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低压CMOS带隙基准电压源设计被引量：1: 1; 作者宁江华王基石 +1 位作者杨发顺丁召《现代电子技术》 2010年第7期115-117,共3页; 基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC,DAC,SoC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度。阐述一个基于带隙基准结构的Sub-1 V、低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准电压源。并基于CSMC 0.5... 展开更多; 关键词 cmos基准电压源低功耗 Sub-1V 高电源抑制比; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种适应于低电压工作的CMOS带隙基准电压源被引量：4: 2; 作者李树荣李丹 +1 位作者王亚杰姚素英《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期119-123,共5页; 采用0．5μm标准的CMOS数字工艺,设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源．其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区,可使电路使用非低压制造工艺,在1．5 V的低电源电压下工作．该电压源具有结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好的... 展开更多; 关键词 cmos带隙基准电压源亚阈值区低压; 在线阅读下载PDF 职称材料

一个低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电压源的设计被引量：2: 3; 作者李娟常昌远李弦《现代电子技术》 2007年第22期169-171,共3页; 运用带隙基准的基本原理，采用0．6μm的CMOS工艺，对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究，并结合所提出电路给出了高阶曲率补偿的数学表达式。Cadence软件仿真结果显示：电源电压最低可为1．2V，在-20～100℃温... 展开更多; 关键词 cmos带隙基准电压源高阶曲率补偿低温度系数低电源电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

锂离子电池充电器中基准源的设计被引量：5: 4; 作者樊晓燕王兴君《现代电子技术》 2004年第24期27-29,共3页; 分析了双极型和 CMOS型基准电压源的特点 ,在此基础上提出了一种新型的 BI CMO S基准电压源 ,并对他的工作原理进行了分析。; 关键词带隙基准源 BI-cmos 集成电路双极型基准电压源 cmos型基准电压源; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名低压CMOS带隙基准电压源设计被引量：1: 1; 作者宁江华王基石杨发顺丁召; 机构贵州大学理学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室; 出处《现代电子技术》 2010年第7期115-117,共3页; 基金贵州省科技攻关项目"高精度低漂移集成电压基准源研制"(GY[2008]3033) 贵州大学研究生创新基金资助; 文摘基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC,DAC,SoC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度。阐述一个基于带隙基准结构的Sub-1 V、低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准电压源。并基于CSMC 0.5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真,得到理想的设计结果。; 关键词 cmos基准电压源低功耗 Sub-1V 高电源抑制比; Keywords cmos voltage reference low power consumption Sub-1 V high PSRR; 分类号 TM13 [电气工程—电工理论与新技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种适应于低电压工作的CMOS带隙基准电压源被引量：4: 2; 作者李树荣李丹王亚杰姚素英; 机构天津大学电子信息工程学院; 出处《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期119-123,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60576025)天津市重点自然科学基金资助项目(03318911).; 文摘采用0．5μm标准的CMOS数字工艺,设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源．其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区,可使电路使用非低压制造工艺,在1．5 V的低电源电压下工作．该电压源具有结构简单、低功耗以及电压温度稳定性好的特点．模拟结果表明,其电源抑制比可达到88 db,在-40～140℃的范围内温度系数可达到1．9×10-5／℃,电路总功耗为37．627 5 μW．; 关键词 cmos带隙基准电压源亚阈值区低压; Keywords cmos bandgap reference sub-threshold region low voltage; 分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一个低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电压源的设计被引量：2: 3; 作者李娟常昌远李弦; 机构东南大学微电子中心东南大学集成电路学院; 出处《现代电子技术》 2007年第22期169-171,共3页; 文摘运用带隙基准的基本原理，采用0．6μm的CMOS工艺，对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究，并结合所提出电路给出了高阶曲率补偿的数学表达式。Cadence软件仿真结果显示：电源电压最低可为1．2V，在-20～100℃温度范围内，输出电压为0．6V，温度系数为9．1ppm／℃，即基准输出电压随温度变化不超过±0．1％。低频（f=1kHz）时PSRR为-78dB。在室温电源电压为1．2V时总功耗约为38μw。整个带隙基准电压源具有良好的综合性能。; 关键词 cmos带隙基准电压源高阶曲率补偿低温度系数低电源电压; Keywords cmos bandgap reference voltage high order curvature - compensated low temperature coefficient low supply voltage; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名锂离子电池充电器中基准源的设计被引量：5: 4; 作者樊晓燕王兴君; 机构陕西彩虹集团陕西国防学院电路设计研究所; 出处《现代电子技术》 2004年第24期27-29,共3页; 文摘分析了双极型和 CMOS型基准电压源的特点 ,在此基础上提出了一种新型的 BI CMO S基准电压源 ,并对他的工作原理进行了分析。; 关键词带隙基准源 BI-cmos 集成电路双极型基准电压源 cmos型基准电压源; Keywords band gap reference BIcmos integrated circ uit bipolar reference cmos reference; 分类号 TP368.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	低压CMOS带隙基准电压源设计	宁江华王基石杨发顺丁召	《现代电子技术》	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种适应于低电压工作的CMOS带隙基准电压源	李树荣李丹王亚杰姚素英	《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	4	在线阅读下载PDF 职称材料
3	一个低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电压源的设计	李娟常昌远李弦	《现代电子技术》	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	锂离子电池充电器中基准源的设计	樊晓燕王兴君	《现代电子技术》	2004	5	在线阅读下载PDF 职称材料