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基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模被引量：1: 1; 作者陈光前王悦杨 +1 位作者唐敏刘伟景《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期442-448,共7页; 随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克... 展开更多; 关键词纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(bsim⁃CMG)紧凑模型直流特性参数提取; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究被引量：2: 2; 作者赵阳 Parke Stephen Burke Franklyn 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期841-844,共4页; 本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL... 展开更多; 关键词 MOSFET器件建模与特征提取短沟道效应 bsim模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展被引量：2: 3; 作者刘芳陈燕宁 +4 位作者李建强付振袁远东张海峰唐晓柯《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期15-23,共9页; 随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM... 展开更多; 关键词伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(bsim) 阈值电压饱和电流电荷密度夹断电势电容模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

深亚微米CMOS电路漏电流快速模拟器被引量：3: 4; 作者徐勇军陈治国 +1 位作者骆祖莹李晓维《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2004年第5期880-885,共6页; 随着工艺的发展 ,功耗成为大规模集成电路设计领域中一个关键性问题降低电源电压是减少电路动态功耗的一种十分有效的方法 ,但为了保证系统性能 ,必须相应地降低电路器件的阈值电压 ,而这样又将导致静态功耗呈指数形式增长 ,进入深亚... 展开更多; 关键词漏电功耗深亚微米工艺 bsim漏电模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模被引量：1: 1; 作者陈光前王悦杨唐敏刘伟景; 机构上海电力大学电子与信息工程学院中芯国际集成电路制造有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期442-448,共7页; 基金国家自然科学基金(62174055)。; 文摘随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型,对NSFET进行直流特性建模。使用器件模型提取工具XModel提取器件的直流特性参数,包括单器件参数提取、温度及自热效应参数提取。结果表明,单器件直流特性参数提取平均误差小于5%,温度及自热效应的参数提取结果精准度较好,验证了模型的准确性。最后,构建并验证分组模型与工艺角模型。这些模型能准确描述不同尺寸和工艺波动对NSFET器件特性的影响,为加快高性能、低功耗NSFET的开发提供理论参考和实践指导。; 关键词纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(bsim⁃CMG)紧凑模型直流特性参数提取; Keywords nanosheet field⁃effect transistor(NSFET) TCAD Berkeley short⁃channel insulated gate field⁃effect transistor(IGFET)model⁃common multi⁃gate(bsim⁃CMG)compact model DC characteristic parameter extraction; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究被引量：2: 2; 作者赵阳 Parke Stephen Burke Franklyn; 机构南京师范大学电气与电子工程学院美国爱达荷州Boise州立大学电气与计算机系; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期841-844,共4页; 基金江苏省自然科学基金(No.BK2003099) 教育部留学回国人员科研启动基金(No.教外司[2003]406) 部分受美国国家自然科学基金(No.EPS9977454); 文摘本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL效应 )等 .研究表明 ,实验数据和BSIM模型结果较好吻合 ,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景 .; 关键词 MOSFET器件建模与特征提取短沟道效应 bsim模型; Keywords Computer simulation Integrating circuits Mathematical models Parameter estimation Test facilities Threshold voltage; 分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展被引量：2: 3; 作者刘芳陈燕宁李建强付振袁远东张海峰唐晓柯; 机构北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京智芯微电子科技有限公司北京市高可靠性集成电路设计工程技术研究中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期15-23,共9页; 文摘随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM）,以及该模型中阈值电压、饱和电流和电容的基本建模理论。回顾了近年来体硅MOSFET BSIM的研究进展,着重从各种模型的优缺点、建模机理和适用范围方面分析了4种最有代表性的BSIM,即BSIM3v3,BSIM4,BSIM5和BSIM6。从模型的发展历史可以看出模型是随着MOSFET尺寸的缩小而不断完善和发展的。最后,对体硅MOSFET的模型发展趋势进行了展望。; 关键词伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(bsim) 阈值电压饱和电流电荷密度夹断电势电容模型; Keywords Berkeley short-channel insulated gate field effect transistor model （bsim） threshold voltage saturation current charge density pinch-off potential capacitance model; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名深亚微米CMOS电路漏电流快速模拟器被引量：3: 4; 作者徐勇军陈治国骆祖莹李晓维; 机构中国科学院计算技术研究所信息网络研究室清华大学计算机科学与技术系; 出处《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2004年第5期880-885,共6页; 基金国家自然科学基金重点项目 ( 90 2 0 70 0 2) 国家"八六三"高技术研究发展计划基金项目( 2 0 0 1AA1110 70 ); 文摘随着工艺的发展 ,功耗成为大规模集成电路设计领域中一个关键性问题降低电源电压是减少电路动态功耗的一种十分有效的方法 ,但为了保证系统性能 ,必须相应地降低电路器件的阈值电压 ,而这样又将导致静态功耗呈指数形式增长 ,进入深亚微米工艺后 ,漏电功耗已经能和动态功耗相抗衡 ,因此 ,漏电功耗快速模拟器和低功耗低漏电技术一样变得十分紧迫诸如HSPICE的精确模拟器可以准确估计漏电功耗 ,但仅仅适合于小规模电路首先证实了CMOS晶体管和基本逻辑门都存在堆栈效应 ,然后提出了快速模拟器的漏电模型 ,最后通过对ISCAS85& 89基准电路的实验 ,说明了在精度许可 (误差不超过 3% )的前提下 ,模拟器获得了成百倍的加速。; 关键词漏电功耗深亚微米工艺 bsim漏电模型; Keywords leakage power DSM process bsim leakage model; 分类号 TP391.72 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模	陈光前王悦杨唐敏刘伟景	《半导体技术》 CAS 北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究	赵阳 Parke Stephen Burke Franklyn	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2004	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展	刘芳陈燕宁李建强付振袁远东张海峰唐晓柯	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	深亚微米CMOS电路漏电流快速模拟器	徐勇军陈治国骆祖莹李晓维	《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心	2004	3	在线阅读下载PDF 职称材料