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Yb_2O_3的掺杂方式对Ba(Ti_(1-y)Zr_y)O_3陶瓷介电性能的影响 被引量：5
1
作者 齐建全 桂治轮 +2 位作者 王永力 李琦 李龙土 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期989-992,共4页
在Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３中，Ｙｂ２Ｏ３的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化．采用 Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３合成后Ｙｂ２Ｏ３的适量掺杂，陶瓷介温峰明显地移动，介电常数大幅度提高， 获得了室温介电常数＞２５００... 在Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３中，Ｙｂ２Ｏ３的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化．采用 Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３合成后Ｙｂ２Ｏ３的适量掺杂，陶瓷介温峰明显地移动，介电常数大幅度提高， 获得了室温介电常数＞２５０００，１２５０℃左右烧成，符合Ｙ５Ｖ标准的高介材料．合成后掺杂的 Ｙｂ２Ｏ３，使材料介电常数提高，可能与施主掺杂引入的局域化电子有关．合成前掺杂Ｙｂ２Ｏ３ 的样品，介电常数较低，移峰效率偏小，可能是Ｙｂ的Ｔｉ位受主取代使施主引入的局域化电子 得到补偿的结果． 展开更多
关键词 YB2o3 ba(ti1-yzry)o3 介电性能 氧化镱 掺杂方式 氧化钡陶瓷
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高压电常数(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1-x)Sn_x)O_3陶瓷结构与性能研究 被引量：4
2
作者 江向平 李璐 +3 位作者 陈超 唐洁 郑凯平 李小红 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期33-37,共5页
采用传统固相法制备了（Ba0.85Ca0.15）（Ti0.9Zr0.1-xSnx）O3 （CBTZS-x）无铅压电陶瓷, 研究了不同Sn含量（x=0~0.1）对CBTZS-x陶瓷相结构、介电以及压电性能的影响。实验结果表明： 所有样品均为纯钙钛矿结构; 随着Sn含量增加, 室温... 采用传统固相法制备了（Ba0.85Ca0.15）（Ti0.9Zr0.1-xSnx）O3 （CBTZS-x）无铅压电陶瓷, 研究了不同Sn含量（x=0~0.1）对CBTZS-x陶瓷相结构、介电以及压电性能的影响。实验结果表明： 所有样品均为纯钙钛矿结构; 随着Sn含量增加, 室温下样品逐渐由三方和四方相共存结构转变为四方相结构, 且三方-四方相转变温度TR-T和居里温度TC均逐渐减小, 当x=0.04时, TR-T更接近于室温, 此时表现出优异的压电性能; 样品的剩余极化强度Pr和矫顽场Ec随着x增加均呈现出减小的趋势, 而相对介电常数εr则逐渐增大。当x=0.04时, CBTZS-x材料的综合性能最佳： d33=665 pC/N, kp=55.6%, εr=4520, Pr=12.5 μC/cm2, Ec=1.6 kV/cm, 表明该陶瓷材料具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 (ba0 85Ca0 15)(ti0 9Zr0 1-xSnx)o3 压电性能 介电性能
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类钙钛矿新铌酸盐Ba_3La_2Ti_2Nb_2O_(15)的合成、结构与介电特性 被引量：5
3
作者 张辉 方亮 +3 位作者 洪学鵾 孟范成 刘韩星 袁润章 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1552-1554,共3页
为满足现代通信技术的小型化、集成化与高可靠性的迫切要求，探索具有高介电常数、低介电损耗与低温度系数的微波介电材料引起了材料科学、化学、物理和电子学等领域科学工作者的广泛关注，并已开发出复合钙钛矿结构［Ba(Zn1/3Ta2/3)O3... 为满足现代通信技术的小型化、集成化与高可靠性的迫切要求，探索具有高介电常数、低介电损耗与低温度系数的微波介电材料引起了材料科学、化学、物理和电子学等领域科学工作者的广泛关注，并已开发出复合钙钛矿结构［Ba(Zn1/3Ta2/3)O3］和钨青铜结构［Ba6-3xLn8+2xTi18O54］等实用化的高性能材料［1～5］. 展开更多
