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16.48% Efficient solution-processed CIGS solar cells with crystal growth and defects engineering enabled by Ag doping strategy
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作者 Mengyu Xu Shaocong Yan +9 位作者 Ting Liang Jia Jia Shengjie Yuan Dongxing Kou Zhengji Zhou Wenhui Zhou Yafang Qi Yuena Meng Litao Han Sixin Wu 《Journal of Energy Chemistry》 2025年第1期59-65,共7页
Solution-processed Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS) solar cells suffer from serious carrier recombination and power conversion efficiency(PCE) loss because of the poor film properties and easy formation of defects.Herein, we pro... Solution-processed Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS) solar cells suffer from serious carrier recombination and power conversion efficiency(PCE) loss because of the poor film properties and easy formation of defects.Herein, we propose Ag&Se co-selenization strategy to enhance the crystallization and passivate harmful defects of the CIGS films. The formation of Ag-Se phase during the selenization process enables the formation of large grains and suppresses the deep level defects. It is found that Ag doping can enlarge the depletion region width, lower the Urbach energy and prolong the carrier lifetime. As a result, a champion solution-processed CIGS solar cell presents a high efficiency of 16.48% with the highly improved opencircuit voltage(VOC) of 662 m V and fill factor(FF) of 75.8%. This work provides an efficient strategy to prepare high quality solution-processed CIGS films for high-performance CIGS solar cells. 展开更多
关键词 cigs solarcells Solution-processedmethod Ag doping Crystal growth Defects engineering
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CIS和CIGS薄膜太阳电池的研究 被引量:25
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作者 孙云 王俊清 +7 位作者 杜兆峰 舒保健 于刚 温国忠 周祯华 孙健 李长健 张丽珠 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期192-195,共4页
采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ... 采用蒸发硒化方法制备了P型CIS(铜铟硒 )和CIGS(铜铟镓硒 )薄膜 ,用蒸发法制备N型CdS(硫化镉 ) ,二者组成异质PN结太阳电池。经退火处理 ,CIS和CIGS薄膜太阳电池的效率分别达到 8 83 %和 9 13 %。对制膜过程中衬底的选择 ,背电极的制备 ,CIS各元素蒸发控制和镓的掺入等工艺技术问题进行了深入的讨论 。 展开更多
关键词 cigs薄膜 太阳电池 转换效率 CIS
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铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的研究进展 被引量:19
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作者 王波 刘平 +3 位作者 李伟 马凤仓 刘新宽 陈小红 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第19期54-58,共5页
