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两步法腐蚀硅锥阴极阵列的工艺研究
被引量：
1
1
作者
朱长纯
淮永进
李毓民
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
1994年第6期426-430,共5页
详细研究了利用硅的各向异性腐蚀、各向同性腐蚀制备硅锥阴极阵列的工艺。采用快速腐蚀与缓蚀削尖两步工艺，制备出了均匀、尖锐的硅锥阵列。其阵列密度可达106／cm2，硅锥曲率半径可做到20nm。
关键词
各向异性
腐蚀
各向同性
两步法
硅锥
集成电路
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职称材料
题名
两步法腐蚀硅锥阴极阵列的工艺研究
被引量：
1
1
作者
朱长纯
淮永进
李毓民
机构
西安交通大学电子工程系
北京电子管厂
出处
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
1994年第6期426-430,共5页
文摘
详细研究了利用硅的各向异性腐蚀、各向同性腐蚀制备硅锥阴极阵列的工艺。采用快速腐蚀与缓蚀削尖两步工艺，制备出了均匀、尖锐的硅锥阵列。其阵列密度可达106／cm2，硅锥曲率半径可做到20nm。
关键词
各向异性
腐蚀
各向同性
两步法
硅锥
集成电路
Keywords
anisotropic etching
,
isotropic etching
,
two-step method
,
silicon cone
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
两步法腐蚀硅锥阴极阵列的工艺研究
朱长纯
淮永进
李毓民
《真空科学与技术》
EI
CAS
CSCD
1994
1
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