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GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响被引量：1: 1; 作者梁海莲董树荣 +2 位作者顾晓峰李明亮韩雁《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页; 栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar... 展开更多; 关键词栅接地N型金属氧化物半导体场效应晶体管静电放电双极型-互补型金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺叉指金属布线失效电流; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现: 2; 作者韩成功郭清 +3 位作者韩雁张斌张世峰胡佳贤《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期436-440,共5页; 对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process c... 展开更多; 关键词高压P沟道金属氧化物场效应晶体管半导体工艺及器件模拟工具等离子扫描驱动芯片双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片被引量：1: 3; 作者黄伟胡南中 +1 位作者李海鸥于宗光《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1858-1862,共5页; 本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺... 展开更多; 关键词 bcd(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体) 场致发光自提取结终端高低侧全桥驱动; 在线阅读下载PDF 职称材料

三种低压高速低耗BiCMOS三态逻辑门被引量：5: 4; 作者成立王振宇 +1 位作者张兵武小红《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期166-170,共5页; 采用0.35μm BiCMOS工艺技术，设计了三种高性能的BiCMOS三态逻辑门电路，并提出了改进三态门电路结构和优化器件参数的方法和措施。仿真和实验结果表明．所优化设计的BiCMOS三态门的电源电压均小于3.3V，工作速度比常用的CMOS三态门快... 展开更多; 关键词超大规模集成电路双极互补金属氧化物半导体器件三态逻辑门电路数字逻辑单元延迟-功耗积; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计被引量：5: 5; 作者王鹏徐青 +1 位作者杭丽付晓君《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第6期-,共5页; 在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的... 展开更多; 关键词抗辐射加固金属氧化物半导体场效应管驱动器高压集成电路(IC) 双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺; 在线阅读下载PDF 职称材料

应用于802.11ac的SiGe BiCMOS低噪声放大器被引量：2: 6; 作者魏启迪林俊明 +1 位作者章国豪陈亮《电子技术应用》 2018年第7期42-45,51,共5页; 基于IBM 0.36μm SiGe BiCMOS工艺设计应用于802.11ac的全集低噪声放大器,工作频段为5~6 GHz,且带有旁路功能。低噪声放大器的主体电路采用单端发射极电感负反馈结构。模拟结果显示,在工作电压为5 V的情况下,当低噪声放大器工作时,HBT... 展开更多; 关键词低噪声放大器 802.11ac 锗化硅双极-互补金属氧化物半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究: 7; 作者肖胜安刘鹏 +3 位作者季伟王雷陈帆钱文生《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期346-350,385,共6页; 研究了0.18μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果。; 关键词锗硅双极-互补金属氧化物半导体锗硅异质结双极晶体管; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响被引量：1: 1; 作者梁海莲董树荣顾晓峰李明亮韩雁; 机构轻工过程先进控制教育部重点实验室浙江大学微电子与光电子研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期194-198,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11074280 61171038 +3 种基金 61150110485) JUDCF12032); 文摘栅接地NMOS(GGNMOS)器件具有与CMOS工艺兼容的制造优势,广泛用于静电放电(ESD)保护。鉴于目前GGNMOS的叉指宽度、叉指数及金属布线方式等外部因素对ESD鲁棒性的影响研究较少,设计了不同的实验对此开展对比分析。首先,基于0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计并制备了一系列GGNMOS待测器件;其次,通过传输线脉冲测试,分析了叉指宽度与叉指数对GGNMOS器件ESD失效电流(It2)的影响,结果表明,在固定总宽度下适当减小叉指宽度有利于提高It2;最后,比较了平行式与交错式两种金属布线方案对It2的影响,结果表明,平行式金属布线下GGNMOS器件的ESD鲁棒性更好。; 关键词栅接地N型金属氧化物半导体场效应晶体管静电放电双极型-互补型金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体工艺叉指金属布线失效电流; Keywords GGNMOS ESD BeD process finger metal routing failure current; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现: 2; 作者韩成功郭清韩雁张斌张世峰胡佳贤; 机构浙江大学微电子与光电子研究所; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期436-440,共5页; 基金浙江省科技计划资助项目(2004C31094); 文摘对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。