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基于改进U-Net的BGO晶体粗加工磨砂面弱划痕分割算法 被引量:1
1
作者 陶文峰 张晓龙 朱海波 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期598-604,共7页
BGO晶体通常需要通过切割、磨削等粗加工步骤制作磨砂面以提升元件性能,其粗加工过程中划痕缺陷的提取和预检对后续晶体元件的质量评估极为重要。然而,传统工业机器视觉算法难以精细分割晶体粗加工磨砂面上的弱划痕,极大地影响了后续晶... BGO晶体通常需要通过切割、磨削等粗加工步骤制作磨砂面以提升元件性能,其粗加工过程中划痕缺陷的提取和预检对后续晶体元件的质量评估极为重要。然而,传统工业机器视觉算法难以精细分割晶体粗加工磨砂面上的弱划痕,极大地影响了后续晶体品质的检测效率。针对磨砂面弱划痕难以精确分割的难题,本文采用了一种改进的U-Net深度学习算法,该算法在U-Net基础结构中嵌入了轻量级CBAM注意力机制,提升网络对浅划痕特征提取和细节恢复能力;同时采用Copy-paste数据增广方法,提升算法模型的泛化性;另外为了缓解样本中前景背景不平衡带来的消极影响,采用Dice Loss、Focal Loss复合损失函数。实验表明,本文算法对于晶体粗加工磨砂面的弱划痕能有效进行精确分割,并且其平均交并比Miou为85.2%,准确率为95.4%,相较于传统工业机器视觉算法有明显提升。此外该算法一定程度上解决了弱划痕的误分割与欠分割现象,能对粗加工过程中的晶体进行划痕缺陷预先检测,减少后续不必要的工艺和质量评估步骤,同时整体提高工业晶体产品的生产效率。 展开更多
关键词 弱划痕提取 bgo晶体 目标分割 U-Net 晶体磨砂面
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BGO 大单晶宏观缺陷的研究 被引量:6
2
作者 殷之文 薛志麟 +5 位作者 胡关钦 谢幼玉 苏伟堂 王效仙 古佩新 张仲猷 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期391-398,共8页
应用光学显微镜、扫描电镜、电子探针、X 光衍射分析、原子吸收分光光度计等,对 BGO 大单晶生长中最常出现并严重影响晶体光学质量的宏观缺陷进行了研究。观察表明,晶体生长过程中,随生长条件的变化,这些宏观缺陷的形貌特征是不同的。... 应用光学显微镜、扫描电镜、电子探针、X 光衍射分析、原子吸收分光光度计等,对 BGO 大单晶生长中最常出现并严重影响晶体光学质量的宏观缺陷进行了研究。观察表明,晶体生长过程中,随生长条件的变化,这些宏观缺陷的形貌特征是不同的。本文对这些宏观缺陷的形成机理和克服方法进行了探讨,并在实践中得到良好效果。 展开更多
关键词 锗酸铋 晶体 缺陷 晶体生长 bgo
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BGO晶体固有线性双折射及其温度特性的定量研究 被引量:7
3
作者 谭巧 徐启峰 +2 位作者 谢楠 邱鑫茂 谢榕芳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2016年第6期247-252,共6页
BGO晶体的固有线性双折射及其温度特性严重制约着光学电压互感器(OVT)的实用化进程,对其进行定量研究有助于提高和改进OVT的性能。文中提出了一种晶体劈干涉条纹图像法,通过测量干涉条纹的移动实现对BGO晶体内部固有线性双折射及其温度... BGO晶体的固有线性双折射及其温度特性严重制约着光学电压互感器(OVT)的实用化进程,对其进行定量研究有助于提高和改进OVT的性能。文中提出了一种晶体劈干涉条纹图像法,通过测量干涉条纹的移动实现对BGO晶体内部固有线性双折射及其温度特性的准确测量。文中采用琼斯矩阵对测量原理进行了推导,并给出了测量实例和验证结果。结果表明,单位长度的BGO晶体固有线性双折射会给OVT带来约1.0%的测量误差;考虑温度特性,误差约为1.2%,对于OVT必须具备0.2%的测量准确度是一个严重挑战。文中提出的方法与传统的光强法比较,不受光源功率波动的影响,在测量过程中无需调节光学元件,不会引入额外的误差,测量准确度提高了约一个数量级。 展开更多
关键词 线性双折射 bgo晶体 干涉条纹 光学电压
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双BGO晶体能谱测井 被引量:9
4
作者 吉朋松 庄人遴 +2 位作者 林谦 张智 陈晨 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期117-119,共3页
