期刊文献+
共找到9篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
化学水浴沉积法制备CdSe薄膜 被引量:4
1
作者 杨锁龙 袁红雁 +1 位作者 仲敬荣 肖丹 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1209-1211,共3页
In this paper,chemistry water bath deposition was applied to fabricate the CdSe semiconductor thin film on the surface of glass in the cadmium acetate solution system,and CdSe films were characterized by using atomic ... In this paper,chemistry water bath deposition was applied to fabricate the CdSe semiconductor thin film on the surface of glass in the cadmium acetate solution system,and CdSe films were characterized by using atomic force microscope.The results showed that at the conditions of temperature in the deposition of 70 ℃,with the amount of selenium urea of 20 mg/250mL,and pH neutral system,a CdSe film at 50 nm thick was obtained. 展开更多
关键词 cdse薄膜 化学水浴沉积
在线阅读 下载PDF
CdS和CdSe薄膜的制备及其光电化学性质 被引量:4
2
作者 雷玲 李陈欢 +2 位作者 郑保战 付存 肖丹 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1087-1090,共4页
本文采用简易的化学水浴沉积法和自牺牲模板法制备CdS、CdSe薄膜,对两种薄膜进行了XRD表征,比较了两种薄膜的紫外吸收光谱并研究了CdS、CdSe薄膜作为太阳能电池中的光阳极时所产生的光电流和光电压,对两种薄膜的电化学性能进行了比较。
关键词 CDS薄膜 cdse薄膜 光电化学性能
在线阅读 下载PDF
超声注射喷雾热分解法制备CdSe薄膜及其性能的研究 被引量:1
3
作者 张志乾 武光明 +3 位作者 高德文 朱艳英 曹阳 周洋 《北京石油化工学院学报》 2012年第3期36-39,共4页
以CdCl2.2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,采用超声注射喷雾热分解法制备了CdSe薄膜。并用XRD、UV-Vis、AFM等方法对其进行了表征。结果表明,所制备的薄膜为n型半导体,在可见光区有较高的吸收,可以获得较好的光电流。应... 以CdCl2.2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,采用超声注射喷雾热分解法制备了CdSe薄膜。并用XRD、UV-Vis、AFM等方法对其进行了表征。结果表明,所制备的薄膜为n型半导体,在可见光区有较高的吸收,可以获得较好的光电流。应用超声注射喷雾热分解法制备CdSe薄膜的优化条件为:基板温度为300℃,络合剂比例为1∶2,酸度为9,喷雾速度为0.3mL/min,退火温度为350℃。新的制备薄膜装置采用注射超声雾化手段,克服其雾化不均问题。 展开更多
关键词 cdse薄膜 超声波 光电性能 注射喷雾热分解
在线阅读 下载PDF
热蒸发制备CdSe薄膜的退火工艺研究 被引量:2
4
作者 裴传奇 张志勇 +3 位作者 张敏 杨辉 刘其娅 曾体贤 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第A01期242-245,共4页
采用真空热蒸发技术在光学玻璃基底上制备了CdSe薄膜,研究了真空下不同退火温度和退火时间对CdSe薄膜晶体结构和表面形貌的影响。XRD结果表明,在400~500℃范围下退火2h、5h的CdSe薄膜晶型不发生改变,结晶性随退火温度升高而增强,其晶粒... 采用真空热蒸发技术在光学玻璃基底上制备了CdSe薄膜,研究了真空下不同退火温度和退火时间对CdSe薄膜晶体结构和表面形貌的影响。XRD结果表明,在400~500℃范围下退火2h、5h的CdSe薄膜晶型不发生改变,结晶性随退火温度升高而增强,其晶粒尺寸从32nm增加至50nm。SEM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜表面颗粒分布均匀且排列规则、无裂纹。AFM结果表明,在450℃下退火2h后的CdSe薄膜致密性好,表面粗糙度低(5.19nm)。因此采用真空热蒸发制备的CdSe薄膜的热处理条件确定为:退火温度450℃,退火时间2h。 展开更多
关键词 热蒸发 cdse薄膜 退火温度 退火时间
在线阅读 下载PDF
修饰的薄膜CdSe电极/Fe(CN)_6^(4-)溶液界面的电荷转移
5
作者 肖绪瑞 林原 孙璧媃 《感光科学与光化学》 CSCD 1990年第4期254-259,共6页