关键词 类钙钛矿 铌酸盐 ba3La2ti2Nb2o15 合成 结构 介电特性 介电材料
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高居里点(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+xBi_4Ti_3O_(12)系统陶瓷微观结构及温度特性的研究 被引量：4
4
作者 蒲永平 王瑾菲 +3 位作者 赵新 杨公安 陈小龙 吴胜红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1119-1122,共4页
采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同Bi4Ti3O12掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO3微观结构、介电性能及居里温... 采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba0.998La0.002TiO3+xBi4Ti3O12(0≤x≤0.01)系统陶瓷。对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理。研究了不同Bi4Ti3O12掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO3微观结构、介电性能及居里温度Tc的影响。结果表明:掺杂Bi4Ti3O12后,BaTiO3陶瓷的晶粒尺寸明显减小;Bi4Ti3O12具有提高陶瓷居里点温度的作用,当x=1.0时,居里温度提高到Tc=150℃。随着BIT加入量的增加,电子与缺位混合补偿,晶格中将产生金属离子缺位,以补偿多余电子,因此随着BIT掺入量的增加,电阻率逐渐增大。 展开更多
关键词 ba0.998La0.002tio3 BI4ti3o12 显微结构 居里温度
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Al_2O_3掺杂对Ba_4Sm_(9.33)Ti_(18)O_(54)陶瓷显微结构和介电性能的影响 被引量：3
5
作者 姚晓刚 林慧兴 +2 位作者 姜少虎 陈玮 罗澜 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1266-1270,共5页
采用固相反应法制备了Ba4Sm9.33Ti18O54（简称BST）xwt%Al2O3（x=0~1.5）微波介质陶瓷.研究了掺杂Al2O3对BST陶瓷的显微结构和介电性能的影响.扫描电镜和能谱分析结果显示：未掺杂的BST陶瓷中有少量Sm2Ti2O7相,随着增加Al2O3掺入量,Sm2T... 采用固相反应法制备了Ba4Sm9.33Ti18O54（简称BST）xwt%Al2O3（x=0~1.5）微波介质陶瓷.研究了掺杂Al2O3对BST陶瓷的显微结构和介电性能的影响.扫描电镜和能谱分析结果显示：未掺杂的BST陶瓷中有少量Sm2Ti2O7相,随着增加Al2O3掺入量,Sm2Ti2O7相消失,BST陶瓷中先后产生了BaTi4O9（x≥0.6）和BaAl2Ti5O14（x≥1.0）两种新相.介电性能测试结果表明Sm2Ti2O7相的消失以及少量BaTi4O9相的形成,能显著提高BST陶瓷的Qf值,但会降低陶瓷的介电常数.当Al2O3的掺入量从0.6wt%增加到1.0wt%时,BaTi4O9相的量逐渐增加,引起BST陶瓷的Qf值略微下降.BaAl2Ti5O14相的产生会同时降低BST陶瓷的介电常数和Qf值.掺入0.6wt%Al2O3的BST陶瓷在1340℃烧结3 h后具有最佳的介电性能：εr=74.7,Qf=10980 GHz,τf=–11.8×10-6/℃. 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 ba4Sm9 33ti18o54 AL2o3 介电性能
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(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(1-x)Zr_x)O_3无铅压电陶瓷的性能研究 被引量：3
6
作者 李璐 江向平 +3 位作者 陈超 易文斌 涂娜 李小红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1572-1577,共6页