C/O测井可以利用BGO晶体探测效率高的特点,在其探测器部分放置两个探测器,称为双探测器C/O测井仪,长短源距两个探头所测谱数据进行补偿,有效地去除了井眼条件的影响,提高了测量精度和油水差值,更加有效地区分油水层。
关键词 bgo晶体 能谱 探测器 测井
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γ射线连续液位仪中BGO闪烁体探测器设计 被引量:3
5
作者 潘小东 韩雪梅 +2 位作者 李公平 任重 王力 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期268-270,共3页
介绍了一种在钢铁连铸结晶器连续液位仪上使用的BGO闪烁体探测器电路的设计,并给出了信号处理电路的测试结果。
关键词 bgo晶体 信号处理电路 高压电源 液位仪
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BGO晶体在密度计中应用的可行性研究 被引量:2
6
作者 李正平 吴瑞生 +1 位作者 张永明 孙勇杰 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期477-479,共3页
在对 BGO和 Na I晶体高压坪特性测试以及两者主要性能的比较的基础上 ,探讨和论证了BGO晶体在密度计系统中应用的可行性。
关键词 bgo晶体 NaI晶体 密度计 可行性研究 碘化钠晶体 高压坪特性测试
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BJ38-BGO 晶体球性能及其持性模拟实验研究 被引量:1
7
作者 雷祥国 郭应祥 +5 位作者 孙相富 孙志宇 甘再国 周小红 刘忠 罗亦孝 《核电子学与探测技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期420-423,共4页
本文主要报告了BJ38-BGO晶体球探测元的基本性能测试,以及使用60Co级联γ源和CAMAC-PC多参数数据获取技术对晶体球的总体特性模拟实验测量的研究结果。
关键词 bgo晶体球 γ多重性 级联γ 闪烁探测器 探测元
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BGO六棱柱探测元性能的研究 被引量:1
8
作者 雷祥国 郭应祥 +5 位作者 罗亦孝 孙相富 赵之正 孙锡军 刘洪业 郭俊盛 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期208-211,共4页
用^(54)Mn,^(57)Co,^(60)Co,^(22)Na和^(137)Cs源测量了BGO六棱柱探测元的能量线性,对662keV的γ射线能量分辨率为18%。两个BGO探测器间的符合时间分辨半宽度为6.9ns,BGO六棱柱与HPGe探器测间的时间分辨半宽度为8.3ns。
关键词 bgo 六棱柱 探测器 晶体 探测元
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微量杂质在 BGO Bridgman 生长和性质上的行为 被引量:3
9
作者 范世(马岂) 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期399-404,共6页
在 Bridgman 生长的 BGO 闪烁单晶中,含量为 10^(-4)~10^(-6)wt%的 Fe、Pb、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Al 等微量杂质主要来源于原料和工艺过程中的局外污染。铂从坩埚上被侵蚀进入 BGO 熔体,其含量<2×10^(-5)wt%。用 AAS 和 ICP ... 在 Bridgman 生长的 BGO 闪烁单晶中,含量为 10^(-4)~10^(-6)wt%的 Fe、Pb、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Al 等微量杂质主要来源于原料和工艺过程中的局外污染。铂从坩埚上被侵蚀进入 BGO 熔体,其含量<2×10^(-5)wt%。用 AAS 和 ICP 分析测定了 Bridgman 生长中微量杂质的有效分凝系数。过渡金属杂质,特别是 Fe,使 BGO 染色并引起辐照损伤,形成300~700nm 范围的强吸收谱,致使 BGO 单晶的能量分辨率、相对荧光输出下降约10—20%。在辐照损伤下形成的 Fe、Pb 杂质色心,受热时形成晶体的热发光。 展开更多
关键词 锗酸铋 bgo 晶体 杂质 晶体生长
