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题名深亚微米CMOS电路漏电流快速模拟器
被引量：3
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作者
徐勇军
陈治国
骆祖莹
李晓维
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机构
中国科学院计算技术研究所信息网络研究室
清华大学计算机科学与技术系
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出处
《计算机研究与发展》
EI
CSCD
北大核心
2004年第5期880-885,共6页
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基金
国家自然科学基金重点项目 ( 90 2 0 70 0 2)
国家"八六三"高技术研究发展计划基金项目( 2 0 0 1AA1110 70 )
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文摘
随着工艺的发展 ,功耗成为大规模集成电路设计领域中一个关键性问题 降低电源电压是减少电路动态功耗的一种十分有效的方法 ,但为了保证系统性能 ,必须相应地降低电路器件的阈值电压 ,而这样又将导致静态功耗呈指数形式增长 ,进入深亚微米工艺后 ,漏电功耗已经能和动态功耗相抗衡 ,因此 ,漏电功耗快速模拟器和低功耗低漏电技术一样变得十分紧迫 诸如HSPICE的精确模拟器可以准确估计漏电功耗 ,但仅仅适合于小规模电路 首先证实了CMOS晶体管和基本逻辑门都存在堆栈效应 ,然后提出了快速模拟器的漏电模型 ,最后通过对ISCAS85& 89基准电路的实验 ,说明了在精度许可 (误差不超过 3% )的前提下 ,模拟器获得了成百倍的加速 。
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关键词
漏电功耗
深亚微米工艺
bsim漏电模型
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Keywords
leakage power
DSM process
bsim leakage model
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分类号
TP391.72
[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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