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Si^+/As^+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究: 1; 作者鲁光沅刘福润 +2 位作者刘明成赵杰王永晨《天津师大学报（自然科学版）》 2000年第3期22-27,共6页; 研究了单 (Si+ )双 (Si+ / As+ )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ... 展开更多; 关键词离子注入 gaas 电激活均匀性半导体; 在线阅读下载PDF 职称材料

离子注入SI-GaAs做激光器被动调Q元件的研究: 2; 作者李朝阳王勇刚黄骝《应用光学》 CAS CSCD 2004年第4期59-62,共4页; 　本文从半导体材料GaAs的能级结构出发,探讨了GaAs做固体激光器被动调Q器件的可行性,对离子注入半绝缘GaAs用做Nd:YAG激光器中被动调Q元件的机理进行了实验研究,实验中腔型选择直腔式平平腔,Nd:YAG采用脉冲氙灯抽运,在腔型1Hz下获得了... 展开更多; 关键词 gaas 被动调Q 离子注入 ND:YAG激光器; 在线阅读下载PDF 职称材料

短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型: 3; 作者黄庆安吕世骥童勤义《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1992年第6期23-29,共7页; 本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.; 关键词离子注入晶体管模型 MESFET gaas; 在线阅读下载PDF 职称材料

稀土Er离子注入GaAs:Er光学性质的研究: 4; 作者黄钟英王飞武 +2 位作者王小军周必忠王南钦《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期102-104,共3页; 用离子注入法掺Er,制成发光材料GaAs:Er.探索了离子注入和退火最佳条件,通过对GaAs:Er样品的光致发光谱和吸收光谱的测量,分析、探讨发光中心Er的光激发和能量传输机制.; 关键词离子注入gaas:Er 光致发光谱吸收光谱光激发机制; 在线阅读下载PDF 职称材料

In（Ga）As／GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究通过验收: 5; 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期213-213,共1页; 近日，由中科院上海技物所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In（Ga）As／GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握，应用分子束外延方法在GaAs... 展开更多; 关键词 gaas衬底生长动力学扫描电流量子点离子注入表面通过验收局域; 在线阅读下载PDF 职称材料

用拉曼光谱测量离子注入引起的晶格应变被引量：1: 6; 作者英敏菊董西亮《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期671-674,共4页; 对于10个周期的A1As／GaAs超晶格和25个周期的GaAs／Ga0.92In0．08As超晶格，在室温下进行0．28MeV的Zn^＋注入，注入剂量为5×10^13～5×10^14cm^-2。通过拉曼光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结... 展开更多; 关键词离子注入 gaas 超晶格晶格应变拉曼光谱; 在线阅读下载PDF 职称材料

Si^+和S^+注入SI-GaAs白光快速退火特性: 7; 作者李国辉朱德华 +2 位作者张通和罗晏韩德俊《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第4期23-27,共5页; 研究了 Si^+和 S^+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si^+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使... 展开更多; 关键词离子注入 Si^+ S^+ gaas 快速退华; 在线阅读下载PDF 职称材料

N、Zn离子注入GaAs_(1-x)P_x(x=0.39)的研究补充: 8; 《发光学报》 EI CAS 1979年第Z1期114-116,共3页; 关于N、Zn离子注入GaAs1-xPx的阴极萤光及电特性的测量在正文中已经做了介绍。在这里我们再小结一下器件制造结果。对于N注入GaAs1-xPx中的电致发光情况,我们做的工作不多。在这里只就最近所做二批器件的情况做一个小结。; 关键词 gaas x=0.39 离子注入离子掺杂发光强度光强 X x)P_x Zn; 在线阅读下载PDF 职称材料

