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具有提高Q值退耦结构的MEMS谐振器研究
1
作者
鲍景富
张超
吴兆辉
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期397-401,共5页
为了提高MEMS谐振器的品质因数(Q值),该文设计一个微型的具有能量退耦作用的外框作为支撑结构。所设计的Al N压电谐振器工作在30 MHz横向振动模态,其Q值可以达到4.3×10~4,对应的f·Q乘积为1.29×10^(12)。谐振器频率与外...
为了提高MEMS谐振器的品质因数(Q值),该文设计一个微型的具有能量退耦作用的外框作为支撑结构。所设计的Al N压电谐振器工作在30 MHz横向振动模态,其Q值可以达到4.3×10~4,对应的f·Q乘积为1.29×10^(12)。谐振器频率与外框的机械谐振频率比值约10:1,减小了谐振器到基底的能量耦合,从而降低能量损耗并提高谐振器Q值。通过理论和有限元分析并对谐振器的频率响应进行建模,两种方法的模型结果一致,说明了具有能量退耦外框的谐振器能降低锚点造成的能量损耗,从而有效地提高横向振动模态Al N压电谐振器的Q值。
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关键词
aln压电谐振器
退耦结构
MEMS
Q值
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职称材料
题名
具有提高Q值退耦结构的MEMS谐振器研究
1
作者
鲍景富
张超
吴兆辉
机构
电子科技大学电子工程学院
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期397-401,共5页
基金
国家自然科学基金(U1430102)
文摘
为了提高MEMS谐振器的品质因数(Q值),该文设计一个微型的具有能量退耦作用的外框作为支撑结构。所设计的Al N压电谐振器工作在30 MHz横向振动模态,其Q值可以达到4.3×10~4,对应的f·Q乘积为1.29×10^(12)。谐振器频率与外框的机械谐振频率比值约10:1,减小了谐振器到基底的能量耦合,从而降低能量损耗并提高谐振器Q值。通过理论和有限元分析并对谐振器的频率响应进行建模,两种方法的模型结果一致,说明了具有能量退耦外框的谐振器能降低锚点造成的能量损耗,从而有效地提高横向振动模态Al N压电谐振器的Q值。
关键词
aln压电谐振器
退耦结构
MEMS
Q值
Keywords
aln
piezoelectric resonator
decoupling structure
MEMS
Q
分类号
TN713 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
具有提高Q值退耦结构的MEMS谐振器研究
鲍景富
张超
吴兆辉
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
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