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在(001)SrRuO3/(001)SrTiO3上外延生长c轴取向Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜的显微结构研究
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作者 王立华 李金华 +3 位作者 祁亚军 卢朝靖 YANG Hao JIA Quan-xi 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第5期352-357,共6页
用脉冲激光沉积在(001)SrRuO3/(001)SrTiO3上外延生长了c轴取向的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。SrRuO3底电极层厚约117nm,BNdT薄膜厚~35nm。X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)观察证实了SrRuO3层和BNdT薄膜的外延生长。通过TEM平面... 用脉冲激光沉积在(001)SrRuO3/(001)SrTiO3上外延生长了c轴取向的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。SrRuO3底电极层厚约117nm,BNdT薄膜厚~35nm。X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)观察证实了SrRuO3层和BNdT薄膜的外延生长。通过TEM平面样品观察,在SrRuO3/BNdT界面附近看到了两种衬度处于不同高度的失配位错网,位错线沿<110>走向,其柏格斯矢量沿[110]或[110]方向有分量,在[001]方向上可能没有分量。讨论了位错的形成机制。 展开更多
关键词 BI3.15ND0.85ti3o12 铁电薄膜 外延生长 透射电镜 失配位错
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TiO_2种子层对Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜的结晶取向和铁电性能的影响 被引量:1
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作者 李佳 于军 +2 位作者 彭刚 王耘波 周文利 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1192-1196,共5页
用sol-gel法分别制备了直接沉积在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上和加入了TiO_2种子层的Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) (BNT)铁电薄膜,研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响.XRD结果表明直接沉积在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上的BNT薄膜具有(117)... 用sol-gel法分别制备了直接沉积在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上和加入了TiO_2种子层的Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12) (BNT)铁电薄膜,研究了种子层对BNT薄膜结构和电学性能的影响.XRD结果表明直接沉积在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上的BNT薄膜具有(117)和(001)的混合取向,而加入TiO_2种子层之后薄膜的最强峰为(200)取向;FE-SEM显示具有TiO_2种子层的BNT薄膜,其表面主要是由具有非c轴取向的晶粒组成且更为致密;直接沉积的BNT薄膜和具有TiO_2种子层的BNT薄膜的剩余极化P_r值分别为26和43.6μC/cm^2,矫顽场强E_c分别为91和80.5kV/cm;疲劳测试表明两种薄膜均具有良好的抗疲劳特性,TiO_2种子层的引入并没有降低BNT薄膜的疲劳特性;两种薄膜的漏电流密度均在10^(-6)~10^(-5)A/cm^2之间. 展开更多
关键词 sol—gel bi3.15ndo.85ti3o12 铁电薄膜 TiO2种子层
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Sol-gel法制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜的性能研究 被引量:2
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作者 李佳 于军 +3 位作者 彭刚 王耘波 高俊雄 周文利 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期56-58,共3页
用sol-gel法成功制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜,XRD结果表明制备的BNT薄膜具有(117)和(00l)的混合取向,FE-SEM显示薄膜表面光滑致密,颗粒均匀。剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为29.5μC/cm2和100kV/cm,经过109次循环后几乎无疲劳。
关键词 SOL-GEL BI3.15ND0.85ti3o12 铁电薄膜
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Sol-Gel法制备Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜 被引量:2
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作者 付承菊 黄志雄 +1 位作者 李杰 郭冬云 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第2期274-276,共3页
