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离子注入Ni-C修饰电极伏安法测定痢特灵 被引量：4
1
作者 赵敏 胡劲波 +2 位作者 来永春 尚军 李启隆 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期517-520,共4页
痢特灵在0．1mol·L－1盐酸中，用注入镍的玻碳电极作为工作电极进行伏安测定，形成一良好的还原峰，峰电位Ep＝－0．34V（vs．SCE）．峰电流与痢特灵浓度在1．0×10－5～1．0×10－4mol·L－1范围内成线性关系，检出限... 痢特灵在0．1mol·L－1盐酸中，用注入镍的玻碳电极作为工作电极进行伏安测定，形成一良好的还原峰，峰电位Ep＝－0．34V（vs．SCE）．峰电流与痢特灵浓度在1．0×10－5～1．0×10－4mol·L－1范围内成线性关系，检出限为5．0×10－6mol·L－1．用于片剂测定，得到满意的结果．用循环伏安法研究了该物质的电化学行为及其反应机理，认为痢特灵的电极反应过程属于准可逆过程。 展开更多
关键词 痢特灵 伏安法 离子注入 修饰电极 镍 玻碳电极
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N^＋离子注入陆地棉花粉对胚珠DNA及M1代cDNA表达的影响 被引量：5
2
作者 岳洁瑜 杨郁文 +3 位作者 于艳杰 倪万潮 吴李君 唐灿明 《核农学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期54-59,共6页
通过对胚珠DNA的SSR标记分析,在DNA水平上检测氮离子束诱变后胚珠的多态性变化,结果表明,离子注入陆地棉花粉后再授粉雌蕊,会对胚珠的DNA多态性产生影响,表明在一定程度上改变了花粉中精细胞的DNA序列;利用抑制性消减杂交(SSH)分离N+离... 通过对胚珠DNA的SSR标记分析,在DNA水平上检测氮离子束诱变后胚珠的多态性变化,结果表明,离子注入陆地棉花粉后再授粉雌蕊,会对胚珠的DNA多态性产生影响,表明在一定程度上改变了花粉中精细胞的DNA序列;利用抑制性消减杂交(SSH)分离N+离子诱变花粉和正常花粉(对照)分别给雌蕊授粉后产生的M1代植株叶片间表达有差异的cDNA片段,建立差异表达cDNA文库。已测序的有50个缩减cDNA克隆,根据BLAST网络服务检索查询EMBL、Gen Bank、DDBJ和PDB的核苷酸序列数据库以及蛋白质氨基酸序列数据库,进行序列联配,结果发现52%序列在数据库中都有同源的棉属来源的EST。38个EST与其他物种已知基因部分区域的同源性为56%~100%,占总EST的76%;5条EST序列能在数据库中检索到同源性序列,但其功能(占10%)尚不清楚;9个EST能在数据库中发现为推测蛋白,占18%;4个EST在GenBank中没有查到对应的同源序列,占8%。 展开更多
关键词 抑制性消减杂交(SSH) SSR分子标记 n^+离子注入 陆地棉
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C离子注入对硬质合金刀具TiN涂层性能的影响 被引量：2
3
作者 余米香 范洪远 熊计 《工具技术》 2009年第8期27-29,共3页
在硬质合金刀具上沉积了PVD-TiN涂层,并采用C离子注入技术对其进行表面改性处理。对涂层截面的微观形貌、显微硬度以及与基体附着力的测试结果表明,C离子注入可使TiN涂层的显微组织细密均匀化,并能明显提高涂层的显微硬度以及与基体的... 在硬质合金刀具上沉积了PVD-TiN涂层,并采用C离子注入技术对其进行表面改性处理。对涂层截面的微观形貌、显微硬度以及与基体附着力的测试结果表明,C离子注入可使TiN涂层的显微组织细密均匀化,并能明显提高涂层的显微硬度以及与基体的附着力。 展开更多
关键词 硬质合金刀具 TIn涂层 c离子注入 表面改性 涂层性能
