一个分布式的网络PC/Linux系统及其在BES和BES-Ⅱ粲物理研究中的应用 被引量：1

1

作者 荣刚 何康林 +3 位作者 张少强 张达华 白景芝 薛生田 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期321-325,共5页

简要介绍了一个基于网络的小型 PC- PARM和一个分布式的 PC/ L inux机集群系统的组成 ,及其在 BES/ BES- 粲物理研究中的应用。利用此系统对 BES- 计划进行的ψ″(3770 ) D物理做了全面的蒙特卡罗模拟研究。利用 BES- 获取的 J/ψ数... 简要介绍了一个基于网络的小型 PC- PARM和一个分布式的 PC/ L inux机集群系统的组成 ,及其在 BES/ BES- 粲物理研究中的应用。利用此系统对 BES- 计划进行的ψ″(3770 ) D物理做了全面的蒙特卡罗模拟研究。利用 BES- 获取的 J/ψ数据 ,对此系统工作的稳定性、可靠性和对数据重建的可行性及重建能力进行了研究 ,其结果表明 ,利用廉价的 PC/ Linux机集群进行 BES/ BES- 数据的离线处理和物理分析完全可行 ,与 HP/ UNIX工作站集群对比 ,PC/ L 展开更多

关键词 Linux PC微机系统 NFS PC-FARM bes bes-ⅱ 粲介子物理研究 高能物理实验 数据处置 计算机应用

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π介子在BESⅢ探测器中的穿透效应

2

作者 夏宇 曾云 +23 位作者 马秋梅 马想 王大勇 邓子艳 尤郑昀 毛泽普 文硕频 王喆 刘怀民 汤睿 李卫东 张长春 邱进发 何苗 张学尧 张晓梅 张瑶 郑直 冒亚军 俞国威 袁野 黄性涛 蒋林立 臧石磊 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期100-104,共5页

用模拟软件GEANT 4对BESⅢ探测器中π介子的穿透效应进行了模拟,给出了不同动量的π介子在μ探测器中穿透效率。对π介子与μ轻子在μ探测器中的行为做了对比研究,从而为BESⅢ中π/μ鉴别提供帮助。

关键词 besⅢ探测器 GEANT4 穿透效应 粒子鉴别

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InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测技术 被引量：7

3

作者 陈建新 林春 何力 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第5期786-790,共5页

由于Ⅱ类超晶格探测器在红外成像探测技术上极大的应用价值和前景,对这一低维半导体结构的研究持续不衰。近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验。改变超晶格... 由于Ⅱ类超晶格探测器在红外成像探测技术上极大的应用价值和前景,对这一低维半导体结构的研究持续不衰。近年来,Ⅱ类超晶格探测器在国际上发展极为迅速,已经实现了高性能的中波和长波超晶格焦平面探测器并进行了成像试验。改变超晶格的周期,它的吸收截止波长可覆盖3-30μm的宽广范围。由于现代分子束外延材料生长技术,可以在单原子层的精度控制材料生长,因此截止波长由周期决定这一特性使得Ⅱ类超晶格探测器在实现红外焦平面均匀性方面独具优势。Ⅲ-Ⅴ族化合物材料与器件工艺的成熟性使得InAs/GaSb正成为一种很有竞争力的红外探测新技术。简要介绍了新型InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测技术,包括该技术的基本原理、材料生长、器件制备及其发展方向。 展开更多

关键词 ⅱ类超晶格 红外探测器 半导体

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阈探测器法测量Am-Be中子源屏蔽辐照腔内的中子能谱 被引量：5

4

作者 王松林 王琦 +5 位作者 徐小三 拓飞 兰长林 李永明 位金锋 孔祥忠 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期16-21,共6页

选用多种活化箔片作为阈探测器,测量了Am-Be中子源屏蔽辐照腔内的中子能谱。在待测中子场点对活化箔片进行辐照后,测量各箔片生成放射性核的γ放射性,计算出各箔片的实验比反应率。运用SAND-Ⅱ迭代方法,求解出Am-Be中子源屏蔽辐照腔内... 选用多种活化箔片作为阈探测器,测量了Am-Be中子源屏蔽辐照腔内的中子能谱。在待测中子场点对活化箔片进行辐照后,测量各箔片生成放射性核的γ放射性,计算出各箔片的实验比反应率。运用SAND-Ⅱ迭代方法,求解出Am-Be中子源屏蔽辐照腔内的中子能谱。详细分析了初始谱、能群划分、能群截面等对解谱准确度的影响。 展开更多

