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Li-Sn共替代Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷的介电性能 被引量:1
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作者 张东 丁士华 +1 位作者 宋天秀 杨秀玲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第3期467-470,共4页
采用固相反应制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xSnx)O7陶瓷,研究了Sn4+取代Nb5+对BLZNS陶瓷介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.4时,相结构保持单一的单斜焦绿石相。介电损耗温度特性出现了明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型分... 采用固相反应制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xSnx)O7陶瓷,研究了Sn4+取代Nb5+对BLZNS陶瓷介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.4时,相结构保持单一的单斜焦绿石相。介电损耗温度特性出现了明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型分析了该现象。x为0.05、0.15、0.30和0.40时,样品的介电损耗峰值温度为78℃、7℃、36℃、83℃,比较了介电弛豫温区移动的差异及分析介电弛豫现象的不对称。 展开更多
关键词 bi2(zn1/3nb2/3)2o7陶瓷 介电弛豫 介电性能 缺陷
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Co^(2+)替代Bi^(3+)对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷介电性能的影响 被引量:1
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作者 张东 丁士华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2014年第12期36-38,41,共4页
研究了Co2+替代Bi3+对Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,Co掺杂的样品能够显著地降低烧结温度至880℃,随着Co2+替代量的增加,Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介... 研究了Co2+替代Bi3+对Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、LCR4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明,Co掺杂的样品能够显著地降低烧结温度至880℃,随着Co2+替代量的增加,Bi2O3-Zn O-Nb2O5系介质材料介电常数、介电损耗逐渐增大,样品的温度系数随掺杂量的增加而增大。 展开更多
关键词 bi2(zn1/3nb2/3)2o7陶瓷 替代 烧结温度
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Li-Cu共替代对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷性能的影响 被引量:2
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作者 张东 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期29-32,共4页
采用固相反应制备(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xCux)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+,Cu2+替代Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性、相结构及介电性能的影响。结构表明:Li-Cu共掺能显著降低BZN烧结温度,由1000℃降至880℃。当替代量x≤0.2... 采用固相反应制备(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xCux)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+,Cu2+替代Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性、相结构及介电性能的影响。结构表明:Li-Cu共掺能显著降低BZN烧结温度,由1000℃降至880℃。当替代量x≤0.2(摩尔分数)时,相结构保持单一的单斜焦绿石相。介电损耗出现明显的介电弛豫现象,运用缺陷偶极子和晶格畸变解释这一现象,比较了不同的缺陷偶极子对介电弛豫的影响。 展开更多
关键词 bi2(zn1/3nb2/3)2o7陶瓷 缺陷偶极子 介电弛豫 晶格畸变
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Er^(3+)替代Bi^(3+)对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷烧结温度的影响
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作者 张红霞 丁士华 +3 位作者 陈涛 宋天秀 李在映 刘勇 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期82-85,94,共5页
研究了Er3+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、Agilent4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明:经Er3+替代的BZN陶瓷样品烧结温度升高(从960℃升高到1000℃);随着Er3+替... 研究了Er3+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、Agilent4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析。研究结果表明:经Er3+替代的BZN陶瓷样品烧结温度升高(从960℃升高到1000℃);随着Er3+替代量的增加,Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料的晶粒尺寸、介电常数、介电损耗都有所变化;当替代量x=0.1时,介电性能最佳,介电常数为78.7165,介电损耗为0.00134。 展开更多
关键词 bi2(zn1/3nb2/3)2o7陶瓷 单斜相焦绿石 替代 烧结温度
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锂、钒掺杂对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷烧结温度和介电性能的影响
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作者 张东 丁士华 +1 位作者 宋天秀 杨秀玲 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期21-24,42,共5页
采用固相反应法制备出了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xVx)O7陶瓷,研究了锂、钒掺杂对于Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(BZN)陶瓷烧结温度、相结构和介电性能的影响。结果表明:锂、钒掺杂能显著降低BZN陶瓷的烧结温度,可由1 000℃降至860℃;当掺杂... 采用固相反应法制备出了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xVx)O7陶瓷,研究了锂、钒掺杂对于Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(BZN)陶瓷烧结温度、相结构和介电性能的影响。结果表明:锂、钒掺杂能显著降低BZN陶瓷的烧结温度,可由1 000℃降至860℃;当掺杂量x≤0.05时,陶瓷相结构保持单一的单斜焦绿石相,介电损耗出现明显的弛豫现象;当x为0.005,0.01,0.02和0.05时,陶瓷的介电弛豫峰值温度分别为125,120,112,100℃,介电弛豫激活能的减小使弛豫温区向低温方向移动。 展开更多
关键词 bi2(zn1/3nb2/3)2o7陶瓷 掺杂 介电弛豫 介电性能
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(1-y)Ca_(1-x)La_(2x/3)TiO_3-yCa(Mg_(1/3) Nb_(2/3))O_3系陶瓷的缺位结构与微波介电性能研究 被引量:2
6
作者 王浩 陈文 刘涛 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期515-518,共4页
采用固相合成法制备了 (1-y)Ca1 -xLa2x 3TiO3-yCa(Mg1 3Nb2 3)O3系列固溶体陶瓷材料 ,研究了该体系微波介电性能与微观结构的关系。研究结果表明 :当体系组成为 0 .5Ca0 .6 La0 .2 6 7TiO3 0 .5Ca(Mg1 3Nb2 3)O3时 ,在 14 0 0... 采用固相合成法制备了 (1-y)Ca1 -xLa2x 3TiO3-yCa(Mg1 3Nb2 3)O3系列固溶体陶瓷材料 ,研究了该体系微波介电性能与微观结构的关系。研究结果表明 :当体系组成为 0 .5Ca0 .6 La0 .2 6 7TiO3 0 .5Ca(Mg1 3Nb2 3)O3时 ,在 14 0 0°C下烧结保温 4小时所得到材料的微波介电性能最佳 :εr=5 5 ,Q×f值 =4 5 0 0 0GHz(7.6GHz下 ) ,τf=0 .0 4× 10 - 6 °C。同时还探讨了三价阳离子La3+ 固溶时产生的A点缺陷VCa2 + 对固溶体结构及微波介电性能的影响。 展开更多
关键词 固相合成法 微波介质陶瓷 复合钙钛矿 介电性能 A位点缺陷 (1-Y)Ca1-xLa2x/3Tio3-yCa(Mg1/3nb2/3)o3陶瓷
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Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3基陶瓷预合成和烧结工艺的研究 被引量:2
7
作者 云斯宁 王晓莉 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期3-7,共5页
基于Swartz and Shrout的二次合成法,采用改进的两步法,将部分原料预合成,一次烧结合成具有100%钙钛矿结构的75Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-10PbTiO_3-15BaTiO_3固溶体陶瓷。首先一次性称量PbO,然后和ZnNb_2O_6混合,在660~800℃预合成,将... 基于Swartz and Shrout的二次合成法,采用改进的两步法,将部分原料预合成,一次烧结合成具有100%钙钛矿结构的75Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-10PbTiO_3-15BaTiO_3固溶体陶瓷。首先一次性称量PbO,然后和ZnNb_2O_6混合,在660~800℃预合成,将预合成产物粉碎后再与TiO_2和BaCO_3按化学计量称量,充分混合后,在1060~1140℃保温1~2h烧结成陶瓷试样。实验结果表明:改进的两步法工艺能够将预合成温度降为660℃,烧结温度能被拓宽到80℃获得100%钙钛矿结构的固溶体陶瓷。不同于传统的预合成和烧结,改进的两步法工艺简单、有效,在预合成阶段没有形成钙钛矿相,烧结阶段陶瓷的成瓷和致密化同时进行,完成了中间相向钙钛矿相的转变,获得了介电性能优良的陶瓷试样。 展开更多
关键词 PB(zn1/3nb2/3)o3 电子陶瓷 烧结工艺 合成工艺 铌锌酸铝
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Bi_2O_3掺杂0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的低温烧结特性研究
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作者 张虽栓 杨文玲 +1 位作者 李秋红 赵宗彦 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2017年第4期605-609,共5页
采用传统固相反应法制备了Bi_2O_3掺杂的0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5压电陶瓷。通过X线衍射、扫描电镜等测试手段对其烧结特性、晶体结构、微观形貌和介电性能进行研究。结果表明,Bi_2O_3掺杂能降低0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的烧... 采用传统固相反应法制备了Bi_2O_3掺杂的0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5压电陶瓷。通过X线衍射、扫描电镜等测试手段对其烧结特性、晶体结构、微观形貌和介电性能进行研究。结果表明,Bi_2O_3掺杂能降低0.35PNN-0.60PZT-0.05V_2O_5陶瓷的烧结温度,影响相结构,改变微观形貌,并优化电学性能。当Bi_2O_3的质量分数为1.0%时,0.35PNN-(0.60-w%)PZT+0.05V_2O_5+w%Bi_2O_3实现900℃烧结,表现出优异的电学性能:压电常数d33=580pC/N,机电耦合系数kp=0.65,介电常数εr=6 100,介电损耗tanδ=0.006 1,品质因数Qm=65。 展开更多
关键词 Pb(Ni1/3nb2/3)o3-Pb(Zr Ti)o3(PNN-PZT) 压电陶瓷 bi2o3掺杂 低温烧结 电学性能 微结构
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β-BZT陶瓷中添加MoO_3及气氛烧结
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作者 康利平 沈波 +2 位作者 张良莹 姚熹 张金仓 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期550-552,共3页
研究了添加低熔点氧化物MoO3及N2/空气/O2气氛烧结对微波介质陶瓷Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(β-BZT)的结构和介电性能的影响。结果表明,烧结温度可降低100℃;样品的介电常数和品质因数随添加量增多而下降;掺杂MoO3的质量分数小于1%,样品均致... 研究了添加低熔点氧化物MoO3及N2/空气/O2气氛烧结对微波介质陶瓷Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(β-BZT)的结构和介电性能的影响。结果表明,烧结温度可降低100℃;样品的介电常数和品质因数随添加量增多而下降;掺杂MoO3的质量分数小于1%,样品均致密、显微形貌较好;MoO3添加量为0.05%时样品的介电常数约65,电容温度系数仅76×10-6/℃,品质因数值可达943;氧分压对样品的显微形貌和介电性能也有影响。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 bi2(zn 1/3nb2/3)2o7 烧结温度 介电性能
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Zr/Ti比对PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷性能的影响 被引量:1
10
作者 陆翠敏 孙清池 +1 位作者 孙琳 徐明霞 《陶瓷学报》 CAS 2004年第3期149-152,共4页
以固态氧化物为原料,采用二次合成工艺制备PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷。研究准同型相界(MPB)附近组成为0.03Pb(Sn1/3dNb2/3)O3-0.03Pb(Zn1/3Nb2/3O3-0.04Pb(MnSb2/3)03-xPbZrO3-(0.9-x)PbTiO3(x=0430-0.460)的陶瓷性能。结果发现:... 以固态氧化物为原料,采用二次合成工艺制备PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷。研究准同型相界(MPB)附近组成为0.03Pb(Sn1/3dNb2/3)O3-0.03Pb(Zn1/3Nb2/3O3-0.04Pb(MnSb2/3)03-xPbZrO3-(0.9-x)PbTiO3(x=0430-0.460)的陶瓷性能。结果发现:在合成温度860℃、保温3h时可以得到钙钛矿结构。当x=0.435,即Zr/Ti=0.935时,烧结温度1260℃,保温3h,其压电、介电性能在准同型相界处综合性能最佳:ε33T/ε0=1390,d33=300×10-12C/N,Kp=55.1%,Qm=1180。 展开更多
关键词 合成工艺 准同型相界 合成温度 介电性能 PZT 压电陶瓷 制备 PB(zn1/3nb2/3)o3 钙钛矿结构 PBTIo3
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A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响 被引量:8
11
作者 冯小东 蹇胜勇 刘相果 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第1期100-102,共3页
以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT... 以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。 展开更多
关键词 Pb(zn1 3nb2 3)o3-Pb(Ni1 3 nb2 3) o3-Pb (ZrTi) o3(Pzn-PNN-PZT)压电陶瓷 高介电常数 高压电常数
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Li-Zr替代对β-BZN陶瓷介电性能的研究 被引量:1
12
作者 张东 丁士华 +1 位作者 宋天秀 杨秀玲 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第6期892-894,共3页
采用固相反应制备(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+对(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷样品相结构和介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.1(摩尔分数)时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,介电损耗出现... 采用固相反应制备(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷,研究了Li+替代Bi3+对(Bi2-xLix)(Zn2/3Nb1.1833Zr0.15)O7陶瓷样品相结构和介电性能的影响。结果表明,当替代量x≤0.1(摩尔分数)时,相结构保持单一的单斜焦绿石相,介电损耗出现明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型解释了这一现象。随着Li替代量的增加,介电弛豫峰值温度向高温方向移动,与x(Li)=0.025、0.05、0.075和0.1时相对应的介电损耗峰值温度为47℃、112℃、115℃、120℃。介电弛豫峰不对称性符合A.K.Jonscher的普适弛豫定律。 展开更多
关键词 bi2(zn1/3nb2/3)2o7陶瓷 替代 介电弛豫
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预烧温度对BZN微波陶瓷介电性能的影响
13
作者 罗军 庞照勇 +2 位作者 程珊珊 倪蔚 熊兆贤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1335-1337,1340,共4页
以工业纯BaCO3、ZnO、Nb2O5为原料,按照一定配比配料混合,通过传统的固相反应法合成Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(即BZN)陶瓷材料,预烧温度(分别为1000、1100和1200℃)对BZN陶瓷微波性能的影响过程中,对合成的BZN粉体进行差热/热重分析,对烧结后的... 以工业纯BaCO3、ZnO、Nb2O5为原料,按照一定配比配料混合,通过传统的固相反应法合成Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(即BZN)陶瓷材料,预烧温度(分别为1000、1100和1200℃)对BZN陶瓷微波性能的影响过程中,对合成的BZN粉体进行差热/热重分析,对烧结后的BZN陶瓷进行XRD分析和SEM形貌观察,利用矢量网络分析仪测量BZN陶瓷的微波性能Q、εr和rf.实验结果表明,预烧温度对BZN微波陶瓷的介电性能影响比较大,预烧温度为1200℃时可以获得较好的介电性能:εr=41.6,Q*f=38671GHz,τf=2.8×105/℃. 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 BA(zn1/3nb2/3)o3 预烧温度 介电性能
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B位取代PZT体系的电子结构与压电特性研究 被引量:3
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作者 周静 陈文 +1 位作者 孙华君 徐庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期464-468,共5页
采用自洽场离散变分X_α计算方法,分别计算了Pb(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_3(简称PZY)、Pb( Zn(1/3)Nb_(2/3))O_3(简称PZN)、和Pb(Mn_(1/3) Sb_(2/3))O_3(简称PMS)体系的电子结构,研究了钙钛矿结构与烧绿石结构陶瓷的电子结构对压电性能的影... 采用自洽场离散变分X_α计算方法,分别计算了Pb(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_3(简称PZY)、Pb( Zn(1/3)Nb_(2/3))O_3(简称PZN)、和Pb(Mn_(1/3) Sb_(2/3))O_3(简称PMS)体系的电子结构,研究了钙钛矿结构与烧绿石结构陶瓷的电子结构对压电性能的影响。结果表明,PZT铁电相较顺电相稳定,O的2p轨道与B位原子的最外层d轨道的杂化是铁电性的必要条件,杂化的强弱可表明铁电性的强弱;Mn_(1/3)Sb_(2/3)、Zn_(1/3)Nb_(2/3)取代(Zr,Ti)若生成四方钙态矿结构,体系总能量降低、轨道杂化增强,可以提高PZT体系的铁电性能,若生成立方烧绿石结构,由于B—O(//轴向)与B—O(轴向)共价健强度差别太大,造成体系结构的不稳定,将导致铁电性的丧失。 展开更多
关键词 压电陶瓷 电子结构 压电特性 共价健极 Pb(Zr1/2Ti1/2)o3 PB(zn1/3nb2/3)o3 钙钛矿结构
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