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜,发现制备的薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,且表面平整致密。对Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜的电学性能进行了研究。结果表明,室温下,在测试频率1 MHz时,其介电常数... 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜,发现制备的薄膜具有单一的钙钛矿晶格结构,且表面平整致密。对Bi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜的电学性能进行了研究。结果表明,室温下,在测试频率1 MHz时,其介电常数为213,介电损耗为0.085;在测试电压为350 kV/cm,其剩余极化值、矫顽场强分别为39.1μC/cm21、60.5 kV/cm;表现出良好的抗疲劳特性和绝缘性能。 展开更多
关键词 Bi3.15 Nd0.85 Ti3O12薄膜 溶胶凝胶(Sol-Gel)法 铁电性能 介电性能 漏电流
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Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)纳米结构的制备与XPS研究
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作者 胡正龙 顾豪爽 +2 位作者 胡永明 周迪 邹亚囡 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第6期868-870,共3页
采用水热法在低温合成了铋层状钙钛矿结构Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)纳米材料,利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征产物的晶相和形貌,研究了反应温度和聚乙烯醇(PVA)对水热合成BNdT纳米结构的影响,运用X-射线光电子能谱(XPS)对... 采用水热法在低温合成了铋层状钙钛矿结构Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)纳米材料,利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征产物的晶相和形貌,研究了反应温度和聚乙烯醇(PVA)对水热合成BNdT纳米结构的影响,运用X-射线光电子能谱(XPS)对BNdT纳米结构的化学组分和元素价态进行了表征。结果表明,反应温度和PVA对水热合成BNdT纳米结构的形貌有较大影响;XPS研究显示BNdT纳米结构的表面存在氧空位和轻微的Bi过量。 展开更多
关键词 Bi3.15Nd0.85ti3o12(BNdT) 水热法 纳米结构 X-射线光电子能谱(XPS)
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层状钙钛矿型Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜在LaNiO_3/Si上取向生长的TEM研究
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作者 叶万能 王立华 +2 位作者 祁亚军 李金华 卢朝靖 《电子显微学报》 CAS CSCD 2008年第2期92-96,共5页
用溶胶-凝胶工艺在披覆了LaNiO3底电极的(100)Si衬底上制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。X射线衍射结果显示,LaNiO3层呈(110)择优取向,BNdT薄膜呈c轴和a/b轴混合择优取向。透射电镜观察表明,LaNiO3电极层和BNdT薄膜厚度分别约为... 用溶胶-凝胶工艺在披覆了LaNiO3底电极的(100)Si衬底上制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。X射线衍射结果显示,LaNiO3层呈(110)择优取向,BNdT薄膜呈c轴和a/b轴混合择优取向。透射电镜观察表明,LaNiO3电极层和BNdT薄膜厚度分别约为180nm和320nm。BNdT薄膜分为上下两层,厚约100nm的底层以薄片状c轴择优取向晶粒为主,在顶层许多柱状晶粒为a/b轴择优取向。讨论了BNdT薄膜在(110)LaNiO3电极上的择优取向生长机制。 展开更多
关键词 BI3.15ND0.85ti3o12 铁电薄膜 取向生长 透射电镜
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硅硼玻璃相对Bi_(3.15)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜性能的影响
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作者 王疆瑛 邬良能 江影 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第3期420-422,共3页
采用加入硅硼玻璃相的溶胶-凝胶(Sol-Gol)技术,以无机物为原料,在低温下成功制备了Pt/Ti/Si O2/Si衬底上Bi3.15La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜。XRD、AFM分析及电学性能的测试结果表明,600~650℃退火处理的加入硅硼玻璃相BLT铁电薄膜具有... 采用加入硅硼玻璃相的溶胶-凝胶(Sol-Gol)技术,以无机物为原料,在低温下成功制备了Pt/Ti/Si O2/Si衬底上Bi3.15La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜。XRD、AFM分析及电学性能的测试结果表明,600~650℃退火处理的加入硅硼玻璃相BLT铁电薄膜具有单一的层状钙钛矿结构;薄膜表面平整无裂纹、致密,薄膜为多晶生长;其剩余极化强度(2Pr)为27.09μC/cm2,矫顽场Ec约为53.1 kV/cm;室温下,在测试频率为1 MHz,经1.0×1011极化反转后,剩余极化值下降约10%,具有良好的抗疲劳特性;薄膜的漏电流密度低于9×10-10A/cm2。玻璃相提高了薄膜的致密度和抗疲劳特性,降低了薄膜的漏电流密度,对剩余极化强度影响有限。 展开更多
关键词 Bi3.15La0.75Ti3O12 铁电薄膜 玻璃相 电学性能 溶胶-凝胶(Sol-Gol)
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