关键词 Am-be中子源 阈探测器 SAND-ⅱ

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Ⅱ类超晶格红外探测器的机理、现状与前景 被引量：11

5

作者 曾戈虹 史衍丽 庄继胜 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第6期311-314,共4页

近年来,锑基Ⅱ类超晶格红外探测器受到特别的关注,主要原因在于:锑化物Ⅱ类超晶格材料可能具有与碲镉汞相当的红外材料特性。根据Ⅱ类超晶格材料的基本特性、能带结构与电子空穴物理分离机理、美国3个主力联合研究团队的攻关现状,对Ⅱ... 近年来,锑基Ⅱ类超晶格红外探测器受到特别的关注,主要原因在于:锑化物Ⅱ类超晶格材料可能具有与碲镉汞相当的红外材料特性。根据Ⅱ类超晶格材料的基本特性、能带结构与电子空穴物理分离机理、美国3个主力联合研究团队的攻关现状,对Ⅱ类超晶格材料、器件的难点与前景进行分析。 展开更多

关键词 ⅱ类超晶格 Ⅰ类超晶格 碲镉汞 红外探测器

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基于ARM＋uC／OS-Ⅱ的超声波水煤浆粒度检测仪的设计 被引量：8

6

作者 王卫东 徐志强 王振 《工矿自动化》 北大核心 2008年第1期41-44,共4页

根据超声波在水煤浆中传播的声学特性的变化与水煤浆粒度之间的函数关系,基于低功耗32位嵌入式微处理器LPC2210与实时操作系统uC/OS-Ⅱ,文章提出了一种智能型水煤浆粒度快速检测仪的设计方案,并在测时电路里运用了锁相环技术,提高了超... 根据超声波在水煤浆中传播的声学特性的变化与水煤浆粒度之间的函数关系,基于低功耗32位嵌入式微处理器LPC2210与实时操作系统uC/OS-Ⅱ,文章提出了一种智能型水煤浆粒度快速检测仪的设计方案,并在测时电路里运用了锁相环技术,提高了超声传播时间的测量精确度。实际运行证明,该检测仪能满足实际测定水煤浆粒度的要求。 展开更多

关键词 水煤浆 粒度检测 超声波检测仪 ARM uC/OS-ⅱ

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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测技术研究进展 被引量：3

7

作者 刘武 陈建新 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期659-664,共6页

InAs/GaSb II类超晶格是一项新型的红外焦平面技术,其响应波长可以覆盖3-30μm的光谱范围,具有均匀性好、暗电流低和量子效率较高等优点,是最有希望的碲镉汞的替代技术。1987年,人们发现了其在红外探测领域的应用价值后,II类超晶格材料... InAs/GaSb II类超晶格是一项新型的红外焦平面技术,其响应波长可以覆盖3-30μm的光谱范围,具有均匀性好、暗电流低和量子效率较高等优点,是最有希望的碲镉汞的替代技术。1987年,人们发现了其在红外探测领域的应用价值后,II类超晶格材料和器件的研究获得了极大的关注,特别是近年来II类超晶格探测器的发展在国际上极为迅速,美欧等一些技术先进的国家已经获得了大规模、高性能的超晶格焦平面探测器并实现了清晰的实验室红外热成像。本文简要介绍该项新型红外探测技术的基本原理、技术特点、技术关键及其在国内外的发展趋势。 展开更多

关键词 II类超晶格(type II superlattice) 红外探测器 焦平面探测器

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北京谱仪-Ⅱ主漂移室干扰噪声的研究 被引量：2

8

作者 王运永 王少敏 +17 位作者 毛慧顺 刘荣光 宋晓非 李金 李卫国 李小南 李如柏 吕军光 张健 张德红 金艳 杨杰 黄俊东 柯尊建 高树琦 谢佩佩 顾建辉 颜洁 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期201-205,共5页

