红色荧光粉Bi_(2-x)ZnB_2O_7∶xEu^(3+)的制备及发光特性 被引量：1

1

作者 赵文武 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2717-2721,共5页

采用高温固相反应法合成了Bi2-xZn B2O7∶x Eu^(3+)(x=0.06,0.08,0.10,0.12,0.15)红色发光材料,并对其制备工艺及发光特性进行了研究。利用XRD和SEM等对粉体进行了结构、纯度和形貌表征,同时讨论了烧结温度对其发光性能的影响得出最佳... 采用高温固相反应法合成了Bi2-xZn B2O7∶x Eu^(3+)(x=0.06,0.08,0.10,0.12,0.15)红色发光材料,并对其制备工艺及发光特性进行了研究。利用XRD和SEM等对粉体进行了结构、纯度和形貌表征,同时讨论了烧结温度对其发光性能的影响得出最佳的烧结温度为680℃。在激发波长为465 nm的条件下,材料的发射峰主要位于582nm、596 nm、617 nm、656 nm和704 nm处,分别归属于Eu^(3+)的5D0→7FJ(J=0,1,2,3,4)电子跃迁,其中以在617nm处的Eu^(3+)的5D0→7F2跃迁产生的电偶极跃迁发射为最强。研究了Eu^(3+)离子掺杂浓度对Bi2Zn B2O7∶Eu^(3+)发光性能的影响,结果随着Eu^(3+)离子浓度的增大,样品的发光强度先增大后减小,最佳掺杂浓度为x=0.1。 展开更多

关键词 高温固相反应法 发光性能 硼酸盐 bi2-xznb2o7∶xEu^3+

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Bi^(3＋)掺杂对Sr2MgSi2O7：Eu^(2＋)荧光粉的结构及发光性能的影响(英文) 被引量：1

2

作者 章少华 江柳杨 +1 位作者 张璟 谢冰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期824-827,共4页

采用溶胶-凝胶法在还原气氛下制备了Sr2MgSi2O7∶Eu2+,xBi3+(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)荧光粉,并用XRD、TG-DTA及激发与发射谱仪对样品的结构及发光性能进行了表征。结果发现:单掺杂Bi3+的Sr2MgSi2O7样品的发射光谱所用的材料的激... 采用溶胶-凝胶法在还原气氛下制备了Sr2MgSi2O7∶Eu2+,xBi3+(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)荧光粉,并用XRD、TG-DTA及激发与发射谱仪对样品的结构及发光性能进行了表征。结果发现:单掺杂Bi3+的Sr2MgSi2O7样品的发射光谱所用的材料的激发光谱为一主峰为286 nm的宽带谱,这是由于激发态时Bi3+的3P1→1S0电子能级跃迁而造成的;单掺杂Eu2+的Sr2MgSi2O7样品的发射光谱所用的材料的激发光谱为一主峰为358 nm的宽带谱,这是典型的Eu2+的4f65d1→4f7跃迁而引起的。当Bi3+离子掺杂到Sr2MgSi2O7∶Eu2+样品的摩尔分数为0.04时,样品的发射强度是未掺杂Bi3+离子样品的1.9倍。 展开更多

关键词 bi3+ SR2MGSI2o7 溶胶-凝胶法 发光

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Li-Sn共替代Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷的介电性能 被引量：1

3

作者 张东 丁士华 +1 位作者 宋天秀 杨秀玲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第3期467-470,共4页

采用固相反应制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xSnx)O7陶瓷,研究了Sn4+取代Nb5+对BLZNS陶瓷介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.4时,相结构保持单一的单斜焦绿石相。介电损耗温度特性出现了明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型分... 采用固相反应制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xSnx)O7陶瓷,研究了Sn4+取代Nb5+对BLZNS陶瓷介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.4时,相结构保持单一的单斜焦绿石相。介电损耗温度特性出现了明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型分析了该现象。x为0.05、0.15、0.30和0.40时,样品的介电损耗峰值温度为78℃、7℃、36℃、83℃,比较了介电弛豫温区移动的差异及分析介电弛豫现象的不对称。 展开更多

关键词 bi2(Zn1/3Nb2/3)2o7系陶瓷 介电弛豫 介电性能 缺陷

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Co^(2+)替代Bi^(3+)对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷介电性能的影响 被引量：1