脉冲LDA泵浦Nd:YVO_4/GaAs被动调Q锁模激光器: 9; 作者刘晓娟傅汝廉 +2 位作者卓然然薛兵招方涛《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1578-1581,共4页; 用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源、微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q锁模元件,实现了Nd∶YVO4激光器调Q锁模运转.调Q运转阶段,激光器每泵浦脉宽内输出一个调Q脉冲,调Q脉宽7ns.调Q锁模运... 展开更多; 关键词激光二极管阵列(LDA) As^+离子注入gaas 调Q锁模 Nd:YVO1晶体; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si^+/As^+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究: 1; 作者鲁光沅刘福润刘明成赵杰王永晨; 机构天津师范大学物理系; 出处《天津师大学报（自然科学版）》 2000年第3期22-27,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目!(6 986 0 0 1) 天津市教委基金资助项目!(9710 9); 文摘研究了单 (Si+ )双 (Si+ / As+ )离子注入半绝缘砷化镓 (SI-Ga As)电激活的均匀性 .结果表明 ,L ECSi-Ga As衬底中深电子陷阱能级 (EL 2 )均匀性分布好坏 ,对注入层电激活性有一定影响 .当 SI-Ga As中碳含量小于 5× 1 0 15cm- 3时 ,对注入层电激活影响不大 .采用多重能量 Si+注入 ,可改善栽流子纵向分布的均匀性 ,采用 Si+ / As+ 双离子注入可改善 L EC SI-Ga As衬底中 EL 2横向不均匀分布对电激活均匀性的影响 ,可获得注入层横向的电激活 .; 关键词离子注入 gaas 电激活均匀性半导体; Keywords implantation SI gaas active uniformity EL2 energy; 分类号 O471 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名离子注入SI-GaAs做激光器被动调Q元件的研究: 2; 作者李朝阳王勇刚黄骝; 机构北京工业大学应用数理学院中科院半导体所; 出处《应用光学》 CAS CSCD 2004年第4期59-62,共4页; 文摘　本文从半导体材料GaAs的能级结构出发,探讨了GaAs做固体激光器被动调Q器件的可行性,对离子注入半绝缘GaAs用做Nd:YAG激光器中被动调Q元件的机理进行了实验研究,实验中腔型选择直腔式平平腔,Nd:YAG采用脉冲氙灯抽运,在腔型1Hz下获得了单脉冲宽度为62ns的调Q波形输出。; 关键词 gaas 被动调Q 离子注入 ND:YAG激光器; Keywords gaas passive Q-switched ion-implantation Nd∶YAG laser; 分类号 TN242 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型: 3; 作者黄庆安吕世骥童勤义; 机构东南大学微电子中心; 出处《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1992年第6期23-29,共7页; 文摘本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.; 关键词离子注入晶体管模型 MESFET gaas; Keywords metal-semiconductor field effect transistors/Ion implantation, FET model; 分类号 TN386.6 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名稀土Er离子注入GaAs:Er光学性质的研究: 4; 作者黄钟英王飞武王小军周必忠王南钦; 机构厦门大学物理学系厦门大学化学系; 出处《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期102-104,共3页; 基金福建省自然科学基金厦大固体表面物理化学国家重点实验室资助; 文摘用离子注入法掺Er,制成发光材料GaAs:Er.探索了离子注入和退火最佳条件,通过对GaAs:Er样品的光致发光谱和吸收光谱的测量,分析、探讨发光中心Er的光激发和能量传输机制.; 关键词离子注入gaas:Er 光致发光谱吸收光谱光激发机制; 分类号 N55 [自然科学总论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名In（Ga）As／GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究通过验收: 5; 出处《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期213-213,共1页; 文摘近日，由中科院上海技物所李天信博士后负责承担的上海市纳米专项“In（Ga）As／GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究”通过专家组验收。项目组通过对异质外延的量子点生长动力学和摸索和掌握，应用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了InAs表面量子点和In（Ga）As5—10层嵌埋量子点。获得了高密度、尺寸相对均匀的量子点样品。通过在原子力显微镜上加装电流模块，选择使用导电微悬背，对In（Ga）As／GaAs量子点的局域电导特性进行了系统研究。得到了生长在不同掺杂特性（n型、p型）缓冲层上的表面量子点的扫描电流像。; 关键词 gaas衬底生长动力学扫描电流量子点离子注入表面通过验收局域; 分类号 TN304.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用拉曼光谱测量离子注入引起的晶格应变被引量：1: 6; 作者英敏菊董西亮; 机构北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所; 出处《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期671-674,共4页; 基金国家自然科学基金资助课题(10604007) 北京市科技院萌芽计划资助课题北京师范大学青年基金资助课题; 文摘对于10个周期的A1As／GaAs超晶格和25个周期的GaAs／Ga0.92In0．