研究了北京谱仪－Ⅱ主漂移室干扰噪声（ｐｉｃｋ－ｕｐ噪声）的主要表现形式，分析了噪声的来源，提出了解决办法。

关键词 北京谱仪 主漂移室 pick-up噪声 干扰噪声

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InAs/(In)GaSbⅡ类超晶格红外探测器研究现状 被引量：5

9

作者 史衍丽 余连杰 田亚芳 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第11期621-626,共6页

InAs/GaSbⅡ类超晶格具有优越的材料性能,量子效率高,暗电流小,能带结构可调,在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对目前Ⅱ类超晶格红外焦平面在国外的发展状况、现有的材料技术、探测器技术以及潜在的应用进行了介绍,... InAs/GaSbⅡ类超晶格具有优越的材料性能,量子效率高,暗电流小,能带结构可调,在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对目前Ⅱ类超晶格红外焦平面在国外的发展状况、现有的材料技术、探测器技术以及潜在的应用进行了介绍,旨在尽快发展属于我国的第三代InAs/(In)GaSbⅡ类超晶格红外探测器技术。 展开更多

关键词 InAs/GaSb:ⅱ类超晶格 红外探测器 第三代焦平面

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InAs/GaSbⅡ型超晶格红外探测器的发展 被引量：1

10

作者 殷景志 高福斌 +4 位作者 汤艳娜 张天舒 刘驰 王一丁 杜国同 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期699-701,共3页

InAs/GaSbⅡ型超晶格具有特殊的能带结构,做成的探测器工作波长可覆盖3～30 μm,文中阐明了Ⅱ型超晶格探测器的工作机理,并综述了目前国外利用InAs/GaSbⅡ型超晶格能带结构的特殊性广泛开展对其材料和器件研究的新进展.

关键词 INAS/GASB ⅱ型超晶格 红外探测器

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Ⅱ型超晶格InAs／GaInSb红外探测材料

11

作者 殷景志 高福斌 +6 位作者 马艳 纪永成 赵强 王一丁 汤艳娜 索辉 杜国同 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期754-756,761,共4页

综述了近年来对InAs／GaInSb Ⅱ型超晶格材料的研究结果，给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。InAs／GaInSb Ⅱ型超晶格材料对应的工作波长范围在3—25μm，有望在LWIR和VLWIR方面替代HgCdTe。

关键词 InAs/GalnSb ⅱ型超晶格 红外 探测器

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浅析MRD-Ⅱ瑞利波探测仪使用中的几个问题 被引量：2

12

作者 戴新钰 赵存明 《煤田地质与勘探》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期17-20,共4页

ＭＲＤ—Ⅱ瑞利波探测仪，在我国煤炭行业的推广应用中越来越显示出在矿井地质短距离全方位探测的优越性。笔者从仪器原理出发，对资料获取、资料最终处理及误差分析中需注意的问题做了探讨，为提高探测精度提供了借鉴。

关键词 型瑞利波探测仪 矿井地质 地质勘探 煤矿

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T2SL红外探测器高量子效率机理的研究进展

13

作者 杨雪艳 孙童 +5 位作者 关晓宁 赵雅琪 张凡 张焱超 芦鹏飞 周峰 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期822-831,共10页

二类超晶格(T2SL)红外探测器灵敏度高、响应速度快,适用于更远距离成像、更高速度的运动目标追踪。量子效率(QE)是决定光电探测器能否高质量成像的关键指标之一,提高T2SL红外探测器的QE具有重要意义。为了更直观地理解T2SL红外探测器QE... 二类超晶格(T2SL)红外探测器灵敏度高、响应速度快,适用于更远距离成像、更高速度的运动目标追踪。量子效率(QE)是决定光电探测器能否高质量成像的关键指标之一,提高T2SL红外探测器的QE具有重要意义。为了更直观地理解T2SL红外探测器QE的提高方式,梳理了中长波T2SL红外探测器提高QE的方法,归纳了QE在不同调控手段下能达到的程度,重点讨论了能带结构设计、吸收层厚度设定、吸收层掺杂类型选择、材料改进等方面对T2SL红外探测器QE的影响情况,并对T2SL红外探测器高QE的研究现状和未来发展进行了展望。 展开更多