采用固相法制备了(Ba0.85Ca0.15)(Ti1-xZrx)O3(BCTZ)无铅压电陶瓷,研究Zr含量(x=0～0.15)对BCTZ陶瓷微观结构和电性能的影响。结果表明:所有样品均具有纯的钙钛矿结构;随Zr含量的增加,室温下样品逐渐由四方相向三方相转变,在0.05<x&l... 采用固相法制备了(Ba0.85Ca0.15)(Ti1-xZrx)O3(BCTZ)无铅压电陶瓷,研究Zr含量(x=0～0.15)对BCTZ陶瓷微观结构和电性能的影响。结果表明:所有样品均具有纯的钙钛矿结构;随Zr含量的增加,室温下样品逐渐由四方相向三方相转变,在0.05<x<0.1范围内两相共存;样品的压电常数d33、平面机电耦合系数kp、剩余极化强度Pr和相对介电常数εr均随Zr含量的增加呈现先增加后减小的趋势,而矫顽场Ec则逐渐降低。样品的综合性能在x=0.08处达到最佳值:d33=461 pC/N,kp=50.7%,Pr=14.1μC/cm2,Ec=4.1 kV/cm,εr=3696,表明该材料具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 (ba0 85Ca0 15)(ti1-xZrx)o3 压电性能 介电性能 无铅压电陶瓷
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Ba_(1-x)Sr_xTi_(0.88)Sn_(0.12)O_3陶瓷结构与介电性能的研究 被引量：6
7
作者 云斯宁 王晓莉 孙晓亮 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期49-52,共4页
采用高温固相烧结法制备了Ba1-xSrxTi0.88Sn0.12O3(x=0.10,0.20,0.30,0.40,0.50)陶瓷,研究了Sr含量及烧结温度对Ba1-xSrxTi0.88Sn0.12O3陶瓷结构与介电性能的影响。XRD初步分析表明Ba1-xSrxTi0.88Sn0.12O3陶瓷在室温为立方钙钛矿结构。... 采用高温固相烧结法制备了Ba1-xSrxTi0.88Sn0.12O3(x=0.10,0.20,0.30,0.40,0.50)陶瓷,研究了Sr含量及烧结温度对Ba1-xSrxTi0.88Sn0.12O3陶瓷结构与介电性能的影响。XRD初步分析表明Ba1-xSrxTi0.88Sn0.12O3陶瓷在室温为立方钙钛矿结构。进一步的研究表明Ba1-xSrxTi0.88Sn0.12O3陶瓷的介电性能与对A位、B位进行的离子取代密切相关。随着Sr含量的增加,不同烧结温度下Ba1-xSrxTi0.88Sn0.12O3陶瓷的介电性能下降,相变温度Tc移向低温。尽管在所研究的组分范围内Ba1-xSrxTi0.88Sn0.12O3表现出扩散相变铁电体的特征,但是典型的介电弛豫行为并没有被观察到。 展开更多
关键词 ba1-xSrxti0.88Sn0. 12o3陶瓷 烧结 介电性能 扩散相变 弛豫行为
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Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))_(0.99)Al_(0.01)O_3陶瓷的介电弛豫特性 被引量：3
8
作者 陈涛 丁士华 +3 位作者 张红霞 宋天秀 杨秀玲 张东 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第3期404-407,共4页
采用固相反应法制备了Ba1-xBix(Ti0.91Zr0.09)0.99Al0.01O3陶瓷,借助XRD、Agilent4284A、ZT-I电滞回线测量仪,研究了Bi3+和Al3+共掺杂后对陶瓷的相结构和介电特性的影响。研究结果表明,掺杂后Ba(Ti0.91Zr0.09)0.99Al0.01O3陶瓷的体积密... 采用固相反应法制备了Ba1-xBix(Ti0.91Zr0.09)0.99Al0.01O3陶瓷,借助XRD、Agilent4284A、ZT-I电滞回线测量仪,研究了Bi3+和Al3+共掺杂后对陶瓷的相结构和介电特性的影响。研究结果表明,掺杂后Ba(Ti0.91Zr0.09)0.99Al0.01O3陶瓷的体积密度在x=0.03时,可达5.859 g/cm3,XRD结果显示,在x≤0.01时,衍射峰具有单一的四方BaTiO3结构,观察介电温谱(-30℃≤T≤130℃,10-1kHz≤f≤103kHz,其中f为频率)可发现陶瓷从正常铁电体转变成弛豫铁电体,电滞回线显示矫顽场(Ec)和剩余极化强度(Pr)小,即Ec=0.93 kV/cm,Pr=2.63μC/cm2。 展开更多
关键词 铁电体 ba(ti0.91Zr0.09)0.99Al0.01o3陶瓷 介电弛豫 相变弥散
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Ba_(0.98)Bi_(0.02)(Ti_(0.9)Zr_(0.1))_(1-x)Cu_xO_3陶瓷的介电性能、弛豫行为与结晶化学特性 被引量：2
9
作者 彭勇 丁士华 +3 位作者 宋天秀 王久石 徐琴 吴小亮 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1400-1406,共7页
