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Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器: 1; 作者李兴教王宁章 +6 位作者鲍军波宁广蓉陈涛徐静平陈振贤邹雪城 LI Shao-ping 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期440-444,共5页; 利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变... 展开更多; 关键词 Au/bit/pzt/bit/p-Si(100) 存储器铁电薄膜电位降内建电压金属/铁电薄膜/半导体结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

高度（100）取向PLT/PZT多层铁电薄膜的制备与性能研究被引量：1: 2; 作者吴家刚朱基亮 +3 位作者肖定全朱建国谭浚哲张青磊《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期779-781,共3页; 利用射频磁控溅射技术，以PbOx为过渡层，在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上，采用原位溅射技术制备了高度（100）取向的[（Pb0.90La0.10）Ti0.975O3/Pb（Zr0.20Ti0.80）O3]n（n=1，2）{筒记为[PLT/PZT]。）多层铁电薄膜，研究了层... 展开更多; 关键词 PLT/pzt 多层铁电薄膜磁控溅射 (100)取向电学性质; 在线阅读下载PDF 职称材料

准分子激光制备多层铁电薄膜的C-V特性研究被引量：3: 3; 作者李兴教赵建洪 +2 位作者安承武李再光李少平《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第2期112-115,138,共5页; 采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表... 展开更多; 关键词 bit pzt bit 铁电薄膜记忆特性 C-V特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

多层结构铁电薄膜的I-V特性性能的研究被引量：2: 4; 作者李兴教黄新堂 +5 位作者赵建洪郑远开董晓敏李再光王新兵李少平《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第6期398-404,共7页; 为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特... 展开更多; 关键词多层铁电薄膜 PLD方法 I-V特性曲线铁电体; 在线阅读下载PDF 职称材料

激光制备多层铁电薄膜的C-V保持特性研究被引量：1: 5; 作者李兴教赵建洪 +2 位作者安承武李再光李少平《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第3期192-195,共4页; 采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线、电容与保持... 展开更多; 关键词多层铁电薄膜电容保持特性 PLD方法激光技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