关键词 探测器 二类超晶格 量子效率 吸收层

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中/长波双色二类超晶格红外探测器技术 被引量：4

14

作者 刘铭 邢伟荣 +7 位作者 刘京生 周朋 李景峰 温涛 李海燕 张露漩 陈彦冠 胡雨农 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1843-1847,共5页

双波段红外探测器是第三代焦平面探测器发展的重要方向之一,二类超晶格材料由于其优异的光电性能而成为制备双色红外探测器的优选材料之一。本文报道中长波双色二类超晶格器件结构设计、材料外延、读出电路设计、芯片加工、组件化等方... 双波段红外探测器是第三代焦平面探测器发展的重要方向之一,二类超晶格材料由于其优异的光电性能而成为制备双色红外探测器的优选材料之一。本文报道中长波双色二类超晶格器件结构设计、材料外延、读出电路设计、芯片加工、组件化等方面研究进展,通过对刻蚀以及钝化工艺进行了优化,制备出性能良好的640×512中长双色二类超晶格红外探测器,主要指标实现像元中心间距20μm,读出方式同时读出,中波波段3.5~4.8μm,长波波段7.5~9.5μm,噪声等效温差中波28.8mK、长波38.8mK,响应率非均匀性中波4.52%、长波7.89%;盲元率中波1.2%、长波1.3%,并完成成像演示,成像质量良好,为双色红外探测器工程化应用奠定了基础。 展开更多

关键词 中长双色 二类超晶格 红外探测 成像演示

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第三代红外探测器的发展与选择 被引量：65

15

作者 史衍丽 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第1期1-8,共8页

随着军事应用对高性能、低成本红外技术的需求,红外探测器像元数目从少于100元的一代发展到10万元中等规模的二代,到百万像素的三代,何谓第三代?在众多的材料和器件中,可作为第三代红外探测器的材料以及器件有哪些?在红外探测器技术飞... 随着军事应用对高性能、低成本红外技术的需求,红外探测器像元数目从少于100元的一代发展到10万元中等规模的二代,到百万像素的三代,何谓第三代?在众多的材料和器件中,可作为第三代红外探测器的材料以及器件有哪些?在红外探测器技术飞速发展的今天,我们该作如何的选择?结合以上问题,对当前国际上作为第三代红外探测器选择的碲镉汞、量子阱以及Ⅱ类超晶格探测器材料、器件进行了分析,总结了第三代红外探测器的特征,为国内第三代红外探测器的发展提供选择与参考。 展开更多

关键词 第三代红外探测器 碲镉汞 量子阱 ⅱ类超晶格

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一种新型矿井通风参数综合检测仪的研制 被引量：1

16

作者 曹现刚 《工矿自动化》 2009年第7期4-6,共3页

针对矿井通风安全技术管理中风阻测定方法繁杂、误差大、分析困难等问题,文章提出了一种新型便携式矿井通风参数综合检测仪的设计方案。该检测仪采用STM32F103VB芯片作为主控制器、采用电池供电方式,具有液晶屏、大容量存储器、键盘和... 针对矿井通风安全技术管理中风阻测定方法繁杂、误差大、分析困难等问题,文章提出了一种新型便携式矿井通风参数综合检测仪的设计方案。该检测仪采用STM32F103VB芯片作为主控制器、采用电池供电方式,具有液晶屏、大容量存储器、键盘和通信接口,可采集矿井巷道压力、温度、湿度、风速、瓦斯浓度等参数,并可记录巷道编号、支护形式等巷道信息。试运行结果表明,该检测仪性能稳定、动作可靠、测量准确。 展开更多

关键词 矿井 通风参数 检测仪 μC/OS-ⅱ STM32F103VB

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InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性

17

作者 黄亮 李志锋 +2 位作者 周易 陈建新 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期166-171,共6页