4

作者 张东 丁士华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期36-38,41,共4页

研究了Co2+替代Bi3+对Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,Co掺杂的样品能够显著地降低烧结温度至880℃,随着Co2+替代量的增加,Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介... 研究了Co2+替代Bi3+对Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,Co掺杂的样品能够显著地降低烧结温度至880℃,随着Co2+替代量的增加,Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介质材料介电常数、介电损耗逐渐增大,样品的温度系数随掺杂量的增加而增大。 展开更多

关键词 bi2(Zn1/3Nb2/3)2o7系陶瓷 替代 烧结温度

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Li-Cu共替代对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷性能的影响 被引量：2

5

作者 张东 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期29-32,共4页

采用固相反应制备(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xCux)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+,Cu2+替代Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性、相结构及介电性能的影响。结构表明:Li-Cu共掺能显著降低BZN烧结温度,由1000℃降至880℃。当替代量x≤0.2... 采用固相反应制备(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xCux)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+,Cu2+替代Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性、相结构及介电性能的影响。结构表明:Li-Cu共掺能显著降低BZN烧结温度,由1000℃降至880℃。当替代量x≤0.2(摩尔分数)时,相结构保持单一的单斜焦绿石相。介电损耗出现明显的介电弛豫现象,运用缺陷偶极子和晶格畸变解释这一现象,比较了不同的缺陷偶极子对介电弛豫的影响。 展开更多

关键词 bi2(Zn1/3Nb2/3)2o7基陶瓷 缺陷偶极子 介电弛豫 晶格畸变

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Er^(3+)替代Bi^(3+)对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷烧结温度的影响

6

作者 张红霞 丁士华 +3 位作者 陈涛 宋天秀 李在映 刘勇 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期82-85,94,共5页

研究了Er3+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、Agilent4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明:经Er3+替代的BZN陶瓷样品烧结温度升高(从960℃升高到1000℃);随着Er3+替... 研究了Er3+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、Agilent4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明:经Er3+替代的BZN陶瓷样品烧结温度升高(从960℃升高到1000℃);随着Er3+替代量的增加,Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料的晶粒尺寸、介电常数、介电损耗都有所变化;当替代量x=0.1时,介电性能最佳,介电常数为78.7165,介电损耗为0.00134。 展开更多

关键词 bi2(Zn1/3Nb2/3)2o7系陶瓷 单斜相焦绿石 替代 烧结温度

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锂、钒掺杂对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷烧结温度和介电性能的影响

7

作者 张东 丁士华 +1 位作者 宋天秀 杨秀玲 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期21-24,42,共5页

采用固相反应法制备出了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xVx)O7陶瓷,研究了锂、钒掺杂对于Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(BZN)陶瓷烧结温度、相结构和介电性能的影响。结果表明:锂、钒掺杂能显著降低BZN陶瓷的烧结温度,可由1 000℃降至860℃;当掺杂... 采用固相反应法制备出了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xVx)O7陶瓷,研究了锂、钒掺杂对于Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(BZN)陶瓷烧结温度、相结构和介电性能的影响。结果表明:锂、钒掺杂能显著降低BZN陶瓷的烧结温度,可由1 000℃降至860℃;当掺杂量x≤0.05时,陶瓷相结构保持单一的单斜焦绿石相,介电损耗出现明显的弛豫现象;当x为0.005,0.01,0.02和0.05时,陶瓷的介电弛豫峰值温度分别为125,120,112,100℃,介电弛豫激活能的减小使弛豫温区向低温方向移动。 展开更多

关键词 bi2(Zn1/3Nb2/3)2o7陶瓷 掺杂 介电弛豫 介电性能

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Sb^(3+)掺杂对Bi_2Ti_2O_7薄膜性能的影响

8

作者 王趱 姜伟 李三喜 《辽宁工程技术大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2017年第8期836-839,共4页

采用Sol-gel法,以Pt/Ti/SiO_2/Si为衬底在700℃下退火20 min制备了Sb^(3+)摩尔含量分别为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6的Bi_(2-x)Sb_xTi_2O_7薄膜.通过对薄膜进行XRD、SEM和C-V、J-V曲线测试,详细讨论了不同Sb^(3+)含量对Bi2Ti2O7薄膜... 采用Sol-gel法,以Pt/Ti/SiO_2/Si为衬底在700℃下退火20 min制备了Sb^(3+)摩尔含量分别为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6的Bi_(2-x)Sb_xTi_2O_7薄膜.通过对薄膜进行XRD、SEM和C-V、J-V曲线测试,详细讨论了不同Sb^(3+)含量对Bi2Ti2O7薄膜在结构、表面形貌、电容和漏电流等方面的影响.研究结果表明:Sb^(3+)的掺杂在没有改变Bi_2Ti_2O_7薄膜焦绿石结构的基础上提高了薄膜的稳定性;Sb^(3+)的掺杂提高了薄膜的电容值,尤其是当Sb^(3+)摩尔含量为0.3时,电容峰值达到3.8×10^(-9)F;同时,Sb^(3+)的掺杂显著改善了薄膜的漏电流性能,使薄膜的漏电流密度可以低至1.1×10^(-10)A/cm^2. 展开更多