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中频非平衡磁控溅射制备Ti-N-C膜 被引量：2
4
作者 张以忱 巴德纯 +1 位作者 颜云辉 马胜歌 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1049-1052,共4页
采用霍尔离子源辅助中频非平衡磁控溅射技术,通过改变工作气氛、偏压模式、溅射电流以及辅助离子束电流,在不锈钢材料基体上制备了Ti/TiN/Ti(C,N)硬质耐磨损膜层.对薄膜的颜色、晶体结构、膜基结合力等性能进行了检测分析.结果表明:膜... 采用霍尔离子源辅助中频非平衡磁控溅射技术,通过改变工作气氛、偏压模式、溅射电流以及辅助离子束电流,在不锈钢材料基体上制备了Ti/TiN/Ti(C,N)硬质耐磨损膜层.对薄膜的颜色、晶体结构、膜基结合力等性能进行了检测分析.结果表明:膜层的颜色对工作气氛非常敏感,反应溅射中工作气氛的微小变化会引起表面膜层颜色很大的变化.在正常的反应气体进气量范围内和较小的基体偏压下,薄膜的晶体结构没有明显的择优取向.但是反应气体的过量通入会使薄膜的晶体结构出现晶面择优取向趋势.非平衡磁控溅射成膜技术对薄膜晶体结构的择优取向影响并不是很大.在镀膜过程中施加霍尔电流,可以有效地增加膜基结合力. 展开更多
关键词 Ti—n—c薄膜 非平衡磁控溅射 中频溅射靶 晶体结构 离子束辅助沉积
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多弧离子镀Ti(C,N)/Ti薄膜性能研究 被引量：1
5
作者 黄元林 朱有利 马世宁 《表面技术》 EI CAS CSCD 2005年第6期30-32,共3页
在45钢基体上采用多弧离子镀技术沉积了Ti(C,N)/Ti双层膜,采用纳米测试仪、SEM、XRD及MM-200等考察了该双层膜的基本性能、组织结构及摩擦学性能。结果表明:该双层膜的显微硬度达15.6 GPa;膜与基体结合良好,临界载荷达136.3 mN;膜的主... 在45钢基体上采用多弧离子镀技术沉积了Ti(C,N)/Ti双层膜,采用纳米测试仪、SEM、XRD及MM-200等考察了该双层膜的基本性能、组织结构及摩擦学性能。结果表明:该双层膜的显微硬度达15.6 GPa;膜与基体结合良好,临界载荷达136.3 mN;膜的主要组成相为Ti(C0.2,N0.8)及少量的Ti;膜的摩擦学性能良好,使基体的耐磨性提高了2倍。 展开更多
关键词 多弧离子镀 45钢 TI(c n) 摩擦学
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花状SnSe0.5S0.5@N-C复合材料的制备及其在钠离子电池中的应用 被引量：2
6
作者 叶军 宋伟明 +2 位作者 孙立 杨芷奇 姜兆成 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期382-388,共7页
为了设计具有高容量和循环稳定性的钠离子电池负极材料,合成了有序花状SnSe,在其表面进行氮碳掺杂,并进一步硫化,得到有序花状SnSe_(0.5)S_(0.5)@N-C复合材料。采用SEM、TEM、XRD、XPS对复合材料的结构和形貌进行了表征,并将其作为钠离... 为了设计具有高容量和循环稳定性的钠离子电池负极材料,合成了有序花状SnSe,在其表面进行氮碳掺杂,并进一步硫化,得到有序花状SnSe_(0.5)S_(0.5)@N-C复合材料。采用SEM、TEM、XRD、XPS对复合材料的结构和形貌进行了表征,并将其作为钠离子电池负极进行了性能测试。结果表明,当SnSe_(0.5)S_(0.5)@N-C作为钠离子电池负极时,表现出较高的可逆容量和优异的循环性能。在0.2 A/g电流密度下,复合材料在循环100圈后的可逆比容量仍可高达430.7 mA·h/g。 展开更多
关键词 SnSe_(0.5)S_(0.5)@n-c复合材料 有序花状 钠离子电池 负极材料 有机电化学与工业
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高产Monacolin K红曲菌种的筛选及发酵条件的优化 被引量：4
