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HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法
1
作者
翁彬
周松敏
+3 位作者
王溪
陈奕宇
李浩
林春
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期54-59,共6页
报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区...
报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致.
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关键词
HGCDTE
激光束诱导电流
Ⅰ-Ⅴ测试
b
+
离子注入
干法刻蚀
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职称材料
题名
HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法
1
作者
翁彬
周松敏
王溪
陈奕宇
李浩
林春
机构
中国科学院上海技术物理研究所
上海科技大学
中国科学院大学
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第1期54-59,共6页
基金
中国科学院国防科技创新基金项目(国防实验基金)~~
文摘
报道了液氮温度下激光束诱导电流(LBIC)和I-V测试两种在HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法.通过LBIC和I-V测试,发现了p型HgCdTe材料中由B+离子注入成结和干法刻蚀成结对材料造成的损伤使得有效结区范围大于注入和刻蚀面积,并获得n区横向扩展.同时,通过对比,相互印证两种方法得到的测试结果一致.
关键词
HGCDTE
激光束诱导电流
Ⅰ-Ⅴ测试
b
+
离子注入
干法刻蚀
Keywords
HgCdTe, laser
b
eam induced current, Ⅰ-Ⅴ test,
b
oron ion implantation, dry etching
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HgCdTe器件中pn结结区扩展的表征方法
翁彬
周松敏
王溪
陈奕宇
李浩
林春
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
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