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BaTiO3和SrTiO3薄膜生长初期化学分子反应机理
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作者 梁晓琴 张姝 +1 位作者 黄平 杨春 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1528-1533,共6页
本文采用B3LYP密度泛函方法,研究了BaO、SrO与TiO2形成BaTiO3、SrTiO3及TiO2二聚形成Ti2O4的微观反应机理,获得了相应的中间体、过渡态及反应活化能。采用自然键轨道NBO方法分析了反应过程中各中间体和过渡态的成键情况、轨道间的相互... 本文采用B3LYP密度泛函方法,研究了BaO、SrO与TiO2形成BaTiO3、SrTiO3及TiO2二聚形成Ti2O4的微观反应机理,获得了相应的中间体、过渡态及反应活化能。采用自然键轨道NBO方法分析了反应过程中各中间体和过渡态的成键情况、轨道间的相互作用以及原子的电荷。计算结果表明,形成BaTiO3、SrTiO3和Ti2O4反应活化能分别为16.3、17.3和9.6 kJ/mol,TiO2形成二聚体活化能相对较小,从理论上解释了实验过程中观测到TiO2二聚体;但SrO、BaO和TiO2形成BaTiO3、SrTiO3的反应过程中,形成最初的稳定中间体时分别放热484.7和534.7 kJ/mol,且活化能较低,轨道间相互作用较强,静电引力作用显著,有利于SrTiO3和Ba-TiO3薄膜生长初期以TiO2为中心,结合BaO和SrO成核生长,从而有利于单元胞的进一步形成。 展开更多
关键词 无机材料 反应机理 batio3 srtio3 TiO2二聚体
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钙钛矿型氧化物SrTiO3/BaTiO3多层膜的激光分子束外延生长研究 被引量:1
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作者 姚海军 李燕 +3 位作者 罗佳慧 姜斌 邓宏 蒋书文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期2890-2893,2897,共5页
用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)衬底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原位实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X射线衍射(XRD)对外延薄膜进行了结构分析... 用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)衬底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原位实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X射线衍射(XRD)对外延薄膜进行了结构分析,结果表明薄膜具有二维生长模式,在基片温度为380~470℃之间生长的薄膜具有原子级光滑,并且具有完全C轴取向.同时运用X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜界面的互扩散,结果表明降低制备薄膜时的基片温度有利于减少互扩散. 展开更多
关键词 激光分子束外延 srtio3/batio3 多层膜 反射式高能电子衍射 原子力显微镜
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BaTiO_3/SrTiO_3超晶格的微结构研究
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作者 刘飞 郑冰 +3 位作者 佟富强 高丽娟 于文学 郑伟涛 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2001年第3期322-324,共3页
本实验研究利用激光分子束外延法 (L%DMBE)研究在SrTiO3(STO) (0 0 1)基片上生长的BaTiO3(BTO) /SrTiO3(STO)超晶格的微结构 .利用小角X射线衍射光谱 (SAXRD)的计算机模拟来获得BaTiO3/SrTiO3 超晶格的微结构参数 ,如 :总的膜厚度、超... 本实验研究利用激光分子束外延法 (L%DMBE)研究在SrTiO3(STO) (0 0 1)基片上生长的BaTiO3(BTO) /SrTiO3(STO)超晶格的微结构 .利用小角X射线衍射光谱 (SAXRD)的计算机模拟来获得BaTiO3/SrTiO3 超晶格的微结构参数 ,如 :总的膜厚度、超晶格周期、表面和界面的均方根粗糙度等 .实验结果表明超晶格的表面和界面非常平整 ,均方根粗糙度大约为 0 .2nm .原子力显微镜 (AFM )的实验研究已经证明了超晶格结构的平滑程度 .超晶格的〈0 0 展开更多
关键词 batio3/srtio3超晶格 小角X射线衍射 表面 界面 微结构 均方根粗糙度 钛酸钡 钛酸锶 铁电体 介电体
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工业化(Ba,Sr,Ca)(Ti,Zr)O_3基电容器陶瓷的研究 被引量:14
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作者 黄新友 高春华 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期45-48,56,共5页
采用正交设计试验法研究了配方对 (Ba,Sr,Ca) (Ti,Zr) O3 (BSCTZ)基电容器陶瓷介电性能的影响 ,得到了影响 BSCTZ基陶瓷介电性能的主次因素、各因素水平影响其性能的趋势。同时得到了介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方。在实验过... 采用正交设计试验法研究了配方对 (Ba,Sr,Ca) (Ti,Zr) O3 (BSCTZ)基电容器陶瓷介电性能的影响 ,得到了影响 BSCTZ基陶瓷介电性能的主次因素、各因素水平影响其性能的趋势。同时得到了介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方。在实验过程中主晶相料均是工业纯 ,这样极大降低电容器陶瓷制造成本。通过正交设计实验得到综合性能佳的 BSCTZ基陶瓷。利用 SEM研究了BSCTZ陶瓷的显微结构 ,探讨了各组分对 BSCTZ基陶瓷介电性能影响机理 ,为研制高介、低损耗、高耐压电容器陶瓷提供了依据。 展开更多
关键词 陶瓷电容器 铁电 正交设计 batio3 srtio3 CAZRO3
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低压压敏电阻器材料与技术 被引量:7
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作者 孔令兵 张良莹 姚熹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期232-235,共4页
综述了低压压敏材料及制备技术方面的研究进展情况。氧化锌半导体陶瓷压敏材料仍然占据主导地位,同时,氧化钛等非氧化锌材料也相继开发出来,作为对氧化锌的补充,也受到了不同程度的重视。
关键词 氧化锌 压敏电阻器 二氧化钛 钛酸锶
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用高分辨电子能量损失谱方法(HR-EELS)研究铁电薄膜
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作者 张敬民 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期342-342,共1页
关键词 电子能量损失谱 铁电薄膜 batio3/srtio3 谱方法 高分辨 SI(001) 扫描透射电镜 电子衍射图 缺陷形成
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