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BGO晶体的缺陷与性能—(1)缺陷及其形成
10
作者 姚冬敏 齐雪君 +2 位作者 宋桂兰 袁兰英 仲维卓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期940-944,共5页
下降法生长的BGO晶体中存在几种典型的宏观缺陷。用光学显微镜和电子探针对宏观缺陷内的包裹体进行研究发现 :包裹体大部分为固态包裹物 ;不同宏观缺陷内的包裹体 ,其形状、大小和成份都具有典型特征。
关键词 宏观缺陷 包裹物 bgo晶体 固态 性质 包裹体 发现 形成 电子探针 下降
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Bi:BGO单晶相位共轭效应的研究
11
作者 李铭华 刘彩霞 +3 位作者 贾晓林 徐玉恒 高元凯 孙光跃 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1992年第6期44-47,共4页
本文采用提拉法生长BGO单晶和Bi:BGO单晶,测试晶体相位共轭反射率和响应时间,发现Bi:BGO晶体相位共轭反射率比BGO晶体提高了一倍。研究了Bi:BGO晶体相位共轭反射率与外电场的关系,以及Bi:BGO晶体的光折变机理。
关键词 单晶 相位共轭 光折变 锗酸铋晶体
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轴对称型BGO反康屏蔽探测器研制
12
作者 雷祥国 郭应祥 +10 位作者 周小红 张玉虎 刘忠 谢成营 王华磊骆鹏 宋立涛 于海萍 郑勇 柳敏良 罗万居 何建军 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期193-196,共4页
着重报告了自行研制的轴向对称型BGO反康屏蔽探测器的基本结构、抑制原理及其抑制性能的测试结果。测得60Coγ射线源的康普顿抑制系数在能区100~300、300~800、800~1100keV范围内分别为2.3、4.1和4.6,且峰总比为37%(对相对效率为30%... 着重报告了自行研制的轴向对称型BGO反康屏蔽探测器的基本结构、抑制原理及其抑制性能的测试结果。测得60Coγ射线源的康普顿抑制系数在能区100~300、300~800、800~1100keV范围内分别为2.3、4.1和4.6,且峰总比为37%(对相对效率为30%的HPGe探测器)。 展开更多
关键词 轴对称型bgo反康屏蔽探测器 研制 结构 抑制原理 抑制性能 Γ射线源 康普顿抑制系数 闪烁体晶体 钴60
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BGO晶体生长固液边界层结构的微区研究
13
作者 张霞 万松明 +4 位作者 殷绍唐 尤静林 陈辉 赵思杰 张庆礼 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1245-1248,共4页
研究了BGO晶体固/液边界层及其两侧晶体和熔体的高温拉曼光谱,分析了BGO晶体生长固/液边界层以及边界层两侧晶体和熔体的结构特征。结果显示,桥氧键Bi-O-Ge和O-Bi-O在晶体和边界层中都存在,而在熔体中消失。说明[GeO4]和[BiO6]结构基团... 研究了BGO晶体固/液边界层及其两侧晶体和熔体的高温拉曼光谱,分析了BGO晶体生长固/液边界层以及边界层两侧晶体和熔体的结构特征。结果显示,桥氧键Bi-O-Ge和O-Bi-O在晶体和边界层中都存在,而在熔体中消失。说明[GeO4]和[BiO6]结构基团在晶体及边界层中都存在,边界层中的结构已接近晶体结构;但在熔体中[GeO4]结构基团和Bi3+却是两种独立的存在,长程有序的晶体结构消失。并首次报道了BGO晶体固/液边界层的厚度约为50μm。 展开更多
关键词 固/液边界层 高温拉曼光谱 bgo晶体 实时观测
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称重法生长 BGO 晶体时的反常行为
14
作者 路治平 赵天德 +1 位作者 洪慧聪 仲维卓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第1期59-63,共5页
本文从晶体生长的称重理论出发,分析了 BGO 晶体的称重偏差,计算了 BGO 熔体的材料常数及反常区的深度和宽度,解释了实验中出现的反常现象,并对反常区的克服进行了讨论。
关键词 称重法生长 晶体 bgo
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热液条件下BGO微晶粒结晶习性形成机理 被引量:1