综述了CIGS薄膜太阳能电池近年来的研究进展。概述了CIGS薄膜的组织结构、性能特性及其之间的联系;介绍了CIGS薄膜吸收层的多种制备方法,如多元共蒸发法、溅射后硒化法、电沉积法、喷涂高温分解法等;概述了Na掺杂对CIGS电池性能的促进... 综述了CIGS薄膜太阳能电池近年来的研究进展。概述了CIGS薄膜的组织结构、性能特性及其之间的联系;介绍了CIGS薄膜吸收层的多种制备方法,如多元共蒸发法、溅射后硒化法、电沉积法、喷涂高温分解法等;概述了Na掺杂对CIGS电池性能的促进作用及其机理;总结了柔性衬底CIGS薄膜太阳能电池的研究情况;最后从理论和实验研究方面展望了CIGS薄膜太阳能电池的研究方向。 展开更多
关键词 太阳能电池 cigs Na掺杂 柔性衬底
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CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能 被引量:14
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作者 敖建平 孙云 +4 位作者 刘琪 何青 孙国忠 刘芳芳 李凤岩 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期682-686,共5页
在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH^-和SC(NH2)2的扩散传质为控制步骤。CAS薄膜的电阻率在10^4-- 10^5Ω·Cm之间。CAS薄膜的品格... 在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH^-和SC(NH2)2的扩散传质为控制步骤。CAS薄膜的电阻率在10^4-- 10^5Ω·Cm之间。CAS薄膜的品格在乙酸胺浓度较小时,为六方晶和立方晶混合结构;乙酸胺浓度较大时,为立方晶结构。利用六方晶与立方晶混合的CAS制备的CIGS太阳电池,光电转换效率最大可达12.1%,3.5×3.6cm^3小面积组件为6.6%。立方相CAS制备的最佳电池效率达到12.17%。两种晶相结构的CAS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别。 展开更多
关键词 CBD CDS薄膜 cigs太阳电池
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Na掺入制备不锈钢衬底CIGS太阳电池 被引量:8
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作者 施成营 何青 +7 位作者 赵九成 李风岩 姜一 张力 王春婧 周志强 李长健 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期771-774,共4页
以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,在沉积CIGS薄膜前沉积一定厚度的NaF预置层,使得所制备的CIGS薄膜含有适量浓度的Na,并获得了10.06%的转换效率。利用X射线衍射仪和X射线荧光光谱仪... 以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,在沉积CIGS薄膜前沉积一定厚度的NaF预置层,使得所制备的CIGS薄膜含有适量浓度的Na,并获得了10.06%的转换效率。利用X射线衍射仪和X射线荧光光谱仪分别测量了所制备薄膜的晶相和组分,利用扫描电子显微镜分析了不锈钢衬底CIGS太阳电池的断面形貌,最后分析了NaF的掺入对CIGS太阳电池的影响。 展开更多
关键词 Cu(In Ga)Se2(cigs) 柔性 NAF 太阳电池 不锈钢
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CIS(CIGS)薄膜材料的研究进展 被引量:10
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作者 杜晶晶 龙飞 +1 位作者 邹正光 李建军 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期9-12,共4页
以CIS(CIGS)作为吸收层的太阳能电池因其诸多优异性能而成为最具潜力的第三代太阳能电池。首先介绍了CIS(CIGS)薄膜的性能与掺杂对电池的影响,讨论了多种薄膜沉积技术及其优缺点,重点介绍了几种低成本制备技术及其影响因素,最后阐述了CI... 以CIS(CIGS)作为吸收层的太阳能电池因其诸多优异性能而成为最具潜力的第三代太阳能电池。首先介绍了CIS(CIGS)薄膜的性能与掺杂对电池的影响,讨论了多种薄膜沉积技术及其优缺点,重点介绍了几种低成本制备技术及其影响因素,最后阐述了CIS(CIGS)薄膜电池的发展情况,并展望了CIS(CIGS)电池的发展趋势。 展开更多
关键词 CIS cigs 薄膜沉积研究进展
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硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅰ) 氩气流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响 被引量:5
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作者 韩东麟 张弓 +2 位作者 庄大明 元金石 宋军 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期426-429,共4页