7
作者 李玲 陈凯 +4 位作者 王贻莲 张薇 杨玉忠 扈进冬 李纪顺 《中国调味品》 北大核心 2017年第12期89-93,共5页
为了提高Monacolin K的产量,应用30keV的N+离子注入,对紫红曲霉M2进行诱变育种。诱变剂量分别为1×10^(15),5×10^(15),1×1016,5×1016,1×1017 N+/cm2,通过构巢曲霉对峙培养、洛伐他汀抗性筛选、高效液相色谱HPL... 为了提高Monacolin K的产量,应用30keV的N+离子注入,对紫红曲霉M2进行诱变育种。诱变剂量分别为1×10^(15),5×10^(15),1×1016,5×1016,1×1017 N+/cm2,通过构巢曲霉对峙培养、洛伐他汀抗性筛选、高效液相色谱HPLC方法筛选高产Monacolin K的优秀突变菌株,并且通过液态发酵试验优化部分培养条件。结果显示:相对原菌株M2,最佳诱变菌株11-13产Monacolin K的能力是原菌株M2的2.3倍,连续传代5次,其高产遗传形状稳定。其最佳发酵培养条件为:温度30℃,接种量10%,转速200r/min,发酵时间14天。 展开更多
关键词 红曲霉 Monacolin K n^+离子注入 诱变育种 发酵条件
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Cu-3.0Ni-0.64Si合金的热变形行为 被引量：2
8
作者 孙倩 陈冷 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第22期90-94,共5页
对Cu-3.0Ni-0.64Si合金进行了变形温度为750~900℃、变形速率为0.001~1s^(-1)条件下的等温压缩实验。结果表明,随着变形温度升高或变形速率降低,峰值应力明显降低,合金容易发生动态再结晶。通过线性回归分析,求得Cu-3.0Ni-0.64Si合金的... 对Cu-3.0Ni-0.64Si合金进行了变形温度为750~900℃、变形速率为0.001~1s^(-1)条件下的等温压缩实验。结果表明,随着变形温度升高或变形速率降低,峰值应力明显降低,合金容易发生动态再结晶。通过线性回归分析,求得Cu-3.0Ni-0.64Si合金的变形激活能为410.4kJ/mol,建立了Cu-3.0Ni-0.64Si合金的高温热变形流变应力本构方程6)ε=e^(40.56)[sinh(0.017σ)]^(5.21)exp[-410.4×10~3/(RT)]。分别讨论了变形温度和变形速率对Cu-3.0Ni-0.64Si合金在等温压缩变形中显微组织的影响。最后基于动态材料模型理论,用Prasad失稳判据,得到不同真应变量下的热加工图。优化后的工艺参数为变形温度860~900℃和变形速率0.002~0.01s^(-1)。 展开更多
关键词 cU-nI-SI合金 热压缩变形 动态再结晶 热加工图
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N离子注入改性SnO_2缓冲层及其CdTe太阳电池应用
9
作者 刘源 唐鹏 +4 位作者 张静全 武莉莉 李卫 王文武 冯良桓 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第17期152-157,共6页
使用等离子注入技术对SnO_2薄膜进行N离子注入改性,进行方块电阻、光学透过、表面形貌、Kelvin探针和X射线光电子能谱(XPS)表征,并将其作为缓冲层应用到CdTe太阳电池中。研究结果发现,对于30nm厚的SnO_2缓冲层,经过30s、10min不同时间N... 使用等离子注入技术对SnO_2薄膜进行N离子注入改性,进行方块电阻、光学透过、表面形貌、Kelvin探针和X射线光电子能谱(XPS)表征,并将其作为缓冲层应用到CdTe太阳电池中。