采用固相合成法,Bi3+作施主掺杂A位,Cu2+作受主掺杂B位,制备了Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3(x=0,0.01,0.02,0.03)陶瓷样品。借助XRD、LCR等研究了该陶瓷的结构与介电性能。结果表明:当x=0.03时,陶瓷样品出现第二相。通过GULP模拟,... 采用固相合成法,Bi3+作施主掺杂A位,Cu2+作受主掺杂B位,制备了Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)1-xCuxO3(x=0,0.01,0.02,0.03)陶瓷样品。借助XRD、LCR等研究了该陶瓷的结构与介电性能。结果表明:当x=0.03时,陶瓷样品出现第二相。通过GULP模拟,缺陷偶极子的稳定性从低到高依次为:[2BiBa.+VBa″]、[2BiBa.+CuTi/Zr″]、[CuTi/Zr″+VO..],结合实验可知:介电弛豫程度与晶体中缺陷偶极子的存在形式相关,其中x=0.01时,晶体中以[2BiBa.+CuTi/Zr″]为主。随Cu2+掺杂量的增加,介电常数增加,介电常数与B位键价和呈反比变化、与八面体BO6的体积呈正比变化。 展开更多
关键词 ba0 98Bi0 02(ti0 9Zr0 1) 1-xCuxo3陶瓷 介电弛豫 缺陷偶极子 结晶化学
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预烧温度对(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Hf0.1)O3压电陶瓷电性能的影响 被引量：6
10
作者 任翔云 周恒为 +2 位作者 张超 黄以能 尹红梅 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第7期1233-1238,共6页
采用固相法分别在1100~1250℃的预烧温度下制备了(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Hf_(0.1))O_3(BCHT)无铅压电陶瓷,通过对所制备陶微观结构和电性能的测试,发现:所有样品均具有纯的钙钛矿结构;随预烧温度的增加,室温下样品逐渐由四方相... 采用固相法分别在1100~1250℃的预烧温度下制备了(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Hf_(0.1))O_3(BCHT)无铅压电陶瓷,通过对所制备陶微观结构和电性能的测试,发现:所有样品均具有纯的钙钛矿结构;随预烧温度的增加,室温下样品逐渐由四方相向三方相转变,预烧温度在1150~1250℃时两相共存;样品的压电常数d33、剩余极化强度Pr均随预烧温度的升高呈现先减小后增加的趋势,相对介电常数ε_r、弥散系数γ呈现先增加后减小的趋势,而矫顽场Ec则逐渐降低。样品的综合性能在预烧温度1250℃处达到最佳值:d_(33)=525 pC/N,Pr=10.2μC/cm^2,E_c=1.30 kV/cm,ε_r=17699,γ=1.65,表明该材料具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 (ba0.85Ca0.15)(ti0.9Hf0.1)o3 固相法 压电性能 介电性能 无铅压电陶瓷
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NdAlO_3掺杂对Ba_(4．2)Nd_(9．2)Ti_(18)O_(54)陶瓷微波介电性能的影响 被引量：3
11
作者 吕文中 朱建华 Eric Rop Kipkoech 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期139-144,共6页
研究了NdAlO3掺杂对Ba4．2Nd9．2Ti18O54(简称BNT)陶瓷材料微观结构及其微波介电性能的影响．采用XRD和场发射扫描电子显微镜分析了掺NdAlO3后的BNT陶瓷材料的微观结构．结果表明,掺入的NdAlO3与Ba4．2Nd9．2Ti18O54形成了固溶体．随着N... 研究了NdAlO3掺杂对Ba4．2Nd9．2Ti18O54(简称BNT)陶瓷材料微观结构及其微波介电性能的影响．采用XRD和场发射扫描电子显微镜分析了掺NdAlO3后的BNT陶瓷材料的微观结构．结果表明,掺入的NdAlO3与Ba4．2Nd9．2Ti18O54形成了固溶体．随着NdAlO3 掺入量的增加,材料的介电常数和谐振频率温度系数逐渐减小,Q×f值先增大后减小．当 NdAlO3的掺入量为10wt％时,材料的Q×f值达到最大(11400GHz),谐振频率温度系数接近为零(-0．7ppm／℃),此时材料的相对介电常数为66．29(3．5GHz)． 展开更多
关键词 微波介电性能 ba4.2Nd9.2ti18o54 NdAlo3 钨青铜矿结构
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以SiO_2/Si为衬底的Ba_(1-x)La_xNb_yTi_(1-y)O_3薄膜的敏感特性(英文) 被引量：1
