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CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析被引量：4: 1; 作者李海松蒋轶虎 +2 位作者杨博岳红菊唐威《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期63-67,共5页; 针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.... 展开更多; 关键词抗辐射集成电路双移位寄存器链 cmos/soi 单粒子效应单粒子闩锁单粒子翻转; 在线阅读下载PDF 职称材料

超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制被引量：2: 2; 作者奚雪梅张兴 +2 位作者倪卫华阎桂珍王阳元《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期44-46,共3页; 利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出... 展开更多; 关键词 cmos/soi 环振电路集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄膜全耗尽CMOS／SOI──下一代超高速Si　IC主流工艺被引量：3: 3; 作者张兴王阳元《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期139-143,共5页; 本文较为详细地分析了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术的优势和国内外ＴＦＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和电路的发展状况，讨论了ＳＯＩ技术今后发展的方向，得出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术将成为下一代超高速硅集成电路主流工艺的结论。; 关键词 cmos/soi 全耗尽硅集成电路工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米薄膜CMOS／SOI电路的集成器件线路模拟: 4; 作者张兴石涌泉黄敞《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期96-99,共4页; 开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的精确数值模... 展开更多; 关键词 cmos/soi 集成数值模型环振薄膜电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

CMOS／SOI电路模拟与参数提取: 5; 作者甘学温奚雪梅 +1 位作者李益民王阳元《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期96-98,共3页; ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩＭＯＳ... 展开更多; 关键词 cmos/soi电路横拟器件参数提取; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析被引量：4: 1; 作者李海松蒋轶虎杨博岳红菊唐威; 机构西安微电子技术研究所; 出处《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期63-67,共5页; 文摘针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.实验结果表明,该抗辐射触发器不仅对单粒子闩锁效应免疫,而且具有非常高的抗单粒子翻转的能力.; 关键词抗辐射集成电路双移位寄存器链 cmos/soi 单粒子效应单粒子闩锁单粒子翻转; Keywords radiation-hardened DFF dual shift-register chain cmos/soi single-event effect single-event latch-up single-event upset; 分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制被引量：2: 2; 作者奚雪梅张兴倪卫华阎桂珍王阳元; 机构北京大学微电子研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期44-46,共3页; 文摘利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能 ,5V电源电压下单门延迟时间达到 92ps,同时可工作的电源电压范围较宽 ,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景 .; 关键词 cmos/soi 环振电路集成电路; Keywords cmos/soi MOSFET ring oscillator; 分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名薄膜全耗尽CMOS／SOI──下一代超高速Si　IC主流工艺被引量：3: 3; 作者张兴王阳元; 机构北京大学微电子学研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期139-143,共5页; 文摘本文较为详细地分析了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术的优势和国内外ＴＦＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和电路的发展状况，讨论了ＳＯＩ技术今后发展的方向，得出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术将成为下一代超高速硅集成电路主流工艺的结论。; 关键词 cmos/soi 全耗尽硅集成电路工艺; Keywords cmos/soi Fully depleted SIMOX BEsoi; 分类号 TN453 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米薄膜CMOS／SOI电路的集成器件线路模拟: 4; 作者张兴石涌泉黄敞; 机构北京大学微电子学研究所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期96-99,共4页; 文摘开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的精确数值模拟，利用这一软件较为详细地分析了硅层厚度为５０～４００ｎｍ、沟道长度为０．１５～１．０μｍ的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环形振荡器电路，使我们对深亚微米薄膜ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振的特性及工作机理有了较为清晰的认识，模拟结果与实验结果进行了对照，两者吻合得较好。; 关键词 cmos/soi 集成数值模型环振薄膜电路; Keywords Thin film,cmos/soi,Integrated numerical model,Ring oscillators; 分类号 TN451.02 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名CMOS／SOI电路模拟与参数提取: 5; 作者甘学温奚雪梅李益民王阳元; 机构北京大学微电子所; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期96-98,共3页; 文摘ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。; 关键词 cmos/soi电路横拟器件参数提取; Keywords cmos/soi ICs simulation,Device parameter extraction; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析	李海松蒋轶虎杨博岳红菊唐威	《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2018	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制	奚雪梅张兴倪卫华阎桂珍王阳元	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	薄膜全耗尽CMOS／SOI──下一代超高速Si　IC主流工艺	张兴王阳元	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1995	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	深亚微米薄膜CMOS／SOI电路的集成器件线路模拟	张兴石涌泉黄敞	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1996	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	CMOS／SOI电路模拟与参数提取	甘学温奚雪梅李益民王阳元	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料