研究结果发现,对于30nm厚的SnO_2缓冲层,经过30s、10min不同时间N离子注入以后,其300~800nm波长范围透过率有所降低,而体电阻率则明显增加,特别是N离子注入10min的SnO_2缓冲层,表面出现很多凹孔,呈蜂窝状结构,且对后续沉积的CdS层表面形貌产生了明显影响。Kelvin探针表征结果显示,随着N离子注入时间的延长,SnO_2缓冲层功函数逐渐增加,最高达到约5.075eV,比本征SnO_2缓冲层的功函数高出0.15eV。XPS测试结果显示,N离子注入10min后,SnO_2缓冲层N1s结合能峰位向低结合能方向发生了明显移动,而O1s结合能峰位则向高结合能方向移动了,且表面区非晶格氧所占比例增大。对比电池结果,有N离子注入改性SnO_2缓冲层的电池与无缓冲层的电池相比,效率从10%左右增加到12%以上,最高达到12.47%,其中开路电压提高最为显著,从约750mV提高到790mV以上,提升了约5%,电池的整体均匀性也明显改善。 展开更多
关键词 n离子注入 SnO2缓冲层 原子力显微镜 X射线光电子能谱 cDTE太阳电池
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锂离子电池Mo2C/N-C复合材料的制备及性能研究 被引量：1
10
作者 陈东 郑宝成 +1 位作者 丘德立 谢建晖 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第6期67-71,76,共6页
以三氧化钼、草酸、盐酸多巴胺为原料,通过水热和高温煅烧的方法制备了碳化钼与氮掺杂碳纳米管(Mo2C/N-C)复合材料。采用X射线衍射仪、热重分析仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱等表征手段研究了Mo2C/N-C复合材料的化学组... 以三氧化钼、草酸、盐酸多巴胺为原料,通过水热和高温煅烧的方法制备了碳化钼与氮掺杂碳纳米管(Mo2C/N-C)复合材料。采用X射线衍射仪、热重分析仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、拉曼光谱等表征手段研究了Mo2C/N-C复合材料的化学组成、结构与形貌,并使用电池测试系统对材料进行了电化学性能测试。结果表明:Mo2C/N-C复合材料具有棒状碳纳米管结构,长径比较大,Mo2C纳米微晶均匀分布在氮掺杂的碳基质中。Mo2C的纳米微晶缩短了Li+离子的扩散路径,纵横比较大的棒状结构缩短了电解质中离子迁移路径,且氮掺杂的碳基质加速了电子转移并在放电/充电循环期间缓冲了Mo2C的体积变化。用Mo2C/N-C作为锂离子电池的负极材料,电流密度为100mA/g时,复合材料初始放电比容量为1146.5mAh/g,充电比容量为855.2mAh/g,库伦效率为74.59%。经过100次充放电循环后,复合材料放电比容量为574.2mAh/g,库仑效率为98.08%,表现出优异的电化学性能。 展开更多
关键词 Mo2c/n-c复合材料 锂离子电池 负极材料 电化学
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磁过滤电弧离子镀TiN与N离子注入性能研究
11
作者 付天佐 赵红 +2 位作者 田振刚 李晓其 谢宛鋆 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期139-145,共7页
目的研究磁过滤电弧离子镀TiN与N离子注入对金属基体的保护效果。方法采用磁过滤电弧离子镀和离子注入在不锈钢表面分别制备了TiN薄膜与N注入改性层,以及二者的复合膜层。对薄膜的相结构、微观形貌进行了表征,对薄膜进行了极化曲线测试... 目的研究磁过滤电弧离子镀TiN与N离子注入对金属基体的保护效果。方法采用磁过滤电弧离子镀和离子注入在不锈钢表面分别制备了TiN薄膜与N注入改性层,以及二者的复合膜层。对薄膜的相结构、微观形貌进行了表征,对薄膜进行了极化曲线测试,同时在半球样品表面制备涂层并进行盐雾测试。结果所制备的TiN涂层为(111)晶面择优取向,离子注N预处理后沉积的TiN薄膜,仍保持(111)面的择优取向;电化学测试结果显示,TiN和N离子注入能够使不锈钢基体自腐蚀电位分别提高0.64、0.25 V,TiN薄膜具有最低的维钝电流密度4.9×10^(-6) A/cm^(2),N离子注入+TiN复合薄膜的维钝电流密度与N离子注入样品接近;盐雾试验结果表明,TiN以及N离子注入+TiN复合薄膜样品能够保证铜半球在12h的中性盐雾试验中无明显腐蚀痕迹。结论N离子注入预处理对MFAIPTiN涂层耐蚀性能的提升效果有限,单一的MFAIP TiN涂层便可应用于复杂形状的工程材料表面镀膜,可以增强其抗腐蚀能力,延长使用寿命。 展开更多
