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InSb薄膜热导率温度特性及传热机理
被引量：
1
1
作者
黄正兴
孙豪
+1 位作者
李奇松
管相宇
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期519-525,共7页
InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的...
InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的传热机理.对于晶态InSb薄膜,热导率为(0.55±0.055)W/(m·K),并且随温度的变化不明显;而非晶态InSb薄膜在温度450K以下时热导率为(0.37±0.037)W/(m·K).当温度在450K以上时,由于薄膜从非晶态转化为晶态,其热导率经历了一个突然的升高过程.无论是晶态还是非晶态薄膜样品,热导率与薄膜厚度都没有明显依赖关系.研究结果可以为InSb薄膜的实际应用提供有益的参考.
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关键词
insb
薄膜
晶态和非晶态
热导率
温度特性
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职称材料
非晶态锑化铟薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性研究
被引量：
1
2
作者
孔金丞
李志
+4 位作者
孔令德
赵俊
于晓辉
王善力
姬荣斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2008年第6期351-354,共4页
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态锑化铟(a-InSb)薄膜的低温生长。采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态锑化铟薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态锑化...
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态锑化铟(a-InSb)薄膜的低温生长。采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态锑化铟薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态锑化铟薄膜的"生长窗口"。采用傅立叶红外透射光谱分析技术对非晶态锑化铟薄膜进行了光学性能研究,在0.9～2.0μm范围内研究了薄膜的透射谱线,获得了薄膜的吸收系数,研究了其光学带隙和吸收边附近的3个吸收区域。
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关键词
非晶态锑化铟
射频磁控溅射
光学带隙
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职称材料
题名
InSb薄膜热导率温度特性及传热机理
被引量：
1
1
作者
黄正兴
孙豪
李奇松
管相宇
机构
大连理工大学电子信息与电气工程学部
辽宁省集成电路技术重点实验室
中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室
出处
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期519-525,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(61131004)
辽宁省自然科学基金资助项目(201602153)
文摘
InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的传热机理.对于晶态InSb薄膜,热导率为(0.55±0.055)W/(m·K),并且随温度的变化不明显;而非晶态InSb薄膜在温度450K以下时热导率为(0.37±0.037)W/(m·K).当温度在450K以上时,由于薄膜从非晶态转化为晶态,其热导率经历了一个突然的升高过程.无论是晶态还是非晶态薄膜样品,热导率与薄膜厚度都没有明显依赖关系.研究结果可以为InSb薄膜的实际应用提供有益的参考.
关键词
insb
薄膜
晶态和非晶态
热导率
温度特性
Keywords
insb
thin film
crystalline and
amorphous
thermal conductivity
temperature dependent characteristic
分类号
TK124 [动力工程及工程热物理—工程热物理]
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职称材料
题名
非晶态锑化铟薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性研究
被引量：
1
2
作者
孔金丞
李志
孔令德
赵俊
于晓辉
王善力
姬荣斌
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2008年第6期351-354,共4页
文摘
在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态锑化铟(a-InSb)薄膜的低温生长。采用X射线衍射(XRD)和原子力显微(AFM)技术对所生长的薄膜进行分析研究,所生长的非晶态锑化铟薄膜表面平整,没有晶粒出现,获得了射频磁控溅射生长非晶态锑化铟薄膜的"生长窗口"。采用傅立叶红外透射光谱分析技术对非晶态锑化铟薄膜进行了光学性能研究,在0.9～2.0μm范围内研究了薄膜的透射谱线,获得了薄膜的吸收系数,研究了其光学带隙和吸收边附近的3个吸收区域。
关键词
非晶态锑化铟
射频磁控溅射
光学带隙
Keywords
amorphous insb（a-insb）
RF magnetron sputtering
Optical gap
分类号
O742.075 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
InSb薄膜热导率温度特性及传热机理
黄正兴
孙豪
李奇松
管相宇
《大连理工大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
非晶态锑化铟薄膜的射频磁控溅射生长及其结构和光学特性研究
孔金丞
李志
孔令德
赵俊
于晓辉
王善力
姬荣斌
《红外技术》
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
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