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添加Al对Cu基合金非晶形成能力影响的团簇模型 被引量:6
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作者 朱健 齐民 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1145-1148,共4页
在二元Cu-Zr合金中添加Al元素可明显提高合金的非晶形成能力。根据非晶与其晶化相存在结构遗传关系,以Cu-Zr基非晶晶化相Cu10Zr7中的Cu6Zr5阿基米德反棱柱为团簇模型,利用离散变分方法从电子层次研究了Al元素对Cu基非晶合金团簇稳定性... 在二元Cu-Zr合金中添加Al元素可明显提高合金的非晶形成能力。根据非晶与其晶化相存在结构遗传关系,以Cu-Zr基非晶晶化相Cu10Zr7中的Cu6Zr5阿基米德反棱柱为团簇模型,利用离散变分方法从电子层次研究了Al元素对Cu基非晶合金团簇稳定性的影响。结果表明:当团簇中加入一个Al原子时,Fermi能级处的态密度明显降低,团簇稳定性提高;但继续加入Al原子,Fermi能级处的态密度又开始上升,态密度处于较高位置,团簇稳定性下降;计算结果与实验结果相吻合。 展开更多
关键词 CU基非晶合金 团簇模型 离散变分 原子亲和力 态密度
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非晶硅短程序与电子结构关系的量子化学研究
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作者 张瑞勤 戴国才 +1 位作者 关大任 蔡政亭 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 1988年第6期608-611,共4页
本支通过对Si_(29)无规网络原子簇模型的CNDO计算,探讨了非晶硅(a-Si)结构短程序对其电子态密度(DOS)分布的影响。结果表明,在与实验原子径向分布函数(RDF)基本相同的条件下,a-Si模型中的键角和二面角是影响电子态密度分布的主要参数。
关键词 连续无规网络 结构短程序 径向分布函数 非晶硅原子簇模型 电子态密度
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半导体Fe-Si非晶薄膜的成分解析及设计 被引量:2
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作者 张君仪 李晓娜 +3 位作者 利助民 毕林霞 郑月红 董闯 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期39-47,共9页
β-FeSi2作为直接带隙半导体,具有较大的光吸收系数和较高的理论光(热)电转换效率,是一种理想的光(热)电材料。首先综述了目前β-FeSi2材料的研究及应用现状,为了回避单相β-FeSi2制备困难及失配等瓶颈问题,提出了制备具有相似性能的Fe... β-FeSi2作为直接带隙半导体,具有较大的光吸收系数和较高的理论光(热)电转换效率,是一种理想的光(热)电材料。首先综述了目前β-FeSi2材料的研究及应用现状,为了回避单相β-FeSi2制备困难及失配等瓶颈问题,提出了制备具有相似性能的Fe-Si非晶薄膜是有效的解决方法。局域(近程序)结构是决定非晶性能的主要因素,针对非晶薄膜成分、局域结构及性能的对应性研究至关重要。基于此,概述了在"团簇+连接原子"模型指导下,依据实验性能分区和团簇理论解析建立的Fe-Si非晶薄膜成分、局域结构及性能关联;概述了现有晶态和非晶态材料研究中添加元素的原子占位情况,并以此为基础讨论了多组元化对薄膜非晶形成能力及半导体性能的影响。结果证实"团簇+连接原子"模型对Fe-Si非晶薄膜局域结构解析及多组元化成分设计是十分有效的。通过精确成分设计可在较大成分范围内实现薄膜半导体性能可调,为廉价近红外探测和全太阳光谱覆盖提供良好候选材料。最后,展望了Fe-Si非晶薄膜的研究及应用前景。 展开更多
关键词 Fe-Si非晶薄膜 “团簇+连接原子”模型 Β-FESI2 直接带隙 成分设计
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