关键词 TIn 磁过滤电弧离子镀 n离子注入 腐蚀防护
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N^+注入诱变芽孢杆菌选育高产抗菌物质菌株 被引量：11
12
作者 沈娟 别小妹 +2 位作者 陆兆新 吕凤霞 朱筱玉 《核农学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期296-298,330,共4页
本研究通过N+注入芽孢杆菌选育高产抗菌物质菌株。注入N+的能量为25keV,剂量为50×2.6×1013、80×2.6×1013、100×2.6×1013、120×2.6×1013和150×2.6×1013N+/m2。结果表明最佳的注入剂量... 本研究通过N+注入芽孢杆菌选育高产抗菌物质菌株。注入N+的能量为25keV,剂量为50×2.6×1013、80×2.6×1013、100×2.6×1013、120×2.6×1013和150×2.6×1013N+/m2。结果表明最佳的注入剂量为50×2.6×1013N+/m2,选育出了1株高产菌株(Bacillus subtilisfmbJ224),其抗菌物质产量是出发菌株的1.96倍,经传代培养,其高产性能稳定。同时通过对该菌株的发酵特性研究,发现其产抗菌物质的模式为延滞合成型。 展开更多
关键词 n^+离子 芽孢杆菌 抗菌物质 突变体
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桑树注入N^+离子后过氧化物同工酶及RAPD分析 被引量：5
13
作者 张和禹 吴家喜 +1 位作者 赵正龙 张乾德 《蚕业科学》 CAS CSCD 2002年第1期14-16,共3页
将低能量的N+ 离子注入 2个桑树品系的冬芽 ,对发生变异的M1代苗木单芽嫁接 ,M2 代部分桑苗形态性状生物学性状以及桑叶过氧化物酶同工酶酶谱均产生了变化。RAPD分析表明对照与变异株的DNA指纹图谱出现了较为明显的差异。
关键词 过氧化物同工酶 RAPD分析 桑树 氮离子注入 诱变育种
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低能C离子注入对白芝麻生物学效应影响的研究 被引量：7
14
作者 张斓 贾瀚超 +2 位作者 方湉 苏颖 周云龙 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期95-97,共3页
经低能C离子注入处理的白芝麻(SesamumindicumL.)种子,在田间进行了栽培实验,结果发现:种子注入不同注量的C离子,对其生长发育期的生物学效应有不同的影响,C离子注量为1×1011,1×1012,1×1015,5×1015,1×1016,5&#... 经低能C离子注入处理的白芝麻(SesamumindicumL.)种子,在田间进行了栽培实验,结果发现:种子注入不同注量的C离子,对其生长发育期的生物学效应有不同的影响,C离子注量为1×1011,1×1012,1×1015,5×1015,1×1016,5×1016cm-2的6个注量组的白芝麻植株的株高、叶数、茎粗及叶片面积均优于对照组,而且比对照组早进入花期,早结实,单株产量也有一定提高,特别是5×1015cm-2注量组为最优;但经较高的C离子注量(1×1017cm-2)处理后,对白芝麻种子的萌发率和生长势则有较大的抑制作用.该研究结果为应用离子注入技术对芝麻品种的改良提供了有价值的依据. 展开更多