采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。以Ar为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu_(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成份,... 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。以Ar为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu_(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成份,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,在不同Ar流量下制备的CIGS薄膜均具有单一的黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。随着Ar流量的增大,CIGS薄膜晶粒直径增大。当Ar流量为0.20 m^3/h时,薄膜的孔隙最少。当Ar流量达到0.40 m^3/h时,薄膜晶粒出现明显的柱状生长。当Ar流量为0.10、0.20和0.30 m^3/h时,所制得的CIGS薄膜的Cu、In、Ga原子含量比,处于弱p型的理想范围。 展开更多
关键词 太阳电池 cigs 磁控溅射 薄膜 硒化
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CIGS薄膜太阳能光伏产业发展现状 被引量:5
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作者 鲁飞 刘小鱼 +3 位作者 孙良成 王峰 刘树峰 李慧 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第19期58-61,共4页
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池以其柔性、低成本、发电性能稳定等优势成为硅基光伏电池的最佳替代品。概述了CIGS薄膜电池特性,列举了国内外产业发展状况。同时对CIGS薄膜电池产业化存在的问题和未来研发方向做了简要的总结和预测。
关键词 cigs 薄膜电池 产业化
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柔性不锈钢衬底CIGS薄膜太阳电池 被引量:4
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作者 施成营 何青 +6 位作者 张力 肖建平 敖建平 杨成晓 李微 李凤岩 孙云 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期947-950,共4页
以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用三步共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,CIGS层在Mo导电层上具有很强的附着力。利用XRD和XRF分别分析了所制备薄膜的晶相和组分。以ZnO:Al/i-ZnO/ CdS/CIGS/Mo/Stainless steel结构为... 以轻质柔性不锈钢材料为衬底,利用三步共蒸发法制备较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se_2薄膜,CIGS层在Mo导电层上具有很强的附着力。利用XRD和XRF分别分析了所制备薄膜的晶相和组分。以ZnO:Al/i-ZnO/ CdS/CIGS/Mo/Stainless steel结构为基础得到最高转换效率为9.39%的柔性太阳电池。最后讨论了衬底粗糙度、有害杂质的扩散和不含有Na元素等不利因素对于电池性能的影响。 展开更多
关键词 Cu(In Ga)Se2(cigs) 柔性 太阳电池 不锈钢
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化学水浴沉积CIGS太阳电池缓冲层ZnS薄膜的研究 被引量:5
10
作者 刘琪 冒国兵 +7 位作者 敖建平 孙云 孙国忠 刘芳芳 何青 李凤岩 周志强 李长健 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期155-159,共5页
在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有... 在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有ZnS和Zn(OH)2,SEM测试表明薄膜颗粒大小相近,但不致密。随着沉积时间的增加,薄膜厚度增加,透过率减小。当前采用CBD-ZnS薄膜制备的无镉CIGS太阳电池转换效率达到8.54%。 展开更多
关键词 化学水浴沉积(CBD) ZNS薄膜 cigs太阳电池
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溅射功率对CIGS吸收层前驱膜成分和结构的影响 被引量:4
11
作者 郑麒麟 庄大明 +1 位作者 张弓 李秋芳 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1108-1112,共5页
采用中频交流磁控溅射方法制备了CuIn、CuGa和CIG合金膜。采用SEM和XRD观察和分析了各种薄膜的表面形貌、成分和组织结构。着重分析了靶功率密度对薄膜成分、晶体结构的影响。结果表明,通过调节靶功率密度,能精确控制薄膜中CuI、n、Ga... 采用中频交流磁控溅射方法制备了CuIn、CuGa和CIG合金膜。采用SEM和XRD观察和分析了各种薄膜的表面形貌、成分和组织结构。着重分析了靶功率密度对薄膜成分、晶体结构的影响。结果表明,通过调节靶功率密度,能精确控制薄膜中CuI、n、Ga比例。制备得到了Cu/(In+Ga)原子比接近1,且Ga/(In+Ga)比例可调的成分分布均匀的CIG薄膜。CIG前驱膜是以Cu11In9为基础相,Ga原子主要是以替代In原子的固溶体形式存在。当溅射CuIn和CuGa合金靶的功率密度分别为0.26和0.10 W/cm2时,可制备得到由Cu11In9和CuIn两相组成的理想的CIG前驱膜。 展开更多
关键词 cigs 太阳能电池 磁控溅射 前驱膜
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退火处理对CIGS薄膜物相及成分的影响 被引量:3
