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C/C素坯密度对GSIC/C-SiC复合材料摩擦磨损性能的影响
被引量：
1
1
作者
刘荣军
缪花明
+1 位作者
王衍飞
孙国帅
《航空制造技术》
2017年第16期16-21,共6页
采用气相渗硅工艺(GSI)制备C/C-Si C复合材料,研究了C/C素坯密度对GSI C/C-Si C复合材料物相组成与摩擦磨损性能的影响,分析了C/C-Si C复合材料的制动过程,并归纳了其摩擦磨损机理。结果表明,随着C/C素坯密度的增大,GSI C/C-Si C复合材...
采用气相渗硅工艺(GSI)制备C/C-Si C复合材料,研究了C/C素坯密度对GSI C/C-Si C复合材料物相组成与摩擦磨损性能的影响,分析了C/C-Si C复合材料的制动过程,并归纳了其摩擦磨损机理。结果表明,随着C/C素坯密度的增大,GSI C/C-Si C复合材料的密度呈递减趋势,且C含量和开气孔率逐渐增加,而Si C含量和残余Si含量逐渐减少;自对偶条件下,复合材料的平均摩擦系数、磨损率均呈现先增大后减小的趋势,当C/C素坯密度为1.25g/cm3时有最大值,而制动稳定系数则不断增大。GSI C/C-Si C复合材料的制动过程是犁沟效应和粘着效应共同作用的结果,制动初始阶段和刹停阶段以犁沟效应为主,中间阶段以粘着效应为主。
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关键词
c/c素坯
密度
GSI
c/
c
-Si
c
复合材料
摩擦磨损性能
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职称材料
素坯密度对气相渗硅制备C/C-SiC复合材料结构与性能的影响
被引量：
7
2
作者
曹宇
刘荣军
+3 位作者
曹英斌
龙宪海
严春雷
张长瑞
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期19-25,共7页
三维针刺碳毡经化学气相渗透(Chemical Vapor Infiltration,CVI)增密制备C/C素坯,通过气相渗硅(Gaseous Silicon Infiltration,GSI)制备C/C-SiC复合材料。研究素坯密度与CVI C层厚度及素坯孔隙率的变化规律,并分析素坯密度对C/C-SiC复...
三维针刺碳毡经化学气相渗透(Chemical Vapor Infiltration,CVI)增密制备C/C素坯,通过气相渗硅(Gaseous Silicon Infiltration,GSI)制备C/C-SiC复合材料。研究素坯密度与CVI C层厚度及素坯孔隙率的变化规律,并分析素坯密度对C/C-SiC复合材料力学性能、热学性能的影响。结果表明:随着素坯密度增大,CVI C层变厚,孔隙率减小;C/C-SiC复合材料中残C量随之增大,残余Si量随之减小,SiC先保持较高含量(体积分数约40%),随后迅速降低,C/C-SiC复合材料密度逐渐减小,力学性能先增大后减小,而热导率及热膨胀系数降低至平稳。当素坯密度为1.085g/cm3时,复合材料力学性能最好,弯曲强度可达308.31MPa,断裂韧度为11.36MPa·m1/2。研究发现:素坯孔隙率较大时,渗硅通道足够,残余硅多,且CVI C层较薄,纤维硅蚀严重,C/C-SiC复合材料力学性能低;素坯孔隙率较小时,渗硅通道很快阻塞,Si和SiC含量少,而闭孔大且多,C/C-SiC复合材料力学性能也不高。
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关键词
c/c素坯
气相渗硅
c/
c
-SI
c
c
VI
c
力学性能
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职称材料
题名
C/C素坯密度对GSIC/C-SiC复合材料摩擦磨损性能的影响
被引量：
1
1
作者
刘荣军
缪花明
王衍飞
孙国帅
机构
国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室
出处
《航空制造技术》
2017年第16期16-21,共6页
基金
国防科学技术大学科研计划项目(JC14-01-01)
文摘
采用气相渗硅工艺(GSI)制备C/C-Si C复合材料,研究了C/C素坯密度对GSI C/C-Si C复合材料物相组成与摩擦磨损性能的影响,分析了C/C-Si C复合材料的制动过程,并归纳了其摩擦磨损机理。结果表明,随着C/C素坯密度的增大,GSI C/C-Si C复合材料的密度呈递减趋势,且C含量和开气孔率逐渐增加,而Si C含量和残余Si含量逐渐减少;自对偶条件下,复合材料的平均摩擦系数、磨损率均呈现先增大后减小的趋势,当C/C素坯密度为1.25g/cm3时有最大值,而制动稳定系数则不断增大。GSI C/C-Si C复合材料的制动过程是犁沟效应和粘着效应共同作用的结果,制动初始阶段和刹停阶段以犁沟效应为主,中间阶段以粘着效应为主。
关键词
c/c素坯
密度
GSI
c/
c
-Si
c
复合材料
摩擦磨损性能
Keywords
c/
c
green density
GSI
c/
c
-Si
c
c
omposite
Fri
c
tion and wear property
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
V25 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
素坯密度对气相渗硅制备C/C-SiC复合材料结构与性能的影响
被引量：
7
2
作者
曹宇
刘荣军
曹英斌
龙宪海
严春雷
张长瑞
机构
国防科学技术大学航天科学与工程学院
出处
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期19-25,共7页
基金
国防科学技术大学科研计划资助项目(JC14-01-04)
文摘
三维针刺碳毡经化学气相渗透(Chemical Vapor Infiltration,CVI)增密制备C/C素坯,通过气相渗硅(Gaseous Silicon Infiltration,GSI)制备C/C-SiC复合材料。研究素坯密度与CVI C层厚度及素坯孔隙率的变化规律,并分析素坯密度对C/C-SiC复合材料力学性能、热学性能的影响。结果表明:随着素坯密度增大,CVI C层变厚,孔隙率减小;C/C-SiC复合材料中残C量随之增大,残余Si量随之减小,SiC先保持较高含量(体积分数约40%),随后迅速降低,C/C-SiC复合材料密度逐渐减小,力学性能先增大后减小,而热导率及热膨胀系数降低至平稳。当素坯密度为1.085g/cm3时,复合材料力学性能最好,弯曲强度可达308.31MPa,断裂韧度为11.36MPa·m1/2。研究发现:素坯孔隙率较大时,渗硅通道足够,残余硅多,且CVI C层较薄,纤维硅蚀严重,C/C-SiC复合材料力学性能低;素坯孔隙率较小时,渗硅通道很快阻塞,Si和SiC含量少,而闭孔大且多,C/C-SiC复合材料力学性能也不高。
关键词
c/c素坯
气相渗硅
c/
c
-SI
c
c
VI
c
力学性能
Keywords
c/
c
preform
GSI
c/
c
-Si
c
c
omposite
c
VI
c
me
c
hani
c
al property
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
C/C素坯密度对GSIC/C-SiC复合材料摩擦磨损性能的影响
刘荣军
缪花明
王衍飞
孙国帅
《航空制造技术》
2017
1
在线阅读
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职称材料
2
素坯密度对气相渗硅制备C/C-SiC复合材料结构与性能的影响
曹宇
刘荣军
曹英斌
龙宪海
严春雷
张长瑞
《材料工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
7
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职称材料
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