12
作者 李斌 李观启 +1 位作者 黄美浅 曾绍鸿 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期13-17,共5页
通过离子束溅射技术淀积在SiO2 /Si衬底上的钛酸镧钡铌膜 (Ba1-xLaxNbyTi1- yO3) ,制成集薄膜电阻和金属 -绝缘体 -半导体 (MIS)电容为一体的传感器 .实验结果表明 ,薄膜电阻在 30 3～ 6 73K温度范围内对可见光和热具有良好的灵敏特性 ... 通过离子束溅射技术淀积在SiO2 /Si衬底上的钛酸镧钡铌膜 (Ba1-xLaxNbyTi1- yO3) ,制成集薄膜电阻和金属 -绝缘体 -半导体 (MIS)电容为一体的传感器 .实验结果表明 ,薄膜电阻在 30 3～ 6 73K温度范围内对可见光和热具有良好的灵敏特性 ,同时MIS电容对相对湿度有很高的灵敏度 .我们测试了此薄膜的光吸收特性 ,并得到了它的禁带宽度 .最后 ,我们研究了薄膜电阻的阻抗温度频率特性和频率对MIS电容湿敏特性的影响 . 展开更多
关键词 钙肽矿氧化物 钛酸镧钡铌薄膜 光敏特性 热敏特性 湿敏特性 二氧化硅/硅衬底 薄膜电阻
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CuO掺杂对Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷介电性能的影响 被引量：1
13
作者 陈涛 丁士华 +1 位作者 张红霞 宋天秀 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第6期721-723,共3页
采用固相反应法制备了CuO掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,借助XRD、SEM、Agilent4284A测试仪,研究了CuO掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的结构及介电性能的影响。结果表明,CuO具有细化陶瓷晶粒的作用。随着CuO掺杂量的增加,Ba(Ti0.91Zr0.09... 采用固相反应法制备了CuO掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,借助XRD、SEM、Agilent4284A测试仪,研究了CuO掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的结构及介电性能的影响。结果表明,CuO具有细化陶瓷晶粒的作用。随着CuO掺杂量的增加,Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷的斜方-四方相变峰出现介电弛豫现象,相变点处的介电常数增加,并且居里峰出现相变弥散现象。当w(CuO)=0.38%时,斜方-四方相变峰的弛豫程度最大。 展开更多
关键词 ba(ti0.91Zr0.09)o3陶瓷 介电性能 介电弛豫 相变弥散
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MnCO_3掺杂对Ba_4Sm_(9.33)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷性能的影响 被引量：1
14
作者 黄春娥 陆小荣 沈春英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3750-3754,共5页
采用固相反应法,研究了MnCO_3掺杂对Ba_4Sm_(9.33)Ti_(18)O_(54)(简称BST)微波介质陶瓷结构与性能的影响。结果表明:适量掺杂MnCO_3,不仅可有效的降低BST陶瓷的烧结温度至1240℃,而且能通过Mn^(3+)+Ti^(3+)→Mn^(2+)+Ti^(4+)反应,抑制Ti... 采用固相反应法,研究了MnCO_3掺杂对Ba_4Sm_(9.33)Ti_(18)O_(54)(简称BST)微波介质陶瓷结构与性能的影响。结果表明:适量掺杂MnCO_3,不仅可有效的降低BST陶瓷的烧结温度至1240℃,而且能通过Mn^(3+)+Ti^(3+)→Mn^(2+)+Ti^(4+)反应,抑制Ti^(4+)被还原及第二相Sm_2Ti_2O_7出现,改善其介电性能。当MnCO_3添加量为0.10wt%,在1240℃温度烧结3 h时,BST陶瓷获得最佳的介电性能:εr=83.64,Q·f=10007 GHz,τf=0.3×10^(-6)/℃。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 介电性能 ba4Sm9.33ti18o54 MnCo3
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(Ba_(1-y)Sr_y)_(6-3x)Sm_(8+2x)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷的结构及性能 被引量：2