关键词 Sb3+掺杂 Sol—gel技术 bi2-xSbxTi2o7薄膜 C-V曲线 J-V曲线 漏电流密度.

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沉淀法制备Bi2O3的晶相转变过程及其光催化性能 被引量：6

9

作者 刘果 卢圆圆 +3 位作者 张静 李智 冯兆池 李灿 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第5期1247-1256,共10页

以硝酸铋为原料,氨水为沉淀剂,通过液相沉淀法制得前驱体Bi(OH)_3,并将Bi(OH)_3分别在不同温度和时间下焙烧。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、热重(TG)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)... 以硝酸铋为原料,氨水为沉淀剂,通过液相沉淀法制得前驱体Bi(OH)_3,并将Bi(OH)_3分别在不同温度和时间下焙烧。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、热重(TG)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)详细研究了Bi(OH)_3转变为Bi2O3的过程及相变过程中粒子形貌、大小、光吸收性质等。结果表明,前驱体Bi(OH)_3经过焙烧之后,发生了如下的转变过程:Bi(OH)_3→Bi_5O_7NO_3→β-Bi_2O_3/Bi_5O_7NO_3→β-Bi_2O_3/Bi_5O_7NO_3/α-Bi_2O_3→α-Bi_2O_3,而且转变过程伴随着粒子长大。在上述转变过程中,与Bi_5O_7NO_3向β-Bi_2O_3转变的过程相比,从β-Bi_2O_3到α-Bi_2O_3相变过程更为迅速。此外,以光催化降解罗丹明B(RhB)为模型反应,考察了不同晶相的Bi_2O_3光催化活性,结果表明Bi_5O_7NO_3和β-Bi_2O_3材料具有优异的光催化性能,而α-Bi_2O_3具有较低的光催化活性。 展开更多

关键词 bi5o7No3 β-bi2o3 α-bi2o3 氧化铋 沉淀法 相变

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β-BZT陶瓷中添加MoO_3及气氛烧结

10

作者 康利平 沈波 +2 位作者 张良莹 姚熹 张金仓 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期550-552,共3页

研究了添加低熔点氧化物MoO3及N2/空气/O2气氛烧结对微波介质陶瓷Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(β-BZT)的结构和介电性能的影响。结果表明,烧结温度可降低100℃;样品的介电常数和品质因数随添加量增多而下降;掺杂MoO3的质量分数小于1%,样品均致... 研究了添加低熔点氧化物MoO3及N2/空气/O2气氛烧结对微波介质陶瓷Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(β-BZT)的结构和介电性能的影响。结果表明,烧结温度可降低100℃;样品的介电常数和品质因数随添加量增多而下降;掺杂MoO3的质量分数小于1%,样品均致密、显微形貌较好;MoO3添加量为0.05%时样品的介电常数约65,电容温度系数仅76×10-6/℃,品质因数值可达943;氧分压对样品的显微形貌和介电性能也有影响。 展开更多

关键词 微波介质陶瓷 bi2(Zn 1/3Nb2/3)2o7 烧结温度 介电性能

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Li-Zr替代对β-BZN陶瓷介电性能的研究 被引量：1

11

作者 张东 丁士华 +1 位作者 宋天秀 杨秀玲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第6期892-894,共3页

采用固相反应制备(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+对(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷样品相结构和介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.1(摩尔分数)时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,介电损耗出现... 采用固相反应制备(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+对(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷样品相结构和介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.1(摩尔分数)时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,介电损耗出现明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型解释了这一现象。随着Li替代量的增加,介电弛豫峰值温度向高温方向移动,与x(Li)=0.025、0.05、0.075和0.1时相对应的介电损耗峰值温度为47℃、112℃、115℃、120℃。介电弛豫峰不对称性符合A.K.Jonscher的普适弛豫定律。 展开更多

关键词 bi2(Zn1/3Nb2/3)2o7系陶瓷 替代 介电弛豫

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