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Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂: 1; 作者唐宁沈波 +4 位作者韩奎卢芳超许福军秦志新张国义《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期147-149,共3页; 通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了... 展开更多; 关键词 alxga1-xn/gan异质结构二维电子气自旋; 在线阅读下载PDF 职称材料

Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃/Al_xGa_1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1: 2; 作者沈波李卫平 +10 位作者周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期57-60,共4页; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 展开更多; 关键词 C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 alxga1-xn/gan; 在线阅读下载PDF 职称材料

Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文): 3; 作者沈波李卫平 +10 位作者周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期57-60,共4页; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN... 展开更多; 关键词 C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 alxga1-xn/gan; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性被引量：1: 4; 作者林秀华《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期324-329,共6页; 评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,Ga... 展开更多; 关键词氮化镓薄膜 Ingan/A1gan双异质结构 MOCVD技术掺杂薄膜生长发光二极管生长动力学金属有机物化学沉积铟镓氮化合物铝镓氮化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模: 5; 作者刘红侠卢风铭 +2 位作者王勇淮宋大建武毅《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期147-151,共5页; 为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、... 展开更多; 关键词 alxga1-xn/gan异质结二维电子气多子带模型能级分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

纤锌矿结构混晶Al_xGa_(1-x)N中的光学声子和极化子: 6; 作者张芳李艳 +1 位作者李伟危书义《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2013年第3期35-38,共4页; 由于声子和极化子对纤锌矿结构混晶和由其组成的量子阱的物理性质存在重要影响,采用赝原胞模型法计算纤锌矿结构混晶中Γ点的光学声子频率与组分x的关系,运用微扰的方法计算纤锌矿结构混晶中极化子有效质量mi*和能量迁移Ei随组分x的变... 展开更多; 关键词赝原胞模型法光学声子极化子纤锌矿结构混晶 alxga1-xn; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂: 1; 作者唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义; 机构北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期147-149,共3页; 基金国家"973"重点基础研究项目(2006CB604908 2006CB921607) +6 种基金国家自然科学基金(60806042 10774001 60736033 60628402) 教育部博士点基金(200800011021 20060001018) 北京市自然科学基金(4062017); 文摘通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.24Ga0.76N/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象。在强磁场下观察到了表征2DEG塞曼自旋分裂的舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡的分裂峰。通过分析SdH分裂峰的位置,获得了塞曼自旋分裂能量和g*的大小,发现由于交换相互作用,g*比g0有了显著的增加,同时g*随着磁场的增大而增大,说明随着磁场的增大,电子与电子的交换相互作用增强。; 关键词 alxga1-xn/gan异质结构二维电子气自旋; Keywords alxga1-xn/gan heterostructures two-dimensional electron gas spin; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃/Al_xGa_1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1: 2; 作者沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y; 机构南京大学物理系 Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期57-60,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) 国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) +1 种基金国家高技术研究和发展项目日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 文摘通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。; 关键词 C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 alxga1-xn/gan; Keywords C V property Pb(ZrTi)O 3 ferroelectric film Al xGa 1-xn/gan; 分类号 O482.31 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文): 3; 作者沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y; 机构南京大学物理系 Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期57-60,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) 国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) +1 种基金国家高技术研究和发展项目日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 文摘通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质界面二维电子气 ( 2DEG)的浓度在 -1 0V偏压下从 1 5 6× 1 0 13 cm-2 下降为 5 6× 1 0 12 cm-2 。由于PZT薄膜的铁电极化 ,在 -1 0V偏压下可以观察到宽度为 0 2V的铁电C V窗口 ,表明在没有铁电极化方向反转的条件下 ,PZT/AlxGa1-xN/GaNMFS结构也能出现存储特性。因为 2DEG带来的各种优点 ,可以认为AlxGa1-xN/GaN异质结构在以存储器为目标的MFS场效应晶体管中有重要应用。; 关键词 C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 alxga1-xn/gan; Keywords C V property Pb(ZrTi)O 3 ferroelectric film Al xGa 1-xn/gan; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性被引量：1: 4; 作者林秀华; 机构厦门大学物理系; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期324-329,共6页; 基金福建省自然科学基金!(No .E0 0 0 10 0 1) 中科院上海技术物理所红外物理国家实验室资助课题; 文摘评述利用MOCVD技术在α Al2 O3 衬底上生长GaN薄膜及InGaN/AlGaN双异质结 (DH)结构的工艺与特性 ;从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件 (温度、气流束源等 )对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明 ,GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度 ,气流束源摩尔流量速率。若生长温度太高 ,引起PL发光谱峰向长波侧移动 ;GaN缓冲层生长温度必须控制在 5 5 0℃。高的Ⅴ /Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中 5 5 0nm辐射峰产生。为了获得高质量 p AlGaN、GaN层 ,控制生长温度和以Cp2 Mg为杂质源的Mg受主掺杂量 ,并在N2 气氛中 80 0℃快速退火。; 关键词氮化镓薄膜 Ingan/A1gan双异质结构 MOCVD技术掺杂薄膜生长发光二极管生长动力学金属有机物化学沉积铟镓氮化合物铝镓氮化合物; Keywords Ingan/Algan processing condition LED growth dynam8; 分类号 O472.3 [理学—半导体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模: 5; 作者刘红侠卢风铭王勇淮宋大建武毅; 机构西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期147-151,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(60976068 61076097) +1 种基金十二五国家部委预研资助项目(513080401); 文摘为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变.与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点.; 关键词 alxga1-xn/gan异质结二维电子气多子带模型能级分布; Keywords Algan/gan heterostructure two-dimensional electron gas multiple sub-bands model distribution of energy level; 分类号 TN401 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名纤锌矿结构混晶Al_xGa_(1-x)N中的光学声子和极化子: 6; 作者张芳李艳李伟危书义; 机构平顶山学院电气信息工程学院河南城建学院数理系河南师范大学物理与信息工程学院; 出处《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2013年第3期35-38,共4页; 基金河南城建学院2013年度科学研究基金资助项目(2013JYB013); 文摘由于声子和极化子对纤锌矿结构混晶和由其组成的量子阱的物理性质存在重要影响,采用赝原胞模型法计算纤锌矿结构混晶中Γ点的光学声子频率与组分x的关系,运用微扰的方法计算纤锌矿结构混晶中极化子有效质量mi*和能量迁移Ei随组分x的变化关系.计算结果表明:纤锌矿结构混晶AlxGa1-xN中的LO声子和TO声子均表现为单模行为,极化子的有效质量mi*和能量迁移Ei随x的变化呈线性变化.; 关键词赝原胞模型法光学声子极化子纤锌矿结构混晶 alxga1-xn; Keywords the pseudo-unit-cell approach optical phonons polaron wurtzite ternary nitride-based crystals alxga1-xn; 分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中2DEG的塞曼自旋分裂	唐宁沈波韩奎卢芳超许福军秦志新张国义	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃/Al_xGa_1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）	沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)	沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	MOCVD生长InGaN/AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性	林秀华	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2000	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模	刘红侠卢风铭王勇淮宋大建武毅	《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	纤锌矿结构混晶Al_xGa_(1-x)N中的光学声子和极化子	张芳李艳李伟危书义	《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料