12
作者 彭寿 马立云 +1 位作者 王芸 任志艳 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期498-501,共4页
采用一步溅射沉积工艺制备CIGS薄膜,并对薄膜进行退火处理。对退火前后的样品进行XRD、EDS、拉曼光谱测试分析。得出退火后的样品结晶度更好晶粒更大,In和Se均有不同程度的流失。最终所测得的Cu/In+Ga、Ga/In+Ga的成分比满足高效太阳电... 采用一步溅射沉积工艺制备CIGS薄膜,并对薄膜进行退火处理。对退火前后的样品进行XRD、EDS、拉曼光谱测试分析。得出退火后的样品结晶度更好晶粒更大,In和Se均有不同程度的流失。最终所测得的Cu/In+Ga、Ga/In+Ga的成分比满足高效太阳电池的要求,拉曼光谱所测得的样品表面有退火中形成的CIS存在。 展开更多
关键词 太阳电池 一步溅射 cigs 退火
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CIGS薄膜太阳能电池吸收层制备工艺综述 被引量:21
13
作者 郭杏元 许生 +1 位作者 曾鹏举 范垂祯 《真空与低温》 2008年第3期125-133,共9页
CIGS薄膜太阳能电池具有高光吸收系数、高转化效率、高稳定性等优点,已经成为太阳能电池领域的研究热点。其小样品最高转化效率已达19.9%,可与多晶硅电池的转化效率(20.3%)媲美;其大面积电池组件转化效率一般在10%~15%范围内,根据各膜... CIGS薄膜太阳能电池具有高光吸收系数、高转化效率、高稳定性等优点,已经成为太阳能电池领域的研究热点。其小样品最高转化效率已达19.9%,可与多晶硅电池的转化效率(20.3%)媲美;其大面积电池组件转化效率一般在10%~15%范围内,根据各膜层材料组分及制备工艺的不同而有所变化。综述了CIGS薄膜太阳能电池吸收层的各种制备工艺及其产业化进程。 展开更多
关键词 cigs 太阳能电池 薄膜 综述
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靶功率对溅射沉积CIGS薄膜的结构与光学性能的影响 被引量:1
14
作者 赵志明 田亚萍 +4 位作者 曹智睿 马二云 张晓静 白力静 蒋百灵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期22-26,共5页
采用单靶磁控溅射方法分别在玻璃和镀有Mo背电极的Soda-lime玻璃衬底上沉积Cu(In0.7Ga0.3)Se2(CIGS)薄膜。研究了靶功率变化对CIGS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性能的影响。采用XRD表征薄膜的组织结构,SEM和EDS观察和分析薄膜的表面... 采用单靶磁控溅射方法分别在玻璃和镀有Mo背电极的Soda-lime玻璃衬底上沉积Cu(In0.7Ga0.3)Se2(CIGS)薄膜。研究了靶功率变化对CIGS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性能的影响。采用XRD表征薄膜的组织结构,SEM和EDS观察和分析薄膜的表面形貌和成分,紫外-可见光分光光度计测试薄膜的透过率光谱。结果表明,在不同功率下制备的CIGS薄膜均具有(112)面择优取向。当溅射功率为300W时,CIGS薄膜的表面形貌最平整,结晶最均匀,n(Cu):n(In):n(Ga):n(Se)=30.00:15.01:3.97:51.03组分符合高效吸收层的要求。溅射沉积的CIGS薄膜对可见光的平均透过率低于2%,光学带隙约为1.4eV。 展开更多
关键词 单靶磁控溅射 cigs薄膜 晶体结构 表面形貌 透过率
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CIGS薄膜太阳能电池吸收层的非真空制备工艺研究进展 被引量:1
15
作者 李伟 刘平 +4 位作者 王卫兵 马凤仓 刘新宽 陈勤妙 韩朝霞 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期134-137,147,共5页
综述了CIGS薄膜非真空制备工艺的研究现状,主要包括电化学沉积法、纳米颗粒沉积法、化学反应法和其他方法,指出了其主要问题和发展方向。非真空制备工艺制备CIGS薄膜一般包括两个步骤:第一,利用各种非真空工艺制备出预制层薄膜;第二,对... 综述了CIGS薄膜非真空制备工艺的研究现状,主要包括电化学沉积法、纳米颗粒沉积法、化学反应法和其他方法,指出了其主要问题和发展方向。非真空制备工艺制备CIGS薄膜一般包括两个步骤:第一,利用各种非真空工艺制备出预制层薄膜;第二,对预制层进行退火处理结晶成CIGS薄膜。相对于真空制备工艺,非真空制备工艺制备CIGS薄膜可大大降低CIGS薄膜太阳能电池的生产成本,越来越多地受到研究者和厂商的关注。 展开更多
关键词 cigs 太阳能电池 吸收层 非真空工艺
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预制层溅射气压对CIGS薄膜结构及器件的影响 被引量:1
16
作者 李光旻 刘玮 +6 位作者 林舒平 李晓东 周志强 何青 张毅 刘芳芳 孙云 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期192-199,共8页
研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响。通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS... 研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响。通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体。高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势。经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS"两相分离"现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03%降低到5.02%。 展开更多