15
作者 司敏杰 李谦 黄金亮 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期46-49,共4页
研究了(Ba1-ySry)6-3xSm8+2xTi18O54(x=2/3,0.0≤y≤0.5)微波介质陶瓷的晶体结构和性能。结果表明:用锶取代钡形成了钨青铜结构的固溶体相,随着锶取代量的增加,晶格常数线性降低;同时,介电常数增大,在y=0.5时获得最大值(80.95);介电损耗... 研究了(Ba1-ySry)6-3xSm8+2xTi18O54(x=2/3,0.0≤y≤0.5)微波介质陶瓷的晶体结构和性能。结果表明:用锶取代钡形成了钨青铜结构的固溶体相,随着锶取代量的增加,晶格常数线性降低;同时,介电常数增大,在y=0.5时获得最大值(80.95);介电损耗在y=0.3达到了最低值(0.000 16)。频率温度系数随着锶取代量的增加由负变正。 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 ((ba1-ySry)6-3xSm8+2xti18o54固溶体 介电性能
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Ba_(0.85)Ca_(0.15)Zr_(0.1)Ti_(0.9)O_3/CoFe_2O_4叠层复合陶瓷的制备与磁电耦合效应研究
16
作者 袁昌来 轩敏杰 +3 位作者 许积文 刘心宇 周昌荣 杨云 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期317-320,共4页
以CoFe2O4压磁体、掺CuO和CeO2助烧剂的压电体Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3为基本叠层材料,采用界面固相熔融渗透法制备了掺助烧剂Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3-CoFe2O4叠层复合陶瓷。叠层复合陶瓷的压电压磁相叠层界面结合良好。随着压磁相... 以CoFe2O4压磁体、掺CuO和CeO2助烧剂的压电体Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3为基本叠层材料,采用界面固相熔融渗透法制备了掺助烧剂Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3-CoFe2O4叠层复合陶瓷。叠层复合陶瓷的压电压磁相叠层界面结合良好。随着压磁相与压电相厚度比比率的增加,叠层复合陶瓷的饱和磁致伸缩系数–λ从67×10-6增加到134×10-6、压电系数d33从340 pC/N逐渐减小到205 pC/N;磁电耦合系数先增大后减小,在厚度比为2、外磁场为100 mT时得到最大值3200 mV/(cm.mT)。 展开更多
关键词 ba0 85Ca0 15Zr0 1ti0 9o3 CoFE2o4 叠层复合陶瓷 磁电耦合效应
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氧化物掺杂Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3陶瓷的介电弛豫行为
17
作者 陈涛 丁士华 +3 位作者 宋天秀 张红霞 杨秀玲 张东 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第5期721-723,727,共4页
采用固相反应法分别制备了CuO、Bi2O3、MoO3和Li2O氧化物掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷。研究A位和B位施-受主掺杂对介电弛豫行为的影响。不同频率下陶瓷样品的介电温谱显示适量的掺杂可以诱发弛豫行为。根据A位和B位的替代离子类型,讨... 采用固相反应法分别制备了CuO、Bi2O3、MoO3和Li2O氧化物掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷。研究A位和B位施-受主掺杂对介电弛豫行为的影响。不同频率下陶瓷样品的介电温谱显示适量的掺杂可以诱发弛豫行为。根据A位和B位的替代离子类型,讨论了弛豫特性产生的机理。 展开更多
关键词 ba(ti0.91Zr0.09)o3陶瓷 弥散相变 介电弛豫
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添加助烧剂对Ba (Ti_(0．91)Zr_(0．09)) O_3介电性能的影响
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作者 陈涛 丁士华 +2 位作者 张红霞 宋天秀 杨秀玲 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2007年第11期34-37,共4页