08As超晶格，在室温下进行0．28MeV的Zn^＋注入，注入剂量为5×10^13～5×10^14cm^-2。通过拉曼光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明：在所选用的注入剂量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非驰豫应变值0．038，说明该注入条件下，注入区的结晶态仍然保持得比较好。在较高注入剂量下应变达到饱和，说明缺陷的产生和复合达到了平衡，从而形成了均衡的应变场分布。; 关键词离子注入 gaas 超晶格晶格应变拉曼光谱; Keywords Ion implantation AsGa Superlattice Lattice strains Raman spectroscopy; 分类号 O657.37 [理学—分析化学] O47 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Si^+和S^+注入SI-GaAs白光快速退火特性: 7; 作者李国辉朱德华张通和罗晏韩德俊; 机构北京师范大学低能核物理研究所; 出处《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1990年第4期23-27,共5页; 基金国家自然科学基金; 文摘研究了 Si^+和 S^+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si^+注入白光快速退火样品比常规热退火样品有较好的电特性.使用 Si^+注入白光快速退火制作出了性能良好的全离子注入平面型 MESFET.; 关键词离子注入 Si^+ S^+ gaas 快速退华; Keywords Si^+, S^+ implanted into gaas, light rapid thermal annealing,abrupt carrier profile; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名N、Zn离子注入GaAs_(1-x)P_x(x=0.39)的研究补充: 8; 机构北京师范大学低能所北京有色所中国科学院半导体所; 出处《发光学报》 EI CAS 1979年第Z1期114-116,共3页; 文摘关于N、Zn离子注入GaAs1-xPx的阴极萤光及电特性的测量在正文中已经做了介绍。在这里我们再小结一下器件制造结果。对于N注入GaAs1-xPx中的电致发光情况,我们做的工作不多。在这里只就最近所做二批器件的情况做一个小结。; 关键词 gaas x=0.39 离子注入离子掺杂发光强度光强 X x)P_x Zn; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名脉冲LDA泵浦Nd:YVO_4/GaAs被动调Q锁模激光器: 9; 作者刘晓娟傅汝廉卓然然薛兵招方涛; 机构山东理工大学物理与光电信息技术学院南开大学现代光学研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1578-1581,共4页; 基金国家自然科学基金(60577015)资助; 文摘用脉冲激光二极管阵列(LDA)作为泵浦源、微柱透镜阵列和透镜导管作为耦合系统,以As+注入GaAs可饱和吸收片作为被动调Q锁模元件,实现了Nd∶YVO4激光器调Q锁模运转.调Q运转阶段,激光器每泵浦脉宽内输出一个调Q脉冲,调Q脉宽7ns.调Q锁模运转阶段,初始透过率60%的GaAs晶片对调Q包络内的锁模脉冲的调制深度达到95%以上,锁模脉冲重复频率991MHz.研究了加在LDA上的电压、方波脉冲的脉宽和重复频率对调Q锁模脉冲特性的影响,并对实验结果进行了讨论.; 关键词激光二极管阵列(LDA) As^+离子注入gaas 调Q锁模 Nd:YVO1晶体; Keywords Diode laser array（LDA） As^＋ ion-implanted gaas Q-switching mode locking Nd： YVO4 crystal; 分类号 TN248.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Si^+/As^+双离子注入SI-GaAs对注入层电激活均匀性改善的研究	鲁光沅刘福润刘明成赵杰王永晨	《天津师大学报（自然科学版）》	2000	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	离子注入SI-GaAs做激光器被动调Q元件的研究	李朝阳王勇刚黄骝	《应用光学》 CAS CSCD	2004	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型	黄庆安吕世骥童勤义	《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD	1992	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	稀土Er离子注入GaAs:Er光学性质的研究	黄钟英王飞武王小军周必忠王南钦	《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心	1993	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	In（Ga）As／GaAs量子点的生长、表面局域电流及离子注入改性研究通过验收		《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	用拉曼光谱测量离子注入引起的晶格应变	英敏菊董西亮	《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	Si^+和S^+注入SI-GaAs白光快速退火特性	李国辉朱德华张通和罗晏韩德俊	《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD	1990	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	N、Zn离子注入GaAs_(1-x)P_x(x=0.39)的研究补充		《发光学报》 EI CAS	1979	0	在线阅读下载PDF 职称材料
9	脉冲LDA泵浦Nd:YVO_4/GaAs被动调Q锁模激光器	刘晓娟傅汝廉卓然然薛兵招方涛	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料