本文研究了硬脂酸二茂铁酯L-B膜修饰的薄膜Cdse电极的光诱发界面多相电荷转移过程。通过测量异相电荷转移反应速度常数K_(et),进一步分析了修饰的薄膜CdSe电极光电化学过程的可能反应速度控制步。分析表明界面的电荷转移是反应的速度控... 本文研究了硬脂酸二茂铁酯L-B膜修饰的薄膜Cdse电极的光诱发界面多相电荷转移过程。通过测量异相电荷转移反应速度常数K_(et),进一步分析了修饰的薄膜CdSe电极光电化学过程的可能反应速度控制步。分析表明界面的电荷转移是反应的速度控制步。薄膜CdSe电极可以通过选择电活性修饰分子和溶液中氧化还原离子来进一步提高和改善其光电化学性能。 展开更多
关键词 半导体电极 cdse薄膜 修饰 L-B膜
在线阅读 下载PDF
CdSe/TiO_2复合薄膜的制备及光电性能研究 被引量:3
6
作者 薛晋波 李雪方 +1 位作者 梁伟 王红霞 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期21-24,共4页
以SeO2,CdCl2.5/2H2O,H2SO4为原料,采用三电极体系,分别在ITO玻璃和TiO2纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜。研究了不同沉积电压(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相对于SCE)下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌,并测试了其光电性能。结果表明:制... 以SeO2,CdCl2.5/2H2O,H2SO4为原料,采用三电极体系,分别在ITO玻璃和TiO2纳米管阵列基底上沉积CdSe薄膜。研究了不同沉积电压(-0.6,-0.7,-0.8,-0.9V,均相对于SCE)下制备的复合薄膜的晶体结构和微观形貌,并测试了其光电性能。结果表明:制备出的纳米粒子呈不均匀团聚状态;随沉积电压的增大,光吸收增强,光响应电流增大,在沉积电压为-0.8V时复合薄膜的光响应电流达到最大值,但此沉积电压下的薄膜容易剥落。综合考虑薄膜质量和光响应电流,沉积电压为-0.7V时制备的复合薄膜最佳。 展开更多
关键词 电化学沉积 TIO2纳米管 沉积电压 cdse纳米晶薄膜
在线阅读 下载PDF
TiO_2/CdSe纳晶复合薄膜电极的制备及表征 被引量:1
7
作者 张含平 高庆平 +2 位作者 姚叶梅 林原 张敬波 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期58-60,共3页
研究了CdSe敏化TiO2纳晶多孔薄膜电极的制备及其表征,采用化学沉积法在TiO2纳晶薄膜电极表面制备了窄带隙纳米微粒CdSe,对丝网印刷制备的TiO2纳晶薄膜电极进行敏化处理,制备了TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极;同时利用XRD、SEM、TEM、XPS对Ti... 研究了CdSe敏化TiO2纳晶多孔薄膜电极的制备及其表征,采用化学沉积法在TiO2纳晶薄膜电极表面制备了窄带隙纳米微粒CdSe,对丝网印刷制备的TiO2纳晶薄膜电极进行敏化处理,制备了TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极;同时利用XRD、SEM、TEM、XPS对TiO2/CdSe复合薄膜电极的晶型、粒径、元素组成和表面结合态进行了表征分析。 展开更多
关键词 丝网印刷 化学沉积法 TiO2/cdse纳晶复合薄膜电极
在线阅读 下载PDF
TiO_2/CdSe纳晶复合薄膜电极的光电性能研究
8
作者 秦丽莉 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期128-130,共3页
研究了TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极的瞬态光电流、光电流作用谱、光吸收特性,结果表明TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极阻止了CdSe上光生电子和空穴的复合,从而提高了阳极光电流的响应,获得了较高增幅的稳态光电流。
关键词 瞬态光电流 光电流作用谱 TiO2/cdse纳晶复合薄膜电极
在线阅读 下载PDF
强度调制光电流谱研究纳晶薄膜电极过程 被引量:4
9
作者 肖绪瑞 张敬波 +2 位作者 林原 尹峰 李学萍 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第10期918-923,共6页
用强度调制光电流谱研究半导体纳晶薄膜电极光生电荷的界面转移和输运动力学过程.从测量不同外加电压和不同硫化钠溶液浓度下CdSe纳晶薄膜电极的光电流响应得到了参数:归一化稳态光电流和表面态寿命,分析界面空穴的直接转移和通... 用强度调制光电流谱研究半导体纳晶薄膜电极光生电荷的界面转移和输运动力学过程.从测量不同外加电压和不同硫化钠溶液浓度下CdSe纳晶薄膜电极的光电流响应得到了参数:归一化稳态光电流和表面态寿命,分析界面空穴的直接转移和通过表面态的间接转移过程.通过测量不同背景光强下TiO2纳晶薄膜电极的电子扩散系数研究电子输运过程.应用HCl化学处理方法明显增大了电子扩散系数,改善了电子在TiO2纳晶薄膜电极中的输运性能. 展开更多
关键词 电极反应过程动力学 硒化镉 强度调制光电流谱 cdse纳晶薄膜电极 TiO2纳晶薄膜电极 空穴界面转移 电子输运 半导体电极 二氧化钛
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部