两种新型CMOS带隙基准电路 被引量：10

1

作者 程军 陈贵灿 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第7期67-70,共4页

文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置... 文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置电压,使基准电压不受电源电压变化的影响。其中一种电路,还通过两个串联二极管的原理提高ΔVBE,从而减小了运放失调的影响。仿真结果表明,在工艺偏差、电源电压变化±10%以及温度在-20至125℃范围内变化的情况下,两种CMOS带隙基准的输出电压分别是1.228±0.003V和1.215±0.003V,温度系数仅为33.7ppm/℃和34.1ppm/℃;在电源电压分别大于2V和2.8V时,电源电压的变化对这两种基准的输出电压几乎没有影响;在3.3v电源电压下两个电路的功耗分别小于0.1mW和0.34mW。 展开更多

关键词 cmos带隙基准电路 电源电压 专用集成电路 串联二极管

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低功耗CMOS带隙基准电压源设计 被引量：5

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作者 黄灿英 陈艳 +1 位作者 朱淑云 吴敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期245-248,共4页

从带隙基准原理出发,通过对传统的带隙基准电路中的反馈环路进行了改进,设计了一种带启动电路的带隙基准电压源。带隙基准电压源电路具有结构简单、功耗低、电压抑制比高以及温度系数低等特点。采用TSMC 0.13μm工艺对电路进行流片,管... 从带隙基准原理出发,通过对传统的带隙基准电路中的反馈环路进行了改进,设计了一种带启动电路的带隙基准电压源。带隙基准电压源电路具有结构简单、功耗低、电压抑制比高以及温度系数低等特点。采用TSMC 0.13μm工艺对电路进行流片,管芯面积为100μm×94μm。测试结果显示,电源电压1V时,在-30~120℃范围内温度系数为6.6×10-6/℃,功耗仅1.8μW;电源电压从0.76V变化到2V,输出电压偏差仅1.52mV,电源抑制比达58dB。 展开更多

关键词 带隙基准 低功耗 高电源抑制比 温度系数 互补金属氧化物半导体 启动电路

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带有快速启动的高精密低噪声CMOS带隙基准 被引量：2

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作者 张强 陈贵灿 +2 位作者 田泽 王进军 李攀 《现代电子技术》 2007年第20期150-153,共4页

提出了一种新颖的带有快速启动的高精密、低噪声CMOS带隙基准电压源。RC滤波电路的引入降低了基准在高频处的噪声、增加了输出基准的电源抑制比,快速启动电路的引入改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题,并且为了使基准在电源上电的... 提出了一种新颖的带有快速启动的高精密、低噪声CMOS带隙基准电压源。RC滤波电路的引入降低了基准在高频处的噪声、增加了输出基准的电源抑制比,快速启动电路的引入改善了RC滤波电路限制基准启动速度的问题,并且为了使基准在电源上电的过程中能够正常的工作而增加了软启动电路。采用UMC 0.6μm 2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSpice模拟表明基准具有较高的精度和较低的噪声,电源抑制比PSRR约为-80 dB。此外,由于快速启动电路的存在使得基准的建立时间从20 ms降至70μs。 展开更多

关键词 cmos 带隙基准 低噪声 电源抑制比 软启动电路 快速启动电路

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一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

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作者 张强 田泽 +2 位作者 王进军 刘宁 王谨 《电子工程师》 2007年第8期28-31,共4页

提出了一种新颖的带有软启动的高精密CMOS带隙基准电压源。采用UMC的0.6μm2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.293 V,在1.5 V^4 V电源电压范围内基准随输入电压的最大... 提出了一种新颖的带有软启动的高精密CMOS带隙基准电压源。采用UMC的0.6μm2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.293 V,在1.5 V^4 V电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27 mV,基准的最大静态电流约为19μA;在-40℃~120℃温度范围内,基准随温度的变化约为4.41 mV,产生的偏置电流基本上不受电源电压的影响,而与温度成线性关系;在电源电压为3 V时,基准的总电流约为14.25μA,功耗约为42.74μW;并且基准具有较高的电源抑制比和较低的噪声(小于500 nV/Hz1/2),基准的输出启动时间约为25μs。 展开更多

