期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究
1
作者
张兴
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第11期30-32,47,共4页
利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ...
利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ环振经过５ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）剂量的电离辐照后仍能正常工作，其门延迟时间由辐照前的２３７ｐｓ变为３２８ｐｓ。
展开更多
关键词
cmos/simox
薄膜
mosfet
SOI器件
在线阅读
下载PDF
职称材料
超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制
被引量：
2
2
作者
奚雪梅
张兴
+2 位作者
倪卫华
阎桂珍
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期44-46,共3页
利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出...
利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能 ,5V电源电压下单门延迟时间达到 92ps,同时可工作的电源电压范围较宽 ,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景 .
展开更多
关键词
cmos/
SOI
环振电路
集成电路
在线阅读
下载PDF
职称材料
深亚微米薄膜CMOS／SOI电路的集成器件线路模拟
3
作者
张兴
石涌泉
黄敞
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期96-99,共4页
开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的精确数值模...
开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的精确数值模拟，利用这一软件较为详细地分析了硅层厚度为５０～４００ｎｍ、沟道长度为０．１５～１．０μｍ的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环形振荡器电路，使我们对深亚微米薄膜ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振的特性及工作机理有了较为清晰的认识，模拟结果与实验结果进行了对照，两者吻合得较好。
展开更多
关键词
cmos/
SOI
集成数值模型
环振
薄膜电路
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究
1
作者
张兴
王阳元
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第11期30-32,47,共4页
文摘
利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ环振经过５ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）剂量的电离辐照后仍能正常工作，其门延迟时间由辐照前的２３７ｐｓ变为３２８ｐｓ。
关键词
cmos/simox
薄膜
mosfet
SOI器件
Keywords
cmos/simox
,
thin film
,
mosfet
,
ring oscillator
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制
被引量：
2
2
作者
奚雪梅
张兴
倪卫华
阎桂珍
王阳元
机构
北京大学微电子研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期44-46,共3页
文摘
利用CMOS/SOI工艺在 4英寸SIMOX材料上成功制备出沟道长度为 1μm、器件性能良好的CMOS/SOI部分耗尽器件和电路 ,从单管的开关电流比看 ,电路可以实现较高速度性能的同时又可以有效抑制泄漏电流 .所研制的 5 1级CMOS/SOI环振电路表现出优越的高速度性能 ,5V电源电压下单门延迟时间达到 92ps,同时可工作的电源电压范围较宽 ,说明CMOS/SOI技术在器件尺寸降低后将表现出比体硅更具吸引力的应用前景 .
关键词
cmos/
SOI
环振电路
集成电路
Keywords
cmos/
SOI
mosfet
ring oscillator
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
深亚微米薄膜CMOS／SOI电路的集成器件线路模拟
3
作者
张兴
石涌泉
黄敞
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期96-99,共4页
文摘
开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的集成器件线路模拟软件，该模拟软件采用集成数值模型，将薄膜ＳＯＩ器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起，实现了薄膜亚微米、深亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的精确数值模拟，利用这一软件较为详细地分析了硅层厚度为５０～４００ｎｍ、沟道长度为０．１５～１．０μｍ的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环形振荡器电路，使我们对深亚微米薄膜ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振的特性及工作机理有了较为清晰的认识，模拟结果与实验结果进行了对照，两者吻合得较好。
关键词
cmos/
SOI
集成数值模型
环振
薄膜电路
Keywords
thin film
,
cmos/
SOI,Integrated numerical model,
ring oscillator
s
分类号
TN451.02 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究
张兴
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
超高速CMOS/SOI51级环振电路的研制
奚雪梅
张兴
倪卫华
阎桂珍
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
深亚微米薄膜CMOS／SOI电路的集成器件线路模拟
张兴
石涌泉
黄敞
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