; 关键词高压P沟道金属氧化物场效应晶体管半导体工艺及器件模拟工具等离子扫描驱动芯片双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺; Keywords HV-PMOS TCAD PDP scan driver IC bcd process; 分类号 TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片被引量：1: 3; 作者黄伟胡南中李海鸥于宗光; 机构中国电子科技集团公司第五十八研究所桂林电子科技大学信息与通信学院; 出处《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1858-1862,共5页; 基金国家自然科学基金(No.61274077) 江苏省自然科学基金(No.BK2011173 No.BK20120094); 文摘本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO(P型隔离结构)传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDNMOS/LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI(微光显微镜)等寄生现象出现.; 关键词 bcd(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体) 场致发光自提取结终端高低侧全桥驱动; Keywords bipolar-CMOS-DMOS（bcd） electroluminescent lamps（EL） self-extracted JTE french（SEJTET） full-bridge; 分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名三种低压高速低耗BiCMOS三态逻辑门被引量：5: 4; 作者成立王振宇张兵武小红; 机构江苏大学电气与信息工程学院; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期166-170,共5页; 基金江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005) 江苏大学高级人才启动项目(1283000149); 文摘采用0.35μm BiCMOS工艺技术，设计了三种高性能的BiCMOS三态逻辑门电路，并提出了改进三态门电路结构和优化器件参数的方法和措施。仿真和实验结果表明．所优化设计的BiCMOS三态门的电源电压均小于3.3V，工作速度比常用的CMOS三态门快约5倍。功耗在60MHz下仅高出约2．2～3．7mW．而延迟一功耗积却比该常用的CMOS三态门平均降低了38．1％，因此它们特别适用于低压、高速、低功耗的数字系统。; 关键词超大规模集成电路双极互补金属氧化物半导体器件三态逻辑门电路数字逻辑单元延迟-功耗积; Keywords VLSI BiCMOS device tristate logic gate digital logic unit delay-consumption product; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计被引量：5: 5; 作者王鹏徐青杭丽付晓君; 机构中国电子科技集团公司第; 出处《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第6期-,共5页; 文摘在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。; 关键词抗辐射加固金属氧化物半导体场效应管驱动器高压集成电路(IC) 双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体工艺; Keywords radiation hardening Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Driver high- voltage Integrated Circuit Bipolar-Complementary Metal Oxide Semiconductor-Double-Diffused Metal-Oxide Semiconductor; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名应用于802.11ac的SiGe BiCMOS低噪声放大器被引量：2: 6; 作者魏启迪林俊明章国豪陈亮; 机构广东工业大学信息工程学院中国电子科技集团公司第五十五研究所南京国博电子有限公司; 出处《电子技术应用》 2018年第7期42-45,51,共5页; 基金国家自然科学基金(61574049); 文摘基于IBM 0.36μm SiGe BiCMOS工艺设计应用于802.11ac的全集低噪声放大器,工作频段为5~6 GHz,且带有旁路功能。低噪声放大器的主体电路采用单端发射极电感负反馈结构。模拟结果显示,在工作电压为5 V的情况下,当低噪声放大器工作时,HBT低噪声放大器工作稳定,常温下,整体的噪声系数为2.2 dB@5.5 GHz,小信号增益为13.3 dB,旁路噪声系数为7.2 dB@5.5 GHz,插入损耗为6.8 dB。当输入总功率为0 dBm的双音信号(-3 dBm/tone)时,输入三阶交调点约为10.2 dBm。; 关键词低噪声放大器 802.11ac 锗化硅双极-互补金属氧化物半导体; Keywords LNA 802.11ac SiGe BiCMOS; 分类号 TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究: 7; 作者肖胜安刘鹏季伟王雷陈帆钱文生; 机构上海华虹NEC电子有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期346-350,385,共6页; 基金国家科技重大专项支持项目(2009ZX02303); 文摘研究了0.18μm SiGe BiCMOS中的核心器件SiGe HBT的关键制造工艺,包括集电极的形成、SiGe基区的淀积、发射极窗口的形成、发射极多晶的淀积、深孔刻蚀等,指出了这些制造工艺的难点和问题,提出了解决办法,并报导了解决相关难题的实验结果。; 关键词锗硅双极-互补金属氧化物半导体锗硅异质结双极晶体管; Keywords SiGe BiCMOS SiGe HBT; 分类号 TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响	梁海莲董树荣顾晓峰李明亮韩雁	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现	韩成功郭清韩雁张斌张世峰胡佳贤	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片	黄伟胡南中李海鸥于宗光	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	三种低压高速低耗BiCMOS三态逻辑门	成立王振宇张兵武小红	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2006	5	在线阅读下载PDF 职称材料
5	一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计	王鹏徐青杭丽付晓君	《太赫兹科学与电子信息学报》	2016	5	在线阅读下载PDF 职称材料
6	应用于802.11ac的SiGe BiCMOS低噪声放大器	魏启迪林俊明章国豪陈亮	《电子技术应用》	2018	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	SiGe BiCMOS工艺中HBT的关键制造工艺研究	肖胜安刘鹏季伟王雷陈帆钱文生	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2012	0	在线阅读下载PDF 职称材料