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一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化
被引量：
1
1
作者
禹玥昀
林宏
+2 位作者
赵同林
狄光智
石艳玲
《电子器件》
CAS
北大核心
2014年第6期1049-1053,共5页
研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究...
研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究对象,在开放的SPICE和BSIM3源代码对模型库文件进行修改,实现了该可靠性模型。实验表明,该模型的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,因而适用于预测标准工艺MOS器件在一定工作电压及时间下性能参数的变化,进而评估标准工艺器件的寿命。
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关键词
SPICE
模型
bsim3v3模型
热载流子注入(HCI)
可靠性
参数
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职称材料
题名
一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化
被引量：
1
1
作者
禹玥昀
林宏
赵同林
狄光智
石艳玲
机构
西南林业大学计算机与信息学院
华东师范大学信息科技与技术学院
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2014年第6期1049-1053,共5页
文摘
研究中提出了用于描述HCI(热载流子注入)效应的MOSFET可靠性模型及其建模方法,在原BSIM3模型源代码中针对7个主要参数,增加了其时间调制因子,优化并拟合其与HCI加压时间(Stress time)的关系式,以宽长比为10μm/0.5μm5 V的MOSFET为研究对象,在开放的SPICE和BSIM3源代码对模型库文件进行修改,实现了该可靠性模型。实验表明,该模型的测量曲线与参数提取后的I-V仿真曲线十分吻合,因而适用于预测标准工艺MOS器件在一定工作电压及时间下性能参数的变化,进而评估标准工艺器件的寿命。
关键词
SPICE
模型
bsim3v3模型
热载流子注入(HCI)
可靠性
参数
Keywords
MOSFET
HCI
reliability
SPICE model
bsim
3
v
3
model
分类号
TN304.02 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新的SPICE BSIM3v3 HCI可靠性模型的建立及参数优化
禹玥昀
林宏
赵同林
狄光智
石艳玲
《电子器件》
CAS
北大核心
2014
1
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职称材料
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参考文献
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