关键词 cmos 带隙基准 软启动电路 温度补偿 电源抑制比

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CMOS带隙基准电压源中的曲率校正方法 被引量：3

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作者 史侃俊 许维胜 余有灵 《现代电子技术》 2006年第5期113-116,共4页

基准电压源是集成电路系统中一个非常重要的构成单元。结合近年来的设计经验,首先给出了带隙基准源曲率产生的主要原因,而后介绍了在高性能CMOS带隙基准电压源中所广泛采用的几种曲率校正方法。给出并分析了一些近年来采用曲率校正方法... 基准电压源是集成电路系统中一个非常重要的构成单元。结合近年来的设计经验,首先给出了带隙基准源曲率产生的主要原因,而后介绍了在高性能CMOS带隙基准电压源中所广泛采用的几种曲率校正方法。给出并分析了一些近年来采用曲率校正方法的CMOS带隙基准电压源核心电路以及他们的设计原理、理论推导、参考电路和特点。最后,对于所讨论的基准源电路进行了性能比较和优缺点分析。 展开更多

关键词 cmos 带隙基准源 曲率校正 集成电路

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一种结构新颖的CMOS带隙基准源 被引量：1

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作者 赵世欣 袁国顺 《电子器件》 EI CAS 2006年第2期322-324,共3页

为了简化可变参考电压电路结构,并且降低该参考电压的温度系数,讨论了一种输出可调节的CMOS带隙基准电路。该电路在传统带隙基准电路的基础上增加了一个运算放大器。可以通过调整电阻值来分别调节电流与VBE和VT的比例关系,从而得到任意... 为了简化可变参考电压电路结构,并且降低该参考电压的温度系数,讨论了一种输出可调节的CMOS带隙基准电路。该电路在传统带隙基准电路的基础上增加了一个运算放大器。可以通过调整电阻值来分别调节电流与VBE和VT的比例关系,从而得到任意输出电压的带隙基准源。此外,为了使带隙基准电路能够正常工作,设计了启动电路。通过仔细设计版图和增加电路结构,提高了电路的性能。HSPICE模拟和测试结果表明,所设计的电路具有较高的电源抑制比和良好的温度特性。 展开更多

关键词 cmos 带隙基准 输出可调 启动电路

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一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计 被引量：1

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作者 李彪 雷天民 《电子器件》 CAS 2007年第1期112-115,共4页

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35μmBiCMOS工艺,采用Bro-kaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压... 文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35μmBiCMOS工艺,采用Bro-kaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5V±0.002V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2mV,电源电压抑制比为60dB.5V电源电压下功耗为1.19mW.具有良好的电源抑制能力. 展开更多

关键词 模拟集成电路 带隙基准电压源 Brokaw参考电压源 温度补偿Bicmos

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0.5μmCMOS带隙基准电路设计 被引量：2

8

作者 张明英 朱刘松 邢立冬 《国外电子元器件》 2008年第12期79-81,共3页

依据带隙基准原理,采用华润上华(CSMC)0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal,简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比... 依据带隙基准原理,采用华润上华(CSMC)0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal,简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明,在电源电压VDD=3.3 V,温度T=25℃时,输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时,输出电压的温度系数为20 pm/℃,电源电压的抑制比δ(PSRR)=-58.3 dB。 展开更多

关键词 模拟电路 电源 温度/带隙基准 抑制比 cmos工艺

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1.5V工作电压带隙基准电路的设计 被引量：4

9

作者 黄裕泉 李斌 郑曰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2007年第3期95-98,共4页

在分析传统带隙基准电路的基础上,提出一种采用电流模式结构的低电压带隙基准电路。该电路能够输出200mV^1.25V的宽范围的电压,并使用了与电源无关偏置以及带负反馈网络的二级运放,提高了输出电压的精度。采用CMOS0.35μm工艺实现时,工... 在分析传统带隙基准电路的基础上,提出一种采用电流模式结构的低电压带隙基准电路。该电路能够输出200mV^1.25V的宽范围的电压,并使用了与电源无关偏置以及带负反馈网络的二级运放,提高了输出电压的精度。采用CMOS0.35μm工艺实现时,工作电压可在1.1V^1.5V。Hspice仿真结果表明,工作电压为1.5V时,电路的有效温度系数为14ppm/℃。 展开更多

