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VHF频段小型化千瓦级GaN功率放大器
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作者 张晓帆 默江辉 +4 位作者 高永辉 倪涛 余若祺 斛彦生 徐守利 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期45-49,共5页
为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求,设计并制备了一款基于05μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器。通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的... 为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求,设计并制备了一款基于05μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器。通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的小型化;以高通滤波器作为级间匹配电路,在减小电路尺寸的同时,提高了链路增益;采用混合集成工艺,实现了电源调制器、前级驱动功率放大器和末级功率放大器等各单元的小型化高密度集成。测试结果表明,在024~030 GHz频带内,该功率放大器的工作电压为50 V,工作脉宽为100μs,在占空比10%、输入功率10 dBm的工作条件下,带内输出功率大于1000 W,功率附加效率约为60%~69%,功率增益大于50 dB,功放体积为46 mm×30 mm×6 mm。 展开更多
关键词 千瓦级 gan功率放大器 小型化 VHF频段 混合集成
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一种新型C频段高效率移相GaN功率放大器 被引量:1
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作者 梁勤金 董四华 +1 位作者 郑强林 余川 《电讯技术》 北大核心 2013年第5期623-627,共5页
研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化... 研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化、高效率、高功率密度、高击穿电压特性,是一种目前国内外尚无类似集成设计的最新高性能氮化镓(GaN)功率放大器模块。因其功放模块输出末级采用了美国Cree公司第三代宽禁带GaN功放管优化设计,实现了固态C频段高效率功率输出。 展开更多
关键词 固态功率放大器 c频段gan功率放大器 高效率 宽禁带gan器件
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一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源
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作者 梁勤金 石小燕 +1 位作者 潘文武 黄吉金 《电讯技术》 北大核心 2016年第8期873-878,共6页
介绍了一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源,给出了系统组成与工作原理,提供了其主要部件W频段固态Gunn驱动源、W频段波导-微带转换器、主放大器芯片基本性能及实验测试结果。该固态毫米波源工作频率94 GHz,输出连续波功率大于3... 介绍了一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源,给出了系统组成与工作原理,提供了其主要部件W频段固态Gunn驱动源、W频段波导-微带转换器、主放大器芯片基本性能及实验测试结果。该固态毫米波源工作频率94 GHz,输出连续波功率大于300 m W,线性增益10 d B,附加效率(PAE)大于16%。在W频段固态毫米波源研制过程中,其单片微波集成电路(MMIC)功率放大器半导体材料选择经历了GaAs、InP到GaN演变,结果清楚表明,W频段毫米波源的GaN MMlC功率放大器输出功率、增益、效率、高温性能要优于其他固态MMIC功率放大器性能。W频段大功率固态GaN MMl C技术将在毫米波领域带来新的技术革命和应用。 展开更多
关键词 毫米波源 gan功率放大器 W频段 单片微波集成电路 连续波
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一种新型Ku频段硅基氮化镓多通道功率MMIC 被引量:2
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作者 姚明 《电讯技术》 北大核心 2022年第9期1363-1367,共5页
基于降低成本和提高集成度的目的,研制了一款采用0.1μm硅基氮化镓(GaN)工艺的Ku频段多通道功率放大芯片。芯片集成了两路相同设计的功率放大通道和两路无源射频直通通道。功率放大通道采用三级放大的拓扑结构。增加了奇偶模振荡消除电... 基于降低成本和提高集成度的目的,研制了一款采用0.1μm硅基氮化镓(GaN)工艺的Ku频段多通道功率放大芯片。芯片集成了两路相同设计的功率放大通道和两路无源射频直通通道。功率放大通道采用三级放大的拓扑结构。增加了奇偶模振荡消除电路以提高功放稳定性;针对Si基GaN工艺的特点,在功放通道末级输出匹配网络提出了一种新型设计方案以提高网络的耐压能力。各射频通道之间采用接地线隔离技术以提高通道间的隔离度。芯片的功放单通道在14~17 GHz范围内,在漏压为14 V、脉冲占空比10%的工作条件下,饱和输出功率大于40 dBm,功率附加效率大于35%。双功放通道幅度一致性小于±0.15 dB,相位一致性小于3°。芯片尺寸为3.5 mm×2.85 mm。 展开更多
关键词 Si基gan功率放大器 KU频段 多通道微波单片集成电路
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一种双波段GaN高效率功率放大器
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作者 杨琳 张龙龙 +3 位作者 高瑞龙 杨云飞 王金晓 张秀清 《现代电子技术》 2025年第20期45-50,共6页
近年来,随着无线通信技术的飞速发展,对多频段通信系统的需求日益增加。为此,提出一种双频段功率放大器设计方法,并基于该方法设计一个GaN基P/S波段双频功率放大器。该放大器采用含级间匹配网络(ISMN)和输入匹配网络(IMN)来实现功放的... 近年来,随着无线通信技术的飞速发展,对多频段通信系统的需求日益增加。为此,提出一种双频段功率放大器设计方法,并基于该方法设计一个GaN基P/S波段双频功率放大器。该放大器采用含级间匹配网络(ISMN)和输入匹配网络(IMN)来实现功放的双频带功能。输出匹配网络(OMN)采用电容自谐振的理论设计,电容为功放信号提供短路点,从而实现电路在双频段的稳定工作。仿真结果表明:当频率为P波段时,放大器小信号增益大于29.4 dB,饱和输出功率(Psat)大于40.2 dBm,功率附加效率(PAE)为62%~66.2%;当频率为S波段时,放大器具有大于29.7 dB的小信号增益,超过39.1 dBm的饱和输出功率以及52.3%~66.3%的PAE。 展开更多
关键词 gan 功率放大器 频段 级间匹配网络 输入匹配网络 功放信号
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