急性砷化氢中毒及其血液净化治疗—附5例临床报告 被引量：7

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作者 李雄 袁飞远 +3 位作者 邱发麒 李列平 曹力生 马艳 《中国血液净化》 2003年第12期675-676,共2页

关键词 砷化氢 急性中毒 血液净化 治疗 临床资料 ash3 血液透析

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裂解气中NO,AsH_3,COS等杂质的色/质联用测定研究 被引量：2

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作者 郑永杰 李英杰 +1 位作者 张维冰 吕自立 《色谱》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期338-340,共3页

以气相色谱 /质谱 (GC/MS)的选择离子监测 (SIM )测定方式对裂解气中的一氧化氮、砷化氢、羰基硫、硫醚、硫醇等杂质进行了测定。针对一氧化碳、二氧化碳、乙烷、乙烯及氮气对一氧化氮测定的干扰 ,分别采取色谱分离和扣除响应的方法对... 以气相色谱 /质谱 (GC/MS)的选择离子监测 (SIM )测定方式对裂解气中的一氧化氮、砷化氢、羰基硫、硫醚、硫醇等杂质进行了测定。针对一氧化碳、二氧化碳、乙烷、乙烯及氮气对一氧化氮测定的干扰 ,分别采取色谱分离和扣除响应的方法对其予以排除。考察了裂解工艺气物流对所选择离子的测定的干扰情况。对实际工艺气中的上述杂质进行了测定 ,结果一氧化氮的检出限为 10 0nL/L。 展开更多

关键词 气相色谱/质谱联用 裂解气 一氧化氮 杂质 砷化氢 ash3 COS 羰基硫 测定 分析

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氯金酸试纸分光光度法测定水中砷 被引量：4

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作者 左本成 刘蓉 王喜明 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 1987年第11期975-977,共3页

用氢化物发生法测定水中砷已有很多报道[1-3],本文用类似古蔡氏法测砷的氢化物发生装置[4],使AsH3与涂在滤纸上的HAuCl_(4)反应,生成不溶于水的AuAs沉淀,固定蓝紫色圆形斑点的表面积,用纸上双波长分光光度技术测定吸光度[5,6]。本方法... 用氢化物发生法测定水中砷已有很多报道[1-3],本文用类似古蔡氏法测砷的氢化物发生装置[4],使AsH3与涂在滤纸上的HAuCl_(4)反应,生成不溶于水的AuAs沉淀,固定蓝紫色圆形斑点的表面积,用纸上双波长分光光度技术测定吸光度[5,6]。本方法灵敏度高,精密度较好,设备简单,操作方便,检出限为10ng/ml,相对标准偏差小于4%。 展开更多

关键词 氢化物发生装置 氢化物发生法 方法灵敏度 氯金酸 吸光度 分光光度法测定 ash3 蓝紫色

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电石气中AsH_3的存在及其脱除的化学反应过程探讨 被引量：1

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作者 颜鑫 《化学世界》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期253-255,共3页

关键词 ash3 电石气 化学反应过程 脱除 高温裂解法 原料生产 主要成分 乙炔气 CaS H2S 砷化物 文献

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半导体生产用剧毒气体解毒技术的研究

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作者 孙福楠 吴江红 +3 位作者 柳蔚 李英辉 于大秋 冯庆祥 《低温与特气》 CAS 2009年第1期1-3,共3页

在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统... 在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等。这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大。传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛。本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求。 展开更多

关键词 半导体 剧毒有害气体 SIH4 B2H6 GeH4 PH3 ash3 干法解毒

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探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响

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作者 崔健 潘文武 +4 位作者 吴晓燕 陈其苗 刘娟娟 张振普 王庶民 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期352-357,共6页

为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱... 为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱(EDX)测试得出:GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH_3压的升高而减小,在As_2和Ga束流比在0.5~0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源MBE敏感;此外,Bi源温度升高,Bi掺入的浓度也会增大,但是当生长温度大于420℃时,Bi就很难凝入。 展开更多

关键词 GaAsBi 气态源分子束外延 生长温度 ash3压 Bi源温度

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Pt-Pd催化剂砷中毒原因的初步研究

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作者 黄永生 尹燕华 郑邯勇 《舰船科学技术》 北大核心 2006年第1期95-98,共4页

以AsH3为毒物,H2-O2反应为模型反应,用流动法对Pt-Pd/-A l2O3催化剂活性进行评价。用X-光电子能谱(XPS)、X-射线衍射分析(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等对新鲜催化剂及不同失活程度的催化剂进行了表征。分析认为,AsH3引起Pt-Pd/-A l2O3... 以AsH3为毒物,H2-O2反应为模型反应,用流动法对Pt-Pd/-A l2O3催化剂活性进行评价。用X-光电子能谱(XPS)、X-射线衍射分析(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等对新鲜催化剂及不同失活程度的催化剂进行了表征。分析认为,AsH3引起Pt-Pd/-A l2O3催化剂失活是由于毒物AsH3发生氧化反应形成的As2O3覆盖了活性位以及非活性稳定物质在催化剂表面的形成,改变了催化剂表面组成及活性组分电子结构,导致催化剂完全失活。 展开更多