15
作者 仲维卓 施尔畏 +1 位作者 夏长泰 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1995年第2期95-99,共5页
本文研究了热液条件下BGO(Bi_(12)GeO_(20).Bi_4Ge_3O_(12))微粒结晶习性形成机理。根据热液条件下晶体生长基元为负离子配位多面体结构的理论模型,设计了生长BGO晶粒时Bi-O_6八面体和G... 本文研究了热液条件下BGO(Bi_(12)GeO_(20).Bi_4Ge_3O_(12))微粒结晶习性形成机理。根据热液条件下晶体生长基元为负离子配位多面体结构的理论模型,设计了生长BGO晶粒时Bi-O_6八面体和Ge-O_4四面体的比例和生长工艺。制备出结晶完好的晶粒,提出Ge-O_4四面体结晶方位与各个面族之间的显露规律。Bi_(12)GeO_(20)晶体中{111}面族顽强显露,晶粒呈三次对称,表现出极性晶体的生长特征。Bi_4Ge_3O_(12)晶粒为五角二十四面体{321},呈球形,根据生长基元为Ge-O_4四面体和Bi-O_6八面体与晶粒各个面族上Ge-O_4四面体和Bi-O_6八面体连接的稳定性,解释了晶粒的结晶习性机理。 展开更多
关键词 结晶习性 晶体形貌 微晶粒 热液条件 bgo晶体
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BGO闪烁体电流前置放大器设计 被引量:1
16
作者 曹杨 胡传皓 +6 位作者 喻川 李雪刚 胡世敏 胡瑶函 段志强 白彬 曾国强 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2022年第1期94-99,共6页
设计了一款BGO探测器电流型前置放大器.其选用互阻型低噪声运算放大器,具有高增益,高输入阻抗、低噪声、宽频带的特性,采用该电流前置放大器对BGO探测器进行了能量响应测试以及能谱分辨率测试,通过对比不加该电流前置放大器的测试结果,... 设计了一款BGO探测器电流型前置放大器.其选用互阻型低噪声运算放大器,具有高增益,高输入阻抗、低噪声、宽频带的特性,采用该电流前置放大器对BGO探测器进行了能量响应测试以及能谱分辨率测试,通过对比不加该电流前置放大器的测试结果,得到如下结果:电流型前置放大器输出信号上升时间约为208 ns,脉宽约为1.6μs;对^(137)Cs(@0.662 MeV)源测量的信噪比由5.8∶1提高到7.3∶1,能量分辨率由13.378%提高到12.368%;对于^(60)Co(@1.17 MeV,@1.33 MeV)的峰半高宽为266道和234道. 展开更多
关键词 bgo晶体 发光产额 电流灵敏前置放大器 信噪比 能量分辨率
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BGO熔体急冷自发结晶形貌
17
作者 宋桂兰 姚冬敏 +2 位作者 齐雪君 袁兰英 仲维卓 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期955-959,共5页
本文研究了BGO熔体在急冷的条件下自发结晶的显露形貌。在急冷的条件下 ,组成BGO的各个面族自由发育。 { 3 2 1 }面族、{ 2 1 1 }面族和 { 1 1 1 }面族都是按 [GeO4]4-四面体以顶角相连的化学键链生长发育的 ,生长速度快 ,优先显露 ,在... 本文研究了BGO熔体在急冷的条件下自发结晶的显露形貌。在急冷的条件下 ,组成BGO的各个面族自由发育。 { 3 2 1 }面族、{ 2 1 1 }面族和 { 1 1 1 }面族都是按 [GeO4]4-四面体以顶角相连的化学键链生长发育的 ,生长速度快 ,优先显露 ,在熔体急冷时保留下来。表面形貌显露不完整的 { 1 0 0 }面族是 [GeO4]4-四面体以棱相连所对应的面族 ,生长速度较慢 ,尚未显露完全熔体就已冷却。从生长速度考虑 ,在实际生长晶体时以 [3 2 1 ]、[2 1 1 ]、[1 1 1 展开更多
关键词 熔体 急冷 结晶 组成 表面形貌 冷却 研究 四面体 化学键 BCO
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电子束和快中子对BGO晶体辐照损伤的研究
18
作者 吉桂芳 李翔 王传珊 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1995年第5期499-503,共5页