关键词 低能c离子 离子注入 白芝麻 生物学效应
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双注入匹配的计算机模拟和Ti^++N^+双注入的实验结果 被引量：5
15
作者 张通和 姬成周 +4 位作者 沈京华 陈俊 杨建华 孙贵如 高愈尊 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第4期53-58,共6页
为在金属中形成所需要的合金或金属间化合物而采用双重离子注入技术.2种注入离子注入能量和注量需要合理匹配.还考虑了溅射效应和扩散效应存在时的各种修正.在计算机模拟的基础上,对 Ti^++N^+双注入 H13钢中 Fe_2Ti,TiN 和 Fe_2N 等化... 为在金属中形成所需要的合金或金属间化合物而采用双重离子注入技术.2种注入离子注入能量和注量需要合理匹配.还考虑了溅射效应和扩散效应存在时的各种修正.在计算机模拟的基础上,对 Ti^++N^+双注入 H13钢中 Fe_2Ti,TiN 和 Fe_2N 等化合物进行了测量.这些合金相和金属间化合物的形成提高了钢表面抗磨损特性.还讨论了双注入金属表面的硬化机理. 展开更多
关键词 离子注入 双注入 Ti^+ n^+ 合金相
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N^+离子注入技术选育猴头菌优良菌株 被引量：9
16
作者 严涛 李冠 曾宪贤 《食品工业科技》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期109-110,113,共3页
利用低能离子束生物技术对猴头菌进行诱变选育。通过分析N+离子注入后猴头菌丝体的生长速度,得到了常温和高温下生长速度较快的突变株。对突变株菌丝的多糖含量和氨基酸含量的检测结果显示,突变株菌丝的多糖含量和氨基酸含量也得到了不... 利用低能离子束生物技术对猴头菌进行诱变选育。通过分析N+离子注入后猴头菌丝体的生长速度,得到了常温和高温下生长速度较快的突变株。对突变株菌丝的多糖含量和氨基酸含量的检测结果显示,突变株菌丝的多糖含量和氨基酸含量也得到了不同程度的提高,说明离子注入技术可用于猴头菌的诱变育种。 展开更多
关键词 n^+离子注入 猴头菌 诱变育种
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Ti-2Al-2.5Zr合金N^+离子注入表面XPS和XRD分析 被引量：3
17
作者 王治国 祖小涛 +4 位作者 封向东 牟云峰 林理彬 李燕伶 黄新泉 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期207-210,共4页
Ti 2Al 2 .5Zr合金中注入能量为 75keV的N+ 离子 ,注入剂量为 3× 10 17/cm2 和 8× 10 17/cm2 ,注入过程样品的温度低于 2 0 0℃。N+ 离子在Ti 2Al 2 .5Zr合金中的射程借助TRIM 96程序计算为 12 2 2 。注入后的样品用X射线衍... Ti 2Al 2 .5Zr合金中注入能量为 75keV的N+ 离子 ,注入剂量为 3× 10 17/cm2 和 8× 10 17/cm2 ,注入过程样品的温度低于 2 0 0℃。N+ 离子在Ti 2Al 2 .5Zr合金中的射程借助TRIM 96程序计算为 12 2 2 。注入后的样品用X射线衍射方法 (XRD)以及光电子能谱方法 (XPS)进行分析。XRD衍射谱表明有新相生成 ,经分析为TiN和TiO2 ,但这些新相的峰非常微弱 ,很难区分。XPS宽程扫描谱表明注入后样品表面主要为Ti,C ,N和O。XPS关于Ti2 p和N 1s窄程扫描谱表明N+ 离子注入后在合金表面确实形成了TiN和TiO2 。 展开更多
关键词 TI-2AL-2.5ZR合金 n+离子注入 XRD XPS
