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题名双极大功率晶体管背面工艺优化
被引量：1
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作者
霍彩红
潘宏菽
刘相伍
程春红
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期605-608,632,共5页
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文摘
针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。
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关键词
双极大功率晶体管
背面减薄工艺
背面金属化前清洗工艺
bc正向压降
非均匀性
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Keywords
bipolar power transistor
back thinning process
cleaning process before the backmetallization
bc forward voltage drop
non uniformity
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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