关键词 Pt—Pd催化剂 ash3 失活

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酸性废水中As(Ⅲ)、Cu(Ⅱ)与铁粉的反应行为 被引量：1

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作者 郑帅飞 宋卫锋 +3 位作者 何如民 胡元娟 唐瑜钟 覃吉善 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期94-97,共4页

在Fe-As(Ⅲ)-Cu(Ⅱ)-H2O体系中,研究了酸性废水中As(Ⅲ)、Cu(Ⅱ)与金属铁粉的反应行为,考察了反应过程中As在气、液、固三相中的分配比。结果表明,As(Ⅲ)和Cu(Ⅱ)离子被Fe还原为单质As和Cu后,As、Cu进一步结合成Cu5As2等金属间化合物,... 在Fe-As(Ⅲ)-Cu(Ⅱ)-H2O体系中,研究了酸性废水中As(Ⅲ)、Cu(Ⅱ)与金属铁粉的反应行为,考察了反应过程中As在气、液、固三相中的分配比。结果表明,As(Ⅲ)和Cu(Ⅱ)离子被Fe还原为单质As和Cu后,As、Cu进一步结合成Cu5As2等金属间化合物,从而促进As(Ⅲ)沉淀反应的发生,且无AsH3生成。在反应时间40min、铁粉过量系数1.2、溶液初始pH=0.0、温度40℃、Cu/As摩尔比1.0条件下,As在气、液、固三相中的分配比分别为0、20.7%和79.3%,沉砷率为79.3%。 展开更多

关键词 废水处理 酸性废水 置换反应 As(Ⅲ) Cu(Ⅱ) 铁粉 沉砷 ash3

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半导体用气的安全及解毒处理 被引量：2

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作者 张凤林 《低温与特气》 CAS 1988年第3期7-16,共10页

用于制造半导体的气体，大部分是易燃、易爆，剧毒的气体，如AsH3、SiH4、PH3、B2H6、HC1等，在大气中它们的最大允许浓度分别为0.05、5.0、0.3、0.1、5.0ppm。因此，在电子气生产、使用、贮存过程中的废渣、废气都要进行解毒处理，

关键词 解毒处理 半导体 安全 用气 ash3 SIH4 允许浓度 贮存过程 PH3 电子气 气体

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GC/MS分析乙烯和丙烯中痕量砷化氢及磷化氢 被引量：1

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作者 张宝良 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期507-510,共4页

在乙烯(或丙烯)聚合为聚乙烯(或聚丙烯)的反应过程中,首选高活性茂金属催化剂。茂金属催化剂可显著提高乙烯和丙烯的聚合效率。然而,这些催化剂也更容易受到砷化氢(AsH_(3))和磷化氢(PH_(3))等杂质的影响。在生产过程中对痕量AsH_(3)和P... 在乙烯(或丙烯)聚合为聚乙烯(或聚丙烯)的反应过程中,首选高活性茂金属催化剂。茂金属催化剂可显著提高乙烯和丙烯的聚合效率。然而,这些催化剂也更容易受到砷化氢(AsH_(3))和磷化氢(PH_(3))等杂质的影响。在生产过程中对痕量AsH_(3)和PH_(3)等杂质进行准确的检测,有助于烯烃生产者及时采取措施降低这些杂质所造成的影响。因此,亟需发展痕量AsH_(3)和PH_(3)等杂质的高灵敏检测方法。目前,所面临的挑战是将低浓度活性杂质与高浓度的基质峰有效分离. 展开更多

关键词 茂金属催化剂 高灵敏检测 砷化氢 GC/MS分析 ash3 磷化氢 PH3 聚合效率

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硅烷及其杂质的气相色谱分析 被引量：2

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作者 陈澄清 《低温与特气》 CAS 1985年第2期40-42,共3页

制备多晶硅时，用液氨法在低温下产生的硅烷，除主成份SiH4外，尚含H2、微量NH3、Si2H6、CH4、H2O、O2、N2、PH3，以及痕量的B2H8和AsH3等杂质，而其中有些杂质，如CH4、H2O、N2等，主要由液氨带入。因此，要加强原材料的分析，严格监... 制备多晶硅时，用液氨法在低温下产生的硅烷，除主成份SiH4外，尚含H2、微量NH3、Si2H6、CH4、H2O、O2、N2、PH3，以及痕量的B2H8和AsH3等杂质，而其中有些杂质，如CH4、H2O、N2等，主要由液氨带入。因此，要加强原材料的分析，严格监控工艺过程中硅烷气内的有害杂质，采取必要的纯化措施。这样，将大大提高由分解炉中析出的多晶硅质量。 展开更多

关键词 气相色谱分析 硅烷 SIH4 ash3 有害杂质 工艺过程 多晶硅 CH4 H2O 液氨法 主成份 NH3 PH3 原材料 分解炉 N2 低温

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