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N^+离子注入球孢白僵菌诱变育种的初步研究 被引量：3
18
作者 蔡守平 倪健 +2 位作者 赵学球 樊美珍 李增智 《中国森林病虫》 北大核心 2006年第6期1-5,共5页
不同剂量的N+注入球孢白僵菌后,存活率呈典型的“马鞍型”剂量—效应曲线,选择该曲线峰值区域所对应的注入剂量即(80×1.3×1014)ion/cm2作为诱变育种的最佳注入剂量。比较离子注入前与注入后不同菌株的产酶曲线的结果是:不同... 不同剂量的N+注入球孢白僵菌后,存活率呈典型的“马鞍型”剂量—效应曲线,选择该曲线峰值区域所对应的注入剂量即(80×1.3×1014)ion/cm2作为诱变育种的最佳注入剂量。比较离子注入前与注入后不同菌株的产酶曲线的结果是:不同菌株之间的Pr1蛋白酶酶活存在着差异,但是其酶活曲线变化规律一致,说明离子注入没有改变白僵菌Pr1蛋白酶的产酶过程。选择诱导24 h作为最佳诱导时间。通过测定菌株产孢量与菌株Pr1蛋白酶酶活双重指标对菌株进行筛选,结果表明,Bb202IP50菌株在两个指标上表现均较好,产孢量达到(7.065±1.105 9)×108个孢子/cm2,A405达到了0.269 8±0.035 8,故将其确定为最佳突变菌株。 展开更多
关键词 离子注入 球孢白僵菌 育种 筛选
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升温Ta+N双注入对硬质合金性能的影响 被引量：3
19
作者 赵青 任文静 耿漫 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期61-64,共4页
利用升温离子注入技术 ,在PSII装置中实现了N +Ta双注入对硬质合金的有效表面改性 ,注入剂量为8× 10 1 7ions·cm- 2 ,注入表面温度分别为 10 0℃和 40 0℃。用显微硬度计测定硬度 ,表明试样表面显微硬度均有提高 ,其中 40 0... 利用升温离子注入技术 ,在PSII装置中实现了N +Ta双注入对硬质合金的有效表面改性 ,注入剂量为8× 10 1 7ions·cm- 2 ,注入表面温度分别为 10 0℃和 40 0℃。用显微硬度计测定硬度 ,表明试样表面显微硬度均有提高 ,其中 40 0℃试样表面显微硬度提高最大 ,高达 2 0 0 %。用俄歇电子能谱分析元素的浓度剖面 ,发现把温度从 10 0℃提高到 40 0℃ ,其注入层深度显著增加。X射线衍射测出了注入层表面形成的WN、TaN析出相。升温双元离子注入取得升温单元离子注入改性同样的效果 。 展开更多
关键词 硬质合金 n+Ta双元注入 温度 升温离子注入 氮 钽 表面改性
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脉冲时间对N^+离子注入猴头菌丝生长速度的影响 被引量：7
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作者 严涛 李冠 曾宪贤 《核农学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期128-131,共4页
利用低能离子束生物技术对猴头菌进行诱变选育,通过分析N+离子注入后猴头菌丝体的生长速度,研究脉冲时间对N+离子注入猴头菌丝体的影响。结果表明:脉冲时间从小到大的变化对N+离子注入猴头菌丝生长速度的整体影响呈先下降,后上升,再下... 利用低能离子束生物技术对猴头菌进行诱变选育,通过分析N+离子注入后猴头菌丝体的生长速度,研究脉冲时间对N+离子注入猴头菌丝体的影响。结果表明:脉冲时间从小到大的变化对N+离子注入猴头菌丝生长速度的整体影响呈先下降,后上升,再下降的“马鞍型”曲线。证明在注入剂量相同的前提下脉冲时间对N+离子注入猴头菌丝的生长速度有影响。 展开更多
关键词 n^+离子注入 猴头菌 生长速度 脉冲时间
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