关键词 溅射气压 粗糙度 cigs固溶体
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电沉积CIGS薄膜太阳电池的研究进展及现状 被引量:1
17
作者 李玉华 马爱斌 +4 位作者 张开骁 江静华 吴浩铭 宋丹 何青 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期136-139,共4页
CIGS薄膜太阳电池以其优异的光电性能倍受研究者关注。简要介绍了CIGS薄膜的结构及其优异性能,着重阐述了电化学沉积法制备CIGS薄膜的反应原理与目前国内外电沉积法制备CIGS薄膜太阳电池研究的最新进展,并展望了CIGS太阳电池发展所面临... CIGS薄膜太阳电池以其优异的光电性能倍受研究者关注。简要介绍了CIGS薄膜的结构及其优异性能,着重阐述了电化学沉积法制备CIGS薄膜的反应原理与目前国内外电沉积法制备CIGS薄膜太阳电池研究的最新进展,并展望了CIGS太阳电池发展所面临的难题及将来研究的方向。 展开更多
关键词 电沉积 cigs 太阳电池
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柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池的研究进展 被引量:1
18
作者 龙飞 池上森 +2 位作者 莫淑一 梁凤基 邹正光 《桂林理工大学学报》 CAS 北大核心 2013年第2期349-354,共6页
详述了柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池的基本结构、器件组装与封装方式、低温沉积和Na掺杂等关键技术、实验室研究和产业化进展以及柔性基板的选材要求和分类等,分析了其研究开发面临的挑战,展望了柔性CIGS薄膜太阳电池的发展趋势。
关键词 柔性 铜铟镓硒(cigs) 薄膜太阳电池
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基于TRNSYS的CIGS薄膜光伏余热-土壤源双热源热泵系统模拟 被引量:2
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作者 于靓 毕然冉 +1 位作者 李辰琦 董玉宽 《沈阳建筑大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期915-920,共6页
目的模拟CIGS薄膜光伏余热-土壤源热泵双热源系统运行特性以及性能表现,优化CIGS-BIPV/T组件参数,建立组件发电量预测模型。方法通过DeST平台搭建沈阳市某居住建筑模型,模拟其建筑冷热负荷,并以建筑负荷为目标需求,通过TRNSYS平台构建CI... 目的模拟CIGS薄膜光伏余热-土壤源热泵双热源系统运行特性以及性能表现,优化CIGS-BIPV/T组件参数,建立组件发电量预测模型。方法通过DeST平台搭建沈阳市某居住建筑模型,模拟其建筑冷热负荷,并以建筑负荷为目标需求,通过TRNSYS平台构建CIGS-BIPV/T-土壤源双热源热泵系统模型;通过Genopt软件调用Hooke-Jeeves算法对系统参数进行迭代计算优化;利用多元线性回归方法建立CIGS-BIPV/T组件发电量预测模型。结果CIGS-BIPV/T组件的倾角设置范围为42°到45°,方位角设置范围为正南到南偏西1.56°时能够获得日最大发电量,组件发电量预测模型模型的R^(2)为0.989,方差检验量的计算值为772877.5,明显大于F_(0.05),差异性检验值<0.05,组件发电量预测模型能够对系统运行参数进行精准预测。结论薄膜光伏组件余热-土壤源热泵双热源热泵系统能够满足建筑全年冷热负荷及生活热水需求,实现太阳能与地热能的综合利用。 展开更多
关键词 BIPV cigs 地源热泵 Hooke-Jeeves算法 多元线性回归
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退火处理对磁控溅射制备CIGSe吸收层的影响
20
作者 栾和新 庄大明 +1 位作者 张弓 刘江 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期459-466,共8页
在Se气氛中对磁控溅射CIGSe靶材制备的CIGSe薄膜进行退火处理。采用SEM、XRD、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析了退火的主要工艺参数对薄膜表面形貌、组织结构、成分及电学性能的影响,并制备了CIGSe太阳电池。结果表明,采用磁控溅射CI... 在Se气氛中对磁控溅射CIGSe靶材制备的CIGSe薄膜进行退火处理。采用SEM、XRD、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析了退火的主要工艺参数对薄膜表面形貌、组织结构、成分及电学性能的影响,并制备了CIGSe太阳电池。结果表明,采用磁控溅射CIGSe靶材+Se气氛中退火处理的方法,可制备得到成分均匀、电学性能优良、单一黄铜矿相的CIGSe薄膜;退火温度和退火时间是影响退火后薄膜质量的主要因素。退火温度低于350℃时,退火效果不明显。退火温度在400℃,退火时间达120min时,薄膜完成再结晶过程,并制得单一黄铜矿相的CIGSe薄膜;退火过程存在Cu-Se二次相的析出和消融,同时具有为薄膜补Se的作用。该文采用该方法制备出的CIGSe太阳电池最高转换效率为5.44%。 展开更多
关键词 太阳电池 退火处理 磁控溅射 cigsE
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