钛酸铋基铁电薄膜研究进展被引量：1: 6; 作者张端明杨斌 +9 位作者魏念李智华郑朝丹吴云翼郭冬云王龙海杨卫明王耘波高俊雄于军《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期351-354,357,共5页; 钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景。本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论。; 关键词钛酸铋铁电薄膜制备工艺掺杂改性疲劳; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器: 1; 作者李兴教王宁章鲍军波宁广蓉陈涛徐静平陈振贤邹雪城 LI Shao-ping; 机构华中科技大学电子系 Advanced Recording Technology Laboratory; 出处《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期440-444,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(59972010)。; 文摘利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,获得了电流密度-电压(I-V)回线和极化强度P-V电滞回线。在这三种结构中,Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度PS及矫顽场VC之间有三种关系,他们与I-V回线及P-V回线的关系相匹配,这种匹配关系使得以I-V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。; 关键词 Au/bit/pzt/bit/p-Si(100) 存储器铁电薄膜电位降内建电压金属/铁电薄膜/半导体结构; Keywords Au/bit/pzt/bit/Si memory thin films voltage drop builtin voltage; 分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高度（100）取向PLT/PZT多层铁电薄膜的制备与性能研究被引量：1: 2; 作者吴家刚朱基亮肖定全朱建国谭浚哲张青磊; 机构四川大学材料科学与工程学院; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期779-781,共3页; 基金国家自然科学基金重点资助项目（50132020）国家重点基础研究发展计划（973计划）资助项目（Z0601）.; 文摘利用射频磁控溅射技术，以PbOx为过渡层，在Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上，采用原位溅射技术制备了高度（100）取向的[（Pb0.90La0.10）Ti0.975O3/Pb（Zr0.20Ti0.80）O3]n（n=1，2）{筒记为[PLT/PZT]。）多层铁电薄膜，研究了层数对多层铁电薄膜介电性能和铁电性能的影响。研究得出，（100）取向的PbOx，过渡层导致了[PLT/PZT]。多层铁电薄膜的（100）择优取向；高度（100）择优取向的[PLT/PZT]2薄膜具有更大的剩余极（2Pr=31.45μC/cm）和更好的“蝴蝶”状C-V曲线。这些研究结果表明，所制备的（100）取向的[PLT/PZT]2多层铁电薄膜具有优良的铁电性能。; 关键词 PLT/pzt 多层铁电薄膜磁控溅射 (100)取向电学性质; Keywords PLT/pzt ferroelectric multilayered thin films RFmagnetronsputtering （100）orientation electricalproperties; 分类号 O484.1 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名准分子激光制备多层铁电薄膜的C-V特性研究被引量：3: 3; 作者李兴教赵建洪安承武李再光李少平; 机构华中理工大学固体电子学系华中理工大学激光技术国家重点实验室 Argonne National Laboratory Argonne Illinois; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第2期112-115,138,共5页; 基金国家自然科学基金激光技术国家实验室开放基金; 文摘采用脉冲准分子激光工艺,在p型Si(100)单晶基片上,成功地淀积了BIT、PZT/BIT和BIT/PZT/BIT等多层结构的铁电薄膜;采用低频阻抗分析仪,分析了它们的C-V特性曲线的记忆窗口,讨论了记忆窗口与频率的关系,记忆窗口与多层结构的关系。结果表明,三层结构铁电薄膜的C-V特性的记忆窗口优于双层和单层结构的铁电薄膜。; 关键词 bit pzt bit 铁电薄膜记忆特性 C-V特性; Keywords bit/pzt/bit multilayer ferroelectric thin films memory characteristics C-V characteristics PLD method; 分类号 TN24 [电子电信—物理电子学] TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多层结构铁电薄膜的I-V特性性能的研究被引量：2: 4; 作者李兴教黄新堂赵建洪郑远开董晓敏李再光王新兵李少平; 机构华中理工大学固体电子学系华中理工大学激光技术国家重点实验室美国伊利诺斯州阿贡国家实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第6期398-404,共7页; 基金国家自然科学基金激光技术国家实验室开放基金; 文摘为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结构铁电薄膜Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ漏电流密度Ｊ最小，在５００ｎｍ厚时Ｊ＋（＋３Ｖ）约２．８×１０－１０Ａ／ｍｍ２，Ｊ－（－３Ｖ）约１．２×１０－１２Ａ／ｍｍ２优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。; 关键词多层铁电薄膜 PLD方法 I-V特性曲线铁电体; Keywords bit/pzt/bit multilayer ferroelectric thin film, I V characteristic,PLD mathod; 分类号 TM221.014 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名激光制备多层铁电薄膜的C-V保持特性研究被引量：1: 5; 作者李兴教赵建洪安承武李再光李少平; 机构华中理工大学固体电子学系华中理工大学激光技术国家实验室; 出处《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第3期192-195,共4页; 基金国家自然科学基金激光技术国家实验室开放基金; 文摘采用脉冲准分子激光工艺在Ｓｉ（１００）单晶基片上，成功地淀积了ＢＩＴ、ＰＺＴ／ＢＩＴ和ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ等多层结构的铁电薄膜。通过测量金属／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／Ｓｉ多层结构的非回线型Ｃ－Ｖ特性曲线、电容与保持时间的关系，发现三层ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ薄膜具有很好的电容保持特性。; 关键词多层铁电薄膜电容保持特性 PLD方法激光技术; Keywords bit/pzt/bit multilayer ferroelectric thin film,capacitance retention characteristics,PLD method; 分类号 TN304.9 [电子电信—物理电子学] TN24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名钛酸铋基铁电薄膜研究进展被引量：1: 6; 作者张端明杨斌魏念李智华郑朝丹吴云翼郭冬云王龙海杨卫明王耘波高俊雄于军; 机构华中科技大学物理系华中科技大学电子科学和技术系; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期351-354,357,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(50272022 90407023) 武汉市青年科技晨光计划资助项目(20045006071-41); 文摘钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景。本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论。; 关键词钛酸铋铁电薄膜制备工艺掺杂改性疲劳; Keywords Bi3Ti4O12（bit） ferroelectric thin film preparation doping fatigue; 分类号 TM223 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器	李兴教王宁章鲍军波宁广蓉陈涛徐静平陈振贤邹雪城 LI Shao-ping	《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心	2002	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	高度（100）取向PLT/PZT多层铁电薄膜的制备与性能研究	吴家刚朱基亮肖定全朱建国谭浚哲张青磊	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	准分子激光制备多层铁电薄膜的C-V特性研究	李兴教赵建洪安承武李再光李少平	《压电与声光》 CSCD 北大核心	1997	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	多层结构铁电薄膜的I-V特性性能的研究	李兴教黄新堂赵建洪郑远开董晓敏李再光王新兵李少平	《压电与声光》 CSCD 北大核心	1997	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	激光制备多层铁电薄膜的C-V保持特性研究	李兴教赵建洪安承武李再光李少平	《压电与声光》 CSCD 北大核心	1997	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	钛酸铋基铁电薄膜研究进展	张端明杨斌魏念李智华郑朝丹吴云翼郭冬云王龙海杨卫明王耘波高俊雄于军	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	1	在线阅读下载PDF 职称材料