
关键词 检测技术 集成电路 cmos
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高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析 被引量:1
12
作者 柯导明 柯晓黎 +1 位作者 冯耀兰 童勤义 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第1期8-17,共10页
本文分析了高温CMOS倒相器和门电路的瞬态特性,建立了它们的上升时间,下降时间和延迟时间的计算公式。根据本文分析的结果,高温CMOS倒相器和门电路瞬态特性变差的原因是由于MOST阈值电压和载流子迁移率降低,以及MOST漏端pn结反向泄漏电... 本文分析了高温CMOS倒相器和门电路的瞬态特性,建立了它们的上升时间,下降时间和延迟时间的计算公式。根据本文分析的结果,高温CMOS倒相器和门电路瞬态特性变差的原因是由于MOST阈值电压和载流子迁移率降低,以及MOST漏端pn结反向泄漏电流增大的缘故。本文给出的计算结果能较好地解释实验现象。 展开更多
关键词 数字集成电路 瞬态特性 高温 cmos
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驱动视频TFT-LCD的CMOS集成电路 被引量:1
13
作者 关旭东 韩汝琦 +1 位作者 刘晓彦 翟霞云 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期74-74,84,共2页
北京大学微电子所于1991年4月在国内首次研制成功了用于驱动薄膜晶体管(TFT)有源矩阵液晶电视显示屏的专用GMOS集成电路。它包括栅驱动器——扫描电极总线驱动电路BDD1001和漏驱动器——信号电极总线驱动电路BDD2001两块IC。适合于驱动... 北京大学微电子所于1991年4月在国内首次研制成功了用于驱动薄膜晶体管(TFT)有源矩阵液晶电视显示屏的专用GMOS集成电路。它包括栅驱动器——扫描电极总线驱动电路BDD1001和漏驱动器——信号电极总线驱动电路BDD2001两块IC。适合于驱动200线左右的TFT有源矩阵液晶电视显示屏。 用于TFT有源矩阵液晶电视显示屏的专用IC的具体结构参数、性能要求是由矩阵驱动方式、扫描方法、液晶材料的性质及电光特性。 展开更多
关键词 液晶显示器 cmos集成电路
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CMOS集成电路的功耗分析及低功耗设计技术 被引量:4
14
作者 陈春鸿 《浙江工业大学学报》 CAS 1998年第3期189-194,共6页
综述了CMOS集成电路设计中的功耗问题及其对策,包括功耗分析和面向低功耗的各种设计方法与技术,并提出将来设计高性能低功耗的数字系统时面临的技术挑战。它基本上覆盖了CMOS集成电路低功耗设计领域的研究动态。
关键词 集成电路 功耗分析 功耗设计 cmos
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3.75GHz 0.35μm CMOS1∶4静态分频器集成电路设计 被引量:2
15
作者 包志华 景为平 《南京邮电学院学报》 2001年第4期91-94,共4页
给出了一个利用 0 35 μmCMOS工艺实现的 1∶4静态分频器设计方法。该分频器采用源极耦合场效应管逻辑电路 ,基本结构与T触发器相同。测试结果表明 ,当电源电压为 3 3V、输入信号峰峰值为 0 5V时 ,芯片可以工作在 3 75GHz,功耗为 78mW。
关键词 集成电路 分频器 cmos工艺 电路设计
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互补式金氧半(CMOS)集成电路的静电放电防护方法研究 被引量:2
16
作者 夏继军 《激光杂志》 北大核心 2017年第6期140-143,共4页
在纳米CMOS集成电路中,静电放电(ESD,electrostatic discharge)防护能力随着组件的尺寸缩减而大幅地降低,传统的ESD防护电路设计及方法已不堪使用,所以在纳米制程中ESD防护组件的防护电路设计必需更加以改良。本文针对一个具有初始导通... 在纳米CMOS集成电路中,静电放电(ESD,electrostatic discharge)防护能力随着组件的尺寸缩减而大幅地降低,传统的ESD防护电路设计及方法已不堪使用,所以在纳米制程中ESD防护组件的防护电路设计必需更加以改良。本文针对一个具有初始导通特性的片上(纯净)(already-on(native))NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor,N沟道金属氧化物半导体)组件,研究其ESD组件特性,提出了其在纳米CMOS集成电路上的创新应用,提出already-on(native)组件的全芯片ESD防护电路架构,设计了全新的ESD防护电路。 展开更多
关键词 cmos集成电路 ESD防护 Already-on(native)NMOS组件
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CMOS数字集成电路的高温电学性能分析
17
作者 柯导明 童勤义 冯耀兰 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期31-38,30,共9页
本文给出了CMOS倒相器的高温等效电路,分析了它的高温直流传输特性和瞬态特性。文章还讨论了CMOS静态数字集成电路高温电学特性的分析方法。本文提出的CMOS数字集成电路的高温电学特性模型和实验结果相接近。
关键词 高温 倒相器 cmos 数字集成电路
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带传动试验机CMOS集成电路转速计
18
作者 陈堰波 陈锦富 《实验技术与管理》 CAS 1996年第1期39-41,共3页
带传动实验是工科学校《机械零件》课程的重要实验,我院使用的设备是DM-2型带传动试验机。用该设备可以对平型带和三角带进行带传动承载能力和疲劳寿命试验;绘制带传动的滑动曲线和效率曲线。但是这种八十年代初生产的设备,其转速测量... 带传动实验是工科学校《机械零件》课程的重要实验,我院使用的设备是DM-2型带传动试验机。用该设备可以对平型带和三角带进行带传动承载能力和疲劳寿命试验;绘制带传动的滑动曲线和效率曲线。但是这种八十年代初生产的设备,其转速测量电路采用的是已淘汰的PMOS集成电路,损坏后无元件更换维修,导致实验课不能开出,所以我们采用替代型CMOS集成电路研制了转速计,保证了带传动实验课的正常进行。 展开更多
关键词 带传动 试验机 cmos集成电路 转速表
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硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能研究
19
作者 赵元富 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期22-25,共4页
详细研究了硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能,分析了不同辐射偏置下,N沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧NMOS器件辐射性能的影响。结果表明:电离辐射引起的电路场氧隔离失效主... 详细研究了硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能,分析了不同辐射偏置下,N沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧NMOS器件辐射性能的影响。结果表明:电离辐射引起的电路场氧隔离失效主要来自于电离辐射引起的场区边缘寄生漏电,提出了分析场区边缘寄生漏电对器件辐射性能影响的等效电路。 展开更多
关键词 场氧 电离辐射 硅栅器件 cmos 集成电路
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CMOS集成电路设计中电阻设计方法的研究 被引量:1
20
作者 王传杰 王凯 马骏 《现代电子技术》 2005年第8期110-111,共2页
电阻在集成电路中有极其重要的作用。他直接关系到芯片的性能与面积及其成本。讨论了集成电路设计中多晶硅条电阻、MOS管电阻和电容电阻等3种电阻器的实现方法,论述了他们各自的优点、缺点及其不同的作用;介绍了他们各自的计算方法并给... 电阻在集成电路中有极其重要的作用。他直接关系到芯片的性能与面积及其成本。讨论了集成电路设计中多晶硅条电阻、MOS管电阻和电容电阻等3种电阻器的实现方法,论述了他们各自的优点、缺点及其不同的作用;介绍了他们各自的计算方法并给出了MOS管电阻与电容电阻的实现方法。并对实例进行了详细的分析,比较了不同电阻在面积上的不同。能更好地了解不同电阻在不同情况下的使用。对MOS管实现交流电阻中出现的体效应给出了解决方法。 展开更多
关键词 集成电路 电阻 开关电容 cmos
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