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非均匀能带结构简并半导体的电流方程
1
作者
吴文刚
曾峥
罗晋生
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第6期51-59,共9页
从基本的玻尔兹曼输运方程出发，推导了非均匀能带结构简并半导体中电子和空穴电流方程的一般形式，着重处理了方程中的载流子温度梯度项，给出了一种新的便于半导体器件数值分析的包含影响材料能带结构各主要因素的电流广义漂移扩散模...
从基本的玻尔兹曼输运方程出发，推导了非均匀能带结构简并半导体中电子和空穴电流方程的一般形式，着重处理了方程中的载流子温度梯度项，给出了一种新的便于半导体器件数值分析的包含影响材料能带结构各主要因素的电流广义漂移扩散模型及相关系列公式，应用该模型对Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质结双极晶体管的热电子效应进行了数值模拟和讨论。
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关键词
简并半导体
热载流子
半导体
电流方程
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职称材料
题名
非均匀能带结构简并半导体的电流方程
1
作者
吴文刚
曾峥
罗晋生
出处
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第6期51-59,共9页
基金
国家教委博士点基金
文摘
从基本的玻尔兹曼输运方程出发，推导了非均匀能带结构简并半导体中电子和空穴电流方程的一般形式，着重处理了方程中的载流子温度梯度项，给出了一种新的便于半导体器件数值分析的包含影响材料能带结构各主要因素的电流广义漂移扩散模型及相关系列公式，应用该模型对Ｓｉ／ＳｉＧｅ异质结双极晶体管的热电子效应进行了数值模拟和讨论。
关键词
简并半导体
热载流子
半导体
电流方程
Keywords
boltzmann transport equation degenerate semiconductor hot carriers numerical analysis
分类号
O473 [理学—半导体物理]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
非均匀能带结构简并半导体的电流方程
吴文刚
曾峥
罗晋生
《西安交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
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