报道了InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性.通过对p-b-i-n二类超晶格探测器对皮秒脉冲激发的瞬态响应特性的分析及拟合,获得了器件的表观少数载流子的寿命.并对不同尺寸台面结构单元器件进行测试分析,发现少数载流子寿命... 报道了InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的瞬态光伏响应特性.通过对p-b-i-n二类超晶格探测器对皮秒脉冲激发的瞬态响应特性的分析及拟合,获得了器件的表观少数载流子的寿命.并对不同尺寸台面结构单元器件进行测试分析,发现少数载流子寿命随着台面面积的增大而增大,归结为由于侧壁表面效应带来的影响.所测器件的少数载流子为空穴,其表观寿命约为2~12 ns. 展开更多

关键词 InAs/GaSb二类超晶格 瞬态特性 红外探测器

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新型Sb基二类超晶格红外探测器

18

作者 史衍丽 何雯瑾 +8 位作者 张卫锋 王羽 袁俊 莫境辉 冯江敏 胡锐 邓功荣 徐应强 牛智川 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期3141-3144,共4页

InAs/Ga(In)SbⅡ类超晶格材料由于特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率;另外,通过调节材料参数调节能带结构,器件响应波段可调;通过能带结构设计抑制俄歇复合,获得较小的暗电流... InAs/Ga(In)SbⅡ类超晶格材料由于特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率;另外,通过调节材料参数调节能带结构,器件响应波段可调;通过能带结构设计抑制俄歇复合,获得较小的暗电流和较高的器件性能。因为以上特有的材料性能和器件特性,Sb基二类超晶格在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对二类超晶格材料的设计和器件特性进行了研究,设计了峰值波长4μm的nBn结构的中波红外探测器,在没有蒸镀抗反膜的条件下,77 K温度下测试得到的峰值探测率为2.4×1011cm Hz1/2W-1,计算得到的量子效率为47.8%,峰值探测率已经接近目前的碲镉汞中波红外探测器器件性能。研究结果充分显示了二类超晶格优越的材料和器件性能。 展开更多

关键词 INAS Ga(In)Sb ⅱ类超晶格 NBN 第三代红外探测器 探测率 量子效率

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以色列SCD公司的Ⅲ-Ⅴ族红外探测器研究进展 被引量：14

19

作者 李俊斌 李东升 +6 位作者 杨玉林 常超 覃钢 杨晋 周旭昌 杨春章 李艳辉 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期936-945,共10页

Ⅲ-Ⅴ族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色,近年来越来越受到人们的瞩目,特别是InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要回顾了以色列SCD公司在Ⅲ-Ⅴ族红外探测器的研究历程。重点总结了SC... Ⅲ-Ⅴ族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色,近年来越来越受到人们的瞩目,特别是InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要回顾了以色列SCD公司在Ⅲ-Ⅴ族红外探测器的研究历程。重点总结了SCD关于InAs SbnBn中波高温探测器和InAs/GaSb二类超晶格pBp长波探测器中的研发。 展开更多

关键词 SCD公司 Ⅲ-Ⅴ红外探测器 二类超晶格 InAsSb中波高温探测器 pBp长波探测器

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nBn红外探测器研究进展 被引量：3

20

作者 石倩 张书魁 +1 位作者 王建禄 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期139-150,共12页

nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度。由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在,基于Ⅲ-Ⅴ化合物(包括二类超晶格材料)的nBn红外探测器得到了快速发展。通过理论模拟,基于H... nBn红外探测器旨在消除肖特基-里德-霍尔产生复合电流,这将有效降低器件的暗电流并提高工作温度。由于制造工艺的兼容性和晶格匹配的衬底的存在,基于Ⅲ-Ⅴ化合物(包括二类超晶格材料)的nBn红外探测器得到了快速发展。通过理论模拟,基于HgCdTe材料的nBn红外探测器也能有效抑制暗电流。然而,去除价带势垒的困难阻碍了HgCdTe nBn器件的发展。本综述将阐述nBn探测器抑制暗电流的物理机制,并介绍nBn探测器在不同材料体系中的发展现状和趋势。 展开更多

关键词 nBn红外探测器 Sb基Ⅲ-Ⅴ族半导体 二类超晶格 碲镉汞

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