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题名离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究
被引量：1
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作者
张通和
吴瑜光
罗晏
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机构
北京师范大学低能核物理研究所
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出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1988年第3期54-59,共6页
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基金
国家自然科学基金
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文摘
给出了As和P注入硅的电激活能与退火温度的关系.用这些结果和表示晶格去除率与退火温度的关系式,研究了损伤的晶格恢复和杂质电激活动力学,发现低剂量As注入硅,在退火过程中仅出现1～2个低的激活能.当注入剂量大于5×10^(15)cm^(-2)时,硅注入区转变成了无序层,退火过程中则出现无序层外延生长区、过渡区和电激活能区3个特征温区,并在激活能区可观察到2～3个激活能.当硅在300℃温度下注入As,注入剂量为1×10^(16)cm^(-2)时,注入层中未出现无序层,退火过程中仅有激活能区,在此区能测到3个激活能.
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关键词
as和p离子注入
动力学
退火
激活能
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Keywords
As and p implantation, kinetics, annealing, activation energy.
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分类号
TN3
[电子电信—物理电子学]
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