本文采用加速器电子束及14MeV快中子轰击BGO晶体,通过测辐照前后的γ能谱来研究BGO晶体辐照损伤.通常辐照损伤可随时间恢复,但大剂量快中子产生的损伤无法修复.由于BGO晶体常用作射线探测器,电子束和快中子是常用的... 本文采用加速器电子束及14MeV快中子轰击BGO晶体,通过测辐照前后的γ能谱来研究BGO晶体辐照损伤.通常辐照损伤可随时间恢复,但大剂量快中子产生的损伤无法修复.由于BGO晶体常用作射线探测器,电子束和快中子是常用的射线源,所以本实验的结果具有一定的参考价值. 展开更多
关键词 电子束 快中子 辐照损伤 锗酸铋晶体 探测器 bgo
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闪烁晶体——辐射探测用单晶
19
作者 殷之文 李培俊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期2-,共1页
Phosphor converts excitation energy into light,resulting in lumminescence.The luminescence caused by radiation is called scintillation.Since the discovery of the scintillation in NaI∶Tl crystal in 1948,a series of ma... Phosphor converts excitation energy into light,resulting in lumminescence.The luminescence caused by radiation is called scintillation.Since the discovery of the scintillation in NaI∶Tl crystal in 1948,a series of materials with profound scintillating characteristics have been developed and have found wide applications for radiation detection in different fields such as nuclear physics,high energy physics,medical diagnostic imaging,geophysics exploration,clandestine explosive finding and many industrial measuring systems. Inorganic scintillating crystals have superior characteristics over their organic counterparts and some kinds of ceramics,glasses and powders that do have their scintillation effects.We will confine ourselves mainly to inorganic scintillating crystals in this presentation.. 展开更多
关键词 scintillation crystal radiation detection NaI:Tl bgo crystal PWO crystal BaF 2 C sI:Tl
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110kV 无分压型光纤电压互感器的研制 被引量:14
20
作者 崔瑛 叶妙元 +4 位作者 陈志萍 周健鹰 欧朝龙 徐雁 李开成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期75-78,共4页
介绍一种新型的用于110kV以上高压光纤电压互感器的原理、系统及有关试验结果。它不用电容分压,以110kV以上的高电压直接加到BGO晶体上,采用硅橡胶复合绝缘瓷套作高压绝缘支撑,内充SF6绝缘气体。该互感器体积小、重... 介绍一种新型的用于110kV以上高压光纤电压互感器的原理、系统及有关试验结果。它不用电容分压,以110kV以上的高电压直接加到BGO晶体上,采用硅橡胶复合绝缘瓷套作高压绝缘支撑,内充SF6绝缘气体。该互感器体积小、重量轻、输入阻抗高,在80%~120%UH测量范围内,其相对误差在±0.2%以内;SF6压力在0.20~0.30MPa范围内变化时,其相对误差在±0.15%以内;运行稳定性在±0.3%以内;并通过了继电保护的动态模拟实验。 展开更多
关键词 光纤电压互感器 bgo晶体 泡克尔斯效应 互感器
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