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氮气流量对C、N共掺杂NiCr合金薄膜微观结构和电性能的影响
被引量：
6
1
作者
赖莉飞
王金霞
鲍明东
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第12期131-139,共9页
目的提高埋入式薄膜电阻材料的电性能,使其具有较大的方阻值、电阻率和较小的电阻温度系数。方法利用闭合磁场非平衡反应磁控溅射技术,制备C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料。以前期优化后的溅射参数作为基本实验条件,通过改变氮...
目的提高埋入式薄膜电阻材料的电性能,使其具有较大的方阻值、电阻率和较小的电阻温度系数。方法利用闭合磁场非平衡反应磁控溅射技术,制备C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料。以前期优化后的溅射参数作为基本实验条件,通过改变氮气流量,分别在铜箔基底和参照基底载玻片上,沉积C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料。用扫描电子显微镜(SEM)和白光干涉仪表征薄膜的表面形貌,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的微观结构,用X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线能量散射谱仪(EDS)测试薄膜的成分,用表面轮廓仪测膜厚,用拉曼光谱仪分析薄膜中的C元素,用四探针测量系统测试埋阻的方阻值和热稳定性。结果随着氮气流量的增加,薄膜的衍射峰减弱,非晶化程度增强;当氮气流量为15 mL/min时,薄膜能获得较小的电阻温度系数和较大电阻率,此时薄膜的电阻温度系数范围为0≤TCRNiCrCN≤1.663×10^-4K^-1,电阻率可达到2.2970×10^-3Ω·cm。结论反应溅射中产生的中间相Cr2N和CN对薄膜的电阻率和方阻值有影响,C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料的电性能优于NiCr合金薄膜和C掺杂NiCr合金薄膜电阻材料。
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关键词
c、n共掺杂nicr合金薄膜
埋入式
薄膜
电阻
磁控溅射
微观结构
电性能
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职称材料
Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法
2
《无机盐工业》
CAS
北大核心
2005年第5期61-61,共1页
本发明的Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，反应室真空度抽至至少4×10^-3Pa，以铝的质量分数为0．1％～0．3％的锌铝合金为靶材，以纯度99．99％以上的N2O和纯度99．99％以上的Ar作为溅射气氛，A...
本发明的Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，反应室真空度抽至至少4×10^-3Pa，以铝的质量分数为0．1％～0．3％的锌铝合金为靶材，以纯度99．99％以上的N2O和纯度99．99％以上的Ar作为溅射气氛，Ar的分压为气体总压强的15％～25％，将两种气体分别由气体流量计控制输入装置的缓冲室，
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关键词
晶体
薄膜
Z
n
O
共
掺杂
气保护
AR
P型
生长
磁控溅射法
气体流量计
锌铝
合金
质量分数
输入装置
真空度
反应室
n
2O
缓冲室
纯度
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职称材料
题名
氮气流量对C、N共掺杂NiCr合金薄膜微观结构和电性能的影响
被引量：
6
1
作者
赖莉飞
王金霞
鲍明东
机构
宁波工程学院
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第12期131-139,共9页
基金
宁波市自然科学基金项目(2018A610078)~~
文摘
目的提高埋入式薄膜电阻材料的电性能,使其具有较大的方阻值、电阻率和较小的电阻温度系数。方法利用闭合磁场非平衡反应磁控溅射技术,制备C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料。以前期优化后的溅射参数作为基本实验条件,通过改变氮气流量,分别在铜箔基底和参照基底载玻片上,沉积C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料。用扫描电子显微镜(SEM)和白光干涉仪表征薄膜的表面形貌,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的微观结构,用X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线能量散射谱仪(EDS)测试薄膜的成分,用表面轮廓仪测膜厚,用拉曼光谱仪分析薄膜中的C元素,用四探针测量系统测试埋阻的方阻值和热稳定性。结果随着氮气流量的增加,薄膜的衍射峰减弱,非晶化程度增强;当氮气流量为15 mL/min时,薄膜能获得较小的电阻温度系数和较大电阻率,此时薄膜的电阻温度系数范围为0≤TCRNiCrCN≤1.663×10^-4K^-1,电阻率可达到2.2970×10^-3Ω·cm。结论反应溅射中产生的中间相Cr2N和CN对薄膜的电阻率和方阻值有影响,C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料的电性能优于NiCr合金薄膜和C掺杂NiCr合金薄膜电阻材料。
关键词
c、n共掺杂nicr合金薄膜
埋入式
薄膜
电阻
磁控溅射
微观结构
电性能
Keywords
c
a
n
d
n
c
o-doped
nicr
alloy thi
n
film
embedded thi
n
film resistor
mag
n
etro
n
sputteri
n
g
mi
c
rostru
c
tures
ele
c
tri
c
al properties
分类号
TG174.442 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法
2
出处
《无机盐工业》
CAS
北大核心
2005年第5期61-61,共1页
文摘
本发明的Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，反应室真空度抽至至少4×10^-3Pa，以铝的质量分数为0．1％～0．3％的锌铝合金为靶材，以纯度99．99％以上的N2O和纯度99．99％以上的Ar作为溅射气氛，Ar的分压为气体总压强的15％～25％，将两种气体分别由气体流量计控制输入装置的缓冲室，
关键词
晶体
薄膜
Z
n
O
共
掺杂
气保护
AR
P型
生长
磁控溅射法
气体流量计
锌铝
合金
质量分数
输入装置
真空度
反应室
n
2O
缓冲室
纯度
分类号
O734 [理学—晶体学]
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氮气流量对C、N共掺杂NiCr合金薄膜微观结构和电性能的影响
赖莉飞
王金霞
鲍明东
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
6
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职称材料
2
Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法
《无机盐工业》
CAS
北大核心
2005
0
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参考文献
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