采用固相反应法制备了添加1wt% CuO- BaO混合物的Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3铁电陶瓷,借助XRD、SEM、Aglient4284测试仪、ZT-1电滞回线测量仪,研究了预烧前和预烧后加入CuO-BaO混合物对Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3铁电陶瓷的烧结特性及... 采用固相反应法制备了添加1wt% CuO- BaO混合物的Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3铁电陶瓷,借助XRD、SEM、Aglient4284测试仪、ZT-1电滞回线测量仪,研究了预烧前和预烧后加入CuO-BaO混合物对Ba(Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3铁电陶瓷的烧结特性及介电性能的影响。结果表明:不论在预烧前和预烧后添加1wt% CuO-BaO混合物,均能有效降低Ba (Ti_(0.91)Zr_(0.09))O_3的烧结温度,但是在预烧前加入CuO-BaO混合物,室温介电常数高,损耗小,并且伴有介电弛豫现象,电滞回线呈现典型弛豫型铁电体的特征。 展开更多
关键词 ba(ti0.91Zr0.09)o3 液相烧结 介电弛豫
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(1-x)Bi_4Ti_3O_(12-x)BaTiO_3高T_C压电陶瓷的结构与性能研究
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作者 李博 高峰 +3 位作者 刘亮亮 许贝 曹宵 田长生 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第1期111-114,共4页
采用固相合成法制备了(1-x)Bi4Ti3O12-xBaTi O3(BIT-BT)压电陶瓷材料,研究了BaTi O3含量对BIT-BT陶瓷显微组织结构及电性能的影响规律。结果表明,BIT-BT陶瓷主要由Bi Ti3O12和BaTi O3两相组成,当0.1≤x(BT)≤0.7时,材料中出现BaBi4Ti4O1... 采用固相合成法制备了(1-x)Bi4Ti3O12-xBaTi O3(BIT-BT)压电陶瓷材料,研究了BaTi O3含量对BIT-BT陶瓷显微组织结构及电性能的影响规律。结果表明,BIT-BT陶瓷主要由Bi Ti3O12和BaTi O3两相组成,当0.1≤x(BT)≤0.7时,材料中出现BaBi4Ti4O15相。随着BT摩尔分数的增加,居里温度TC逐渐降低,介电常数εr逐渐增大,介电损耗tanδ和压电常数d33先增大后减小。当材料组分为0.6BIT-0.4BT时性能达到最佳,其TC=455℃、εr=147、tanδ=0.011、d33=20 pC/N。 展开更多
关键词 (1-x)Bi4ti3o12-xbatio3(BIT-BT) 高居里温度 相结构 电性能
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烧结保温时间对Ba(Zr0．1Ti0.9)O3-Zn-Nb陶瓷微观结构与介电性能的影响
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作者 王艳 苗康康 +1 位作者 王文静 秦怡 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期28-32,共5页
采用溶胶-凝胶法制备Y5V型Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-Zn-No陶瓷,通过XRD、SEM等分析检测手段对样品进行表征。研究了烧结保温时间对Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-Zn-No陶瓷相组成、微观结构、介电性能及介电弛豫的影响。结果表明:样品均为单... 采用溶胶-凝胶法制备Y5V型Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-Zn-No陶瓷,通过XRD、SEM等分析检测手段对样品进行表征。研究了烧结保温时间对Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3-Zn-No陶瓷相组成、微观结构、介电性能及介电弛豫的影响。结果表明:样品均为单一钙钛矿结构,且随着烧结保温时间的增加,陶瓷晶粒尺寸与介电常数增大,弥散相变系数(y)先增加后减小。 展开更多
关键词 ba(Zr0.1ti0.9)o3-Zn-Nb Y5V 介电性能 介电弛豫
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