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液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究被引量：3: 1; 作者胡尚正郭明珠 +5 位作者刘铭吴卿折伟林杨海燕孙浩周立庆《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期838-841,共4页; 通过液相外延方法,在碲锌镉衬底上制备了原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料,采用金相显微镜、X光双晶衍射仪、二次离子质谱仪、Hall测试、少子寿命测试等手段对Au掺杂的碲镉汞薄膜材料进行了表征,外延片的表面形貌、晶格质量等和常规的碲镉汞外... 展开更多; 关键词碲镉汞液相外延 au掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究被引量：1: 2; 作者宋林伟孔金丞 +5 位作者赵鹏姜军李雄军方东杨超伟舒畅《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第4期1-8,共8页; 昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了... 展开更多; 关键词 au掺杂暗电流长波红外碲镉汞(HgCdTe) 焦平面; 在线阅读下载PDF 职称材料

Au掺杂HgCdTe材料的光电特性被引量：1: 3; 作者魏彦锋孙权志 +1 位作者张娟孙瑞赟《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第4期30-36,共7页; Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度。采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料,Au的掺杂浓度为~8×10^(15)/cm^(3),... 展开更多; 关键词 HgCdTe液相外延 au掺杂少子扩散长度; 在线阅读下载PDF 职称材料

真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响被引量：1: 4; 作者王溪周松敏 +3 位作者孙常鸿魏彦峰沈灏林春《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期399-402,共4页; 对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现,退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态,使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后,真空条件下退火,240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变... 展开更多; 关键词 au掺杂HgCdTe 电子束蒸发CdTe 退火载流子浓度 au分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

Au掺杂CNT吸附NO的第一性原理研究被引量：6: 5; 作者刘扬安立宝龚亮《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第5期761-767,共7页; 碳纳米管(CNT)对于气体有超强的敏感性,可用于制备基于CNT的有害气体传感器.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理研究Au掺杂CNT对NO和O_2的吸附特性.对吸附能、最终吸附距离、电荷转移量、态密度等的分析显示,Au掺杂使得CNT与NO间的... 展开更多; 关键词碳纳米管 au掺杂气敏材料 NO 第一性原理; 在线阅读下载PDF 职称材料

碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展: 6; 作者郝斐曹鹏飞 +1 位作者杨海燕吴卿《红外》 CAS 2021年第2期15-20,28,共7页; 碲镉汞材料是制造红外探测器的基础,高性能红外探测器对碲镉汞材料的要求越来越高。为了提升器件性能,必须提高碲镉汞材料的电学性能。而掺杂是一个很好的选择。碲镉汞材料掺杂可以分为n型和p型两种。对于n型掺杂来说,In是一种理想的掺... 展开更多; 关键词碲镉汞 Hg空位掺杂 au掺杂 As掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究被引量：1: 7; 作者王仍焦翠灵 +4 位作者张莉萍陆液张可锋杜云辰李向阳《红外》 CAS 2016年第10期1-6,16,共7页; 通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)技术分析了Au在Hg_(1-x)Cd_xTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分... 展开更多; 关键词 Hg_(1-x)Cd_xTe晶体二次离子质谱气相外延 au掺杂杂质; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究被引量：3: 1; 作者胡尚正郭明珠刘铭吴卿折伟林杨海燕孙浩周立庆; 机构华北光电技术研究所; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期838-841,共4页; 文摘通过液相外延方法,在碲锌镉衬底上制备了原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料,采用金相显微镜、X光双晶衍射仪、二次离子质谱仪、Hall测试、少子寿命测试等手段对Au掺杂的碲镉汞薄膜材料进行了表征,外延片的表面形貌、晶格质量等和常规的碲镉汞外延材料基本相当,少子寿命较常规材料提高至少一个量级,芯片R_0A提高至少5倍,并成功制备出了截止波长为10μm的256×256探测器芯片,响应率非均匀性为2.85%,有效像元率为99.2%。; 关键词碲镉汞液相外延 au掺杂; Keywords HgCdTe LPE au doping; 分类号 TN213 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究被引量：1: 2; 作者宋林伟孔金丞赵鹏姜军李雄军方东杨超伟舒畅; 机构昆明物理研究所; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第4期1-8,共8页; 文摘昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了363Ω·cm^(2)(λ_(cutoff)=10.5μm@80 K),器件暗电流较本征汞空位n-on-p型器件降低了一个数量级以上。研制的非本征Au掺杂长波探测器经历了超过7年的时间贮存,性能无明显变化,显示了良好的长期稳定性。基于Au掺杂碲镉汞探测器技术,昆明物理研究所实现了256×256(30μm pitch)、640×512(25μm pitch)、640×512(15μm pitch)、1024×768(10μm pitch)等规格的长波探测器研制和批量能力,实现了非本征Au掺杂长波碲镉汞器件系列化发展。; 关键词 au掺杂暗电流长波红外碲镉汞(HgCdTe) 焦平面; Keywords au-doped dark current long wavelength IR(LWIR) HgCdTe focal plane arrays(FPAs); 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Au掺杂HgCdTe材料的光电特性被引量：1: 3; 作者魏彦锋孙权志张娟孙瑞赟; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第4期30-36,共7页; 文摘 Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和少子扩散长度。采用液相外延技术生长了Au掺杂的HgCdTe外延材料,Au的掺杂浓度为~8×10^(15)/cm^(3),通过富Hg退火技术来抑制材料中的Hg空位,Hg空位的浓度控制在1~2×10^(15)/cm^(3)。变温霍尔测试表明,退火材料中的受主杂质能级为8~12 meV,并且与退火条件相关。采用Au掺杂材料和离子注入成结工艺制备了截止波长为14μm的甚长波红外焦平面器件,测试结果显示,用Au掺杂取代Hg空位掺杂,可以显著提高红外探测器的光响应率,探测器的内量子效率可以达到95%以上。; 关键词 HgCdTe液相外延 au掺杂少子扩散长度; Keywords liquid phase epitaxy of HgCdTe au-doping diffusion length of minority carrier; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响被引量：1: 4; 作者王溪周松敏孙常鸿魏彦峰沈灏林春; 机构中国科学院大学中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期399-402,共4页; 基金国家自然科学基金(61705247)~~; 文摘对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现,退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态,使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后,真空条件下退火,240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变不大,Au掺杂的浓度几乎不变.但是,温度的不同会对汞空位的浓度产生显著的影响,因此退火温度不同会使载流子浓度明显不同.退火温度从240℃升高至300℃后,霍尔测试得到的载流子浓度从2×10^(16)cm^(-3)左右升高至5.5×1016cm^(-3)左右.; 关键词 au掺杂HgCdTe 电子束蒸发CdTe 退火载流子浓度 au分布; Keywords au doped HgCdTe electron beam evaporation CdTe annealing carrier concentration distribution of au; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Au掺杂CNT吸附NO的第一性原理研究被引量：6: 5; 作者刘扬安立宝龚亮; 机构华北理工大学机械工程学院; 出处《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第5期761-767,共7页; 基金国家自然科学基金(51472074 51172062) +1 种基金华北理工大学研究生创新项目(2017S26); 文摘碳纳米管(CNT)对于气体有超强的敏感性,可用于制备基于CNT的有害气体传感器.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理研究Au掺杂CNT对NO和O_2的吸附特性.对吸附能、最终吸附距离、电荷转移量、态密度等的分析显示,Au掺杂使得CNT与NO间的交互作用明显增强,其中N原子端靠近CNT交互作用更强.禁带宽度和电荷密度分析表明,相比于NO分子中O原子端或者O2吸附,NO分子中N原子端与CNT发生交互作用会使体系导电性变化更为明显.说明Au掺杂能够很好地屏蔽空气中O_2对CNT导电性的影响,Au掺杂CNT作为NO气敏材料是可行的.; 关键词碳纳米管 au掺杂气敏材料 NO 第一性原理; Keywords CNT au doping Gas sensing material NO First principles; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展: 6; 作者郝斐曹鹏飞杨海燕吴卿; 机构华北光电技术研究所; 出处《红外》 CAS 2021年第2期15-20,28,共7页; 基金陕西省教育厅重点实验室科研计划项目(17JS105)、西安石油大学研究生创新与实践能力培养计划项目(YCS19212066)。; 文摘碲镉汞材料是制造红外探测器的基础,高性能红外探测器对碲镉汞材料的要求越来越高。为了提升器件性能,必须提高碲镉汞材料的电学性能。而掺杂是一个很好的选择。碲镉汞材料掺杂可以分为n型和p型两种。对于n型掺杂来说,In是一种理想的掺杂剂,其掺杂研究目前已比较成熟。相对而言,p型掺杂研究还不是那么深入。Hg空位、Au、As掺杂均为碲镉汞材料中常见的p型掺杂手段。通过分析和总结近些年的部分相关文献,介绍了碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展。; 关键词碲镉汞 Hg空位掺杂 au掺杂 As掺杂; Keywords HgCdTe Hg vacancy doping au doping As doping; 分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究被引量：1: 7; 作者王仍焦翠灵张莉萍陆液张可锋杜云辰李向阳; 机构中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室; 出处《红外》 CAS 2016年第10期1-6,16,共7页; 基金国家自然科学基金项目(61106097 61204134 +2 种基金 11304335) 中国载人空间站工程(TGJZ800-2-RW024); 文摘通过气相外延技术生长了Au掺杂的Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料。利用傅里叶光谱仪和金相显微镜对外延材料进行了表征。通过二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)技术分析了Au在Hg_(1-x)Cd_xTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势。利用SIMS技术还分析了Ⅰ、Ⅱ族和Ⅵ、Ⅶ族杂质在Hg_(1-x)Cd_xTe外延层以及CdZnTe衬底中的纵向分布趋势,发现衬底和外延层的过渡区具有吸杂作用。研究结果对提高探测器的性能具有指导意义。; 关键词 Hg_(1-x)Cd_xTe晶体二次离子质谱气相外延 au掺杂杂质; Keywords Hg_（1-x）Cd_xTe crystal secondary ion mass spectroscopy（SIMS） vapor phase epitaxial method au-doped impurity; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究	胡尚正郭明珠刘铭吴卿折伟林杨海燕孙浩周立庆	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2017	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究	宋林伟孔金丞赵鹏姜军李雄军方东杨超伟舒畅	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Au掺杂HgCdTe材料的光电特性	魏彦锋孙权志张娟孙瑞赟	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2021	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响	王溪周松敏孙常鸿魏彦峰沈灏林春	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	Au掺杂CNT吸附NO的第一性原理研究	刘扬安立宝龚亮	《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心	2018	6	在线阅读下载PDF 职称材料
6	碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展	郝斐曹鹏飞杨海燕吴卿	《红外》 CAS	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究	王仍焦翠灵张莉萍陆液张可锋杜云辰李向阳	《红外》 CAS	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料