关键词 cmos集成电路 带隙基准 低电压 电压基准

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一种电压基准高精度双向修调电路的设计 被引量：2

10

作者 黄冲 欧健 +1 位作者 袁政 薛超耀 《电子科技》 2013年第7期82-84,共3页

介绍了一种带隙基准电路及双向调节其精度的方法。该方法简单实用,实现了高精度调节,通过拉/灌电流对基准电压进行微调和粗调,且不影响基准电路的温度特性,最终达到高精度调节基准电压的目的。

关键词 带隙基准 双向修调 模拟电路

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带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源设计 被引量：8

11

作者 王永顺 井冰洁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期14-18,共5页

设计了一种带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源电路，通过在特定支路上产生二阶正温度系数的电流补偿‰．的二阶负温度系数项来实现曲率补偿，从而得到更低温度系数的基准电压。同时设计了一种高效的启动电路，在电路上电时保证电路正... 设计了一种带有曲率补偿的高精度带隙基准电压源电路，通过在特定支路上产生二阶正温度系数的电流补偿‰．的二阶负温度系数项来实现曲率补偿，从而得到更低温度系数的基准电压。同时设计了一种高效的启动电路，在电路上电时保证电路正常启动，电路正常工作后启动电路停止工作。该设计基于CSMC0．5μmCMOS工艺，在3．3V电源电压下，输出基准电压800mV，采用Cadence公司Spectre软件进行仿真和实验测试，结果表明，温度为-50～150℃．基准电压的温度系数为2．4×10^-6／℃，电源电压为2．5～4．5V，电压调整率为0．08％／V。该基准电压源已成功应用在DC／DC转换器中，并取得了良好的应用效果。 展开更多

关键词 带隙基准电压源 曲率补偿 低温度系数 启动电路 互补型金属氧化物半导体 (cmos)

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一种-100dB电源抑制比的非带隙基准电压源 被引量：2

12

作者 黄国城 尹韬 +3 位作者 朱渊明 许晓冬 张亚朝 杨海钢 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第8期2122-2128,共7页

该文提出一种非带隙基准电路，通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压，为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗，有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0．35umCMOS... 该文提出一种非带隙基准电路，通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压，为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗，有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0．35umCMOS工艺设计并流片，测试结果表明，该电路的工作电源电压为1．8μV，静态电流约为13μA。低频处电源抑制比（PSRR）约等于-100dB，在小于1kHz频率范围内PSRR均优于-93dB。并且其片上面积仅为0．013mm2。 展开更多

关键词 cmos基准电路 非带隙基准电路 预调制电路 超级源极跟随器 电源抑制比

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一种采用二次曲率补偿的带隙基准源 被引量：1

13

作者 尹健 李海松 《现代电子技术》 2008年第23期84-86,共3页

基于二次曲率补偿的基本原理,提出一种高精度的采用二次曲率补偿的新型带隙基准源电路,产生二次温度补偿量对传统的带隙基准源进行校正,获得更小的温度系数。该电路采用0.6μm的CMOS工艺实现。经过Spectre仿真,结果表明在-50^+125℃的... 基于二次曲率补偿的基本原理,提出一种高精度的采用二次曲率补偿的新型带隙基准源电路,产生二次温度补偿量对传统的带隙基准源进行校正,获得更小的温度系数。该电路采用0.6μm的CMOS工艺实现。经过Spectre仿真,结果表明在-50^+125℃的温度范围内,基准电压源的平均温度系数为4.47 ppm/℃。该基准源可以被应用于各种高精度的模拟和混合集成电路。 展开更多

关键词 带隙基准源 二次曲率补偿 cmos集成电路 温度系数

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用于高速DDS中电流舵DAC的基准电流源设计

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作者 胡杏 周启才 陶建中 《电子器件》 CAS 北大核心 2014年第3期403-407,共5页

介绍一种用于高速DDS中电流舵DAC的带隙基准电流源电路,在传统带隙基准源电路的基础上将产生ΔVBE的两个三极管基极相连,使用两个运放分别将其集电极与基极钳至于相同电位,在保证三极管处于饱和区的基础上消除传统基准电路中由运放失调... 介绍一种用于高速DDS中电流舵DAC的带隙基准电流源电路,在传统带隙基准源电路的基础上将产生ΔVBE的两个三极管基极相连,使用两个运放分别将其集电极与基极钳至于相同电位,在保证三极管处于饱和区的基础上消除传统基准电路中由运放失调带来的误差VOS,通过温度补偿电路,补偿VBE与温度T的非线性项。电路采用0.18μm的深N阱1P5M工艺,选用NPN型三极管,仿真结果表明tt条件下基准电压输出温漂系数≈10×10-9/℃,基准电流输出温漂系数≈10×10-9/℃。 展开更多

关键词 模拟电路设计 基准电流源 带隙基准 DDS 电流舵DAC

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应用于便携式ECG的低耗能高精度带隙基准电路设计 被引量：4

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作者 董晨 段权珍 +2 位作者 范艺晖 丁月民 黄胜明 《现代电子技术》 北大核心 2019年第2期26-29,共4页

为满足便携心电监测设备中低功耗的应用要求,设计一种应用于便携式心电监测芯片的具有低功耗和高精度特性的带隙基准电路。通过采用工作于亚阈值区域的CMOS晶体管,电路取得了超低功耗。并采用高阶温度曲线补偿技术,提高了电路输出基准... 为满足便携心电监测设备中低功耗的应用要求,设计一种应用于便携式心电监测芯片的具有低功耗和高精度特性的带隙基准电路。通过采用工作于亚阈值区域的CMOS晶体管,电路取得了超低功耗。并采用高阶温度曲线补偿技术,提高了电路输出基准电压的精准度。电路采用标准CMOS 180 nm工艺设计,仿真结果表明,在-40～100℃的温度范围内输出基准电压为1.16 V,温度系数约为3.3 ppm/℃,在1.3 V电源电压下功耗为6.2μW。 展开更多

关键词 带隙基准电路 亚阈值区域 cmos 高阶温度曲线补偿 超低功耗 心电监测

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一种高阶补偿低温漂带隙基准源 被引量：3

16

作者 邓玉清 高宁 《现代电子技术》 2023年第10期7-10,共4页

基于0.18μm CMOS工艺,设计一种带有高阶补偿结构的低温漂系数带隙基准电路。在传统带隙基准的结构上,利用当三极管的集电极电流工作在不同温度特性下的基极与发射极的电位之差含有的高阶补偿量,对传统结构进行补偿,从而得到一个温度系... 基于0.18μm CMOS工艺,设计一种带有高阶补偿结构的低温漂系数带隙基准电路。在传统带隙基准的结构上,利用当三极管的集电极电流工作在不同温度特性下的基极与发射极的电位之差含有的高阶补偿量,对传统结构进行补偿,从而得到一个温度系数极低的带隙基准源。仿真结果表明,所设计电路整体结构简单、易实现,在-55~125℃的温度范围内,温漂系数仅为2.52 ppm/℃,低频时的电源抑制比为-78 dB。 展开更多

关键词 高阶补偿 低温漂 带隙基准源 结构补偿 电路设计 电路仿真 cmos工艺

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基于曲率补偿技术的带隙基准电路设计 被引量：2

17

作者 庞英俊 崔椿洪 陈昊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期97-102,共6页

提出了一种新的曲率补偿带隙基准电路,首先通过一个双差分输入放大器(DDIA)来产生一个绝对温度互补电压。然后通过这个电压与另一个DDIA对曲率补偿进行微调,得到一个高阶曲率补偿的带隙基准电压。采用0.5μm CMOS工艺技术对文中所设计... 提出了一种新的曲率补偿带隙基准电路,首先通过一个双差分输入放大器(DDIA)来产生一个绝对温度互补电压。然后通过这个电压与另一个DDIA对曲率补偿进行微调,得到一个高阶曲率补偿的带隙基准电压。采用0.5μm CMOS工艺技术对文中所设计的电路进行流片验证,得到在-40~125℃内,带隙基准电压源的温度系数为4.1×10-6/℃,当电源电压在2.7~5 V时,带隙基准电路的输出电压稳定在1.3 V左右。此外,该电路具有较高的电源抑制比(PSRR),当频率小于1 k Hz时,其电源抑制比为-82 d B,而当频率在10 k Hz时,其电源抑制比为-75 d B。 展开更多

关键词 带隙基准电路 高阶曲率补偿 互补金属氧化物半导体(cmos) 